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电子发烧友网>电源/新能源> 以高度灵活性满足高功率密度和性能需求:英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合,推出全新电流额定值模块

以高度灵活性满足高功率密度和性能需求:英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合,推出全新电流额定值模块

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2022-08-03 08:04:48907

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Curiosity Nano评估套件 1 产品一: 英飞凌功率集成模块FP25R12W1T7_B11 FP25R12W1T7_B11 是 英飞凌 推出1200 V、25 A  基于EasyPIM 1B
2023-01-29 19:00:04931

英飞凌IGBT

英飞凌IGBT 英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高,在设计灵活性上也丝毫不妥协 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列,它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级,适用于
2023-02-16 16:30:581135

Nexperia(安世半导体)推出先进的I²C GPIO扩展产品组合

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用输入输出(GPIO)扩展产品组合,旨在提高电子系统的灵活性和重复利用能力。其中
2023-05-04 17:34:04898

英飞凌推出全新 EiceDRIVER™ 1200 V 半桥驱动器 IC系列,有源米勒钳位保护可提升高功率系统的耐用性

,为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。增强的电流输出能力将这一产品组合的适用性提升到更高的系统功率水平。这些器件能够提供业内领先的负极 VS 负瞬态电压抗
2023-06-06 11:03:03420

1200V-600A/450A IGBT模块产品性能

对应用系统的性能具有决定性的影响。为响应上述应用市场日益增长的发展需求,JSAB推出了兼容国外一流进口品牌的Econodual3和62mm封装的1200V-600A/450A大功率模块。相关模块IGBT
2023-06-20 11:26:021328

英飞凌(Infineon)IGBT管前10热门型号

型号:1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高压IGBT,适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值,能够提供低导通
2023-08-25 16:58:531479

搭载1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封装功率密度

了该封装的功率密度上限。目标应用领域:1200VP7模块首发型号有以下两个:相比于以前的IGBT4或IGBT5产品,新的IGBT7产品进一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430

英飞凌推出面向高能效电源应用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品

英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255

提高4.5kV IGBT模块功率密度

提高4.5kV IGBT模块功率密度
2023-11-23 15:53:38280

采用IGBT7功率密度变频器的设计实例

采用IGBT7功率密度变频器的设计实例
2023-12-05 15:06:06375

功率半导体电流额定值和热设计

功率半导体电流额定值和热设计
2023-12-07 14:36:27233

绝对最大额定值的含义 IGBT IPM的绝对最大额定值

绝对最大额定值的含义 IGBT IPM的绝对最大额定值 绝对最大额定值是指在任何工作条件下,设备允许的最大电压、电流功率以及温度等参数的界限值。IGBT IPM(Insulated Gate
2023-11-24 14:15:33368

英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310

扩展 IGBT7 产品组合,实现bast-in-Class功率密度

技术的产品系列,其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合,重点如下:1.采用TO-247PLUS封装可实现高功率密度,可用于商用车和农用车(CAV)
2023-12-11 17:31:13196

英飞凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升变频器系统性能(上)

的可能性大幅降低。在功率模块中,IGBT和二极管的出色性能可带来更高的电流密度和更大的输出电流。不仅如此,通过将功率模块的最高结温提升到175 °C,输出电流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:50233

意法半导体推出新型功率MOSFET和IGBT栅极驱动器

意法半导体(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求
2024-03-12 10:54:43224

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574

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