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【2023年8月4日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出搭载1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能。新型模块专为满足集中式太阳能逆变器以及工业电机驱动和不间断电源（UPS）的需求而开发。此外，它还广泛适用于电动汽车充电桩、储能系统（ESS）和其他新型工业应用。
基于新型微沟槽技术，搭载 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 芯片的62mm 模块系列的静态损耗远远低于搭载 IGBT4 芯片组的模块。这些特性大大降低了应用中的损耗，在以中等开关频率工作的工业电机驱动中尤为显著。IGBT 的振荡行为和可控性也得到了提升。此外，全新功率模块的最大过载结温为 175°C。
坚固的镀镍铜底板和螺母主端子确保了 62 mm模块封装具有足够的机械强度。主端子位于封装中央，由于其直流链路连接电感较低，因此非常适合并联电路和三电平拓扑配置。标准的封装设计和尺寸使得该系列能够兼容此前的模块版本。此外，所有模块均可使用半导体科技公司英飞凌经过验证的预涂热界面材料（TIM）。
供货情况
现在即可订购 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 62mm产品组合。预涂热界面材料的型号也将在不久后推出。了解更多信息，请访问 www.infineon.com/62mm和www.infineon.com/IGBT7。
如需进一步了解英飞凌在提高能源效率方面做出的贡献，请访问：www.infineon.com/green-energy
以高度灵活性满足高功率密度和性能需求：英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块
- 英飞凌(142481)
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2023-12-02 08:14:011647
1647扩展 IGBT7 产品组合，实现bast-in-Class功率密度
技术的产品系列，其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合，重点如下：1.采用TO-247PLUS封装可实现高功率密度，可用于商用车和农用车(CAV)
2023-12-11 17:31:131209
1209英飞凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升变频器系统性能（上）
的可能性大幅降低。在功率模块中，IGBT和二极管的出色性能可带来更高的电流密度和更大的输出电流。不仅如此，通过将功率模块的最高结温提升到175 °C，输出电流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:501483
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最新IGBT7系列分立器件常见问题
英飞凌新推出的IGBT7单管系列市场热度不减，本文为大家整理针对该产品系列的常见问题，一看就懂，牢牢码住!直播回放链接获取IGBT7都通过了哪些可靠性测试？答：IGBT不论单管和模块都需要通过
2024-03-05 08:17:271349
1349收藏！IGBT7系列分立器件核心知识点最全整理！
IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路电流能力的应用，例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度，无需重新设计散热器，缩短设计周期和降低设计成本。 H7采用最新型微沟槽栅技术，通过优化元胞结构，极大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:541110
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英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068
1068英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V产品
英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:291466
1466上能电气采用英飞凌IGBT7 EconoDUAL™3实现单机2MW储能变流器
的基于英飞凌IGBT7技术的新一代高功率密度2MW储能变流器PCS，使用英飞凌最新的EconoDUAL3封装的750
2024-06-14 08:14:242480
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新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展
新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展1200V的62mmCoolSiCMOSFET半桥模块现已上市。由于采用了M1H芯片技术，模块在VGS(th)、RDS(on)漂移
2024-06-26 08:14:271230
1230利用SLC技术改善热导率，增强IGBT模块功率密度
第七代工业IGBT模块已成功开发用于650V和1200V级，以满足高效率、高功率密度和高可靠性等重要电力电子系统要求。与低损耗第七代芯片组结合的SLC技术在热循环能力、无“泵出故障”封装和低热阻
2024-08-01 10:58:011504
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新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL™ 3 IGBT7 模块
的功率密度和更长的使用寿命。目前的EconoDUAL3Wave产品组合新增了1700V电压等级的900A模块。产品型号：FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431056
1056英飞凌推出高性能 CIPOS™ Maxi 智能功率模块，适用于功率高达 4 千瓦的工业电机驱动器
基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二极管EmCon7技术。由于采用了最新的微沟槽设计，该产品具有卓越的控制能力和性能。这大大降低了损耗，提高了效率和功率密度。该产品组合包
2024-08-14 08:14:45958
958英飞凌宣布扩展其蓝牙产品组合
英飞凌科技股份公司近日在蓝牙技术领域迈出重要一步，隆重推出AIROC™ CYW20829低功耗蓝牙5.4微控制器（MCU）系列的八款创新产品，此举显著扩展了其蓝牙产品组合，为工业、消费及汽车等多个领域的应用提供了更加灵活高效的解决方案。
2024-08-22 16:59:301282
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英飞凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合
英飞凌科技股份公司（股票代码：FSE： IFX，OTCQX： IFNNY）近期推出了其StrongIRFET™ 2系列中的全新30V功率MOSFET产品组合，进一步丰富了该系列的产品线，旨在响应大众
2024-09-30 16:15:581766
1766新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM
Emcon7技术。由于采用了最新的微沟槽设计芯片，该产品具有卓越的控制能力和性能，这大大降低了损耗，提高了效率，并增加了功率密度。产品组合包括从10A，15A和20A三种新
2024-10-09 08:04:051202
1202新品 | D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP™的IGBT7系列
新品D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用额定电压为1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D²PAK
2024-11-14 01:03:501615
1615深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模块
采用这些技术并扩大芯片面积，第8代1200V IGBT功率模块在相同的三菱电机LV100封装中实现了1800A的额定电流，是传统1200V IGBT功率模块的1.5倍。
2024-11-14 14:59:192864
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英飞凌IGBT7系列芯片大解析
，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micropatterntrench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且
2025-01-15 18:05:212265
2265倾佳电子力荐：BASiC 62mm封装BMF540R12KA3 SiC MOSFET模块 —— 重新定义高功率密度与效率的边
倾佳电子力荐：BASiC 62mm封装半桥BMF540R12KA3 SiC MOSFET模块 —— 重新定义高功率密度与效率的边界 关键词：1200V/540A、2.5mΩ超低导通电阻、175℃高温
2025-06-24 07:58:29460
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Bourns 全新扩展 POWrFuse™ 系列， 具备更高电压额定值、更宽电流范围与多样封装选项
全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，宣布扩展其 POWrFuse™ 大功率电力保险丝产品组合，推出全新 PF-63R50H 系列，具备更高电压额定值以及先进功能与性能，专为能源储存
2025-06-25 17:56:591271
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英飞凌推出采用Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，将工业应用功率密度提升至新高度
的CoolSiCMOSFET1200VG2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度，专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计，例如电动汽车充电
2025-08-01 17:05:091507
1507Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7电源模块 提供高功率密度并简化系统集成
推出全新DualPack 3（DP3）系列电源模块。该系列模块采用先进IGBT7技术，提供1200V和1700V两种电压等级的六款产品，额定电流范围300–900A，旨在满足市场对紧凑、经济高效且简化的电源转换器解决方案的日益增长需求。
2025-09-17 15:45:45914
914英飞凌推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET
及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V（连续）和455V（瞬态）的TOLL封装新产品
2025-10-31 11:00:59297
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