扩展 IGBT7 产品组合，实现bast-in-Class功率密度

我们已经介绍过关于采用标准TO-247封装的1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7加EC7二极管续流产品的优点。

秉承"越多越好"的宗旨，英飞凌最近拓展了 IGBT7和EC7技术的产品系列，其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合，重点如下：

1.

采用TO-247 PLUS封装可实现高功率密度，可用于商用车和农用车(CAV)的辅助和主牵引驱动等应用

2.

完整产品组合：在相同外形尺寸下，电流从8A到120A不等

3.

拓扑结构灵活，例如开关磁阻电机 (SRM)的驱动器，可以通过TO-247 PLUS不带续流二极管的IGBT串联外接二极管实现

4.

40A这一常用型号采用了TO-247-4封装的开尔文发射极引脚，开通损耗明显降低，满足高开关频率的苛刻应用要求

图1：英飞凌1200V IGBT7 S7分立式TO系列产品组合（点击图片可放大查看）

让我们重点讨论一下TO-247 PLUS封装--但首先要问几个问题。

1.

您的功率变换系统是否需要满足针对变频驱动器（VFD）的严格要求？

2.

您想让您的变频器毫不费力地获得更高的额定功率吗？

3.

您的VFD设计中是否并联了多个器件？

如果答案全部是肯定的，那么，TO-247 PLUS封装就是为您量身打造的！

我听起来像个推销员，对吗？那么，让我们通过一些仿真和实验室测试来揭开这些说法的神秘面纱。如果您下载了1200V IGBT7 S7 PLECS模型，并在B6两电平三相逆变器拓扑结构中运行......结果是，使用最新发布的IKQ120N120CS7器件，您可以将输出功率提高约120%（见图2）！

图2：与标准TO-247相比，1200V IGBT7 S7 PLUS 封装的功率密度有所提高。

条件：800 VDC，散热器温度=100°C，cos(φ)=1，mindex=1，fout=50 Hz，RG与数据手册值一致

芯片的不断缩小和电流密度的不断提高一直是功率变换器设计关注的问题。人们普遍担忧，新一代芯片尽管具有更高的电流密度，但由于散热设计更具挑战，新器件可能无法在实际工况中实现期待的输出功率。但图3澄清了这种担忧，与前几代产品相比，新一代IKW75N120CS7的输出电流性能更为出色。

因此，如果我是一名推销员，我只需要说，测试结果表明，新型1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7和EC7二极管的损耗降低，抵消了更高电流密度导致的散热设计的难点。此外，测试结果表明，IKW75N120CS7具有更高的输出电流，可以轻松替代两个40A级的竞争产品（工作在相同的 dV/dt），而英飞凌以前的产品（如 IKQ75N120CT2）则不具备这一能力。是时候更换了！

图3：IKQ75N120CS7在三相两电平直流-交流变换器 IGBT和二极管应用中的测试结果对比--内部和外部竞争对手。（点击图片可放大查看）