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电子发烧友网>今日头条>实现更高电源功率密度的 3 种方法

实现更高电源功率密度的 3 种方法

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2025-04-09 15:02:01

强强联合!兆易创新与纳微半导体达成战略合作,打造智能、高效、高功率密度的数字电源解决方案

,打造智能、高效、高功率密度的数字电源产品,并配合兆易创新的全产业链的管理能力与纳微对系统应用的深刻理解,加速在AI数据中心、光伏逆变器、储能、充电桩和电动汽车商业化布局。作为战略合作的重要组成部分,兆易创新还将与纳微半导体携手共建联合
2025-04-09 09:30:43736

先进碳化硅功率半导体封装:技术突破与行业变革

,对封装技术提出全新要求。先进的封装技术能够充分发挥碳化硅器件的优势,提升功率模块的性能与可靠性,推动电力电子系统向更高效率、更高功率密度方向发展。
2025-04-08 11:40:331493

功率密度是竞品10倍以上!这款48V电源模块实现断崖式领先​

电子发烧友网报道(文 / 吴子鹏)随着汽车电动化、智能化进程的加速,48V电源系统在汽车领域已从技术探索阶段步入大规模应用阶段。48V系统通过提升电压来降低电流,有效减少了线缆损耗,同时支持更高
2025-04-02 01:12:003533

英飞凌推出用于超高功率密度设计的全新E型XDP混合反激控制器IC

:IFNNY)又推出E型混合反激控制器系列。专为高性能应用设计的全新XDP混合反激数字控制器系列,采用先进的不对称半桥(AHB)拓扑结构,将反激转换器的简易性和谐振转换器的效率相结合,从而实现功率密度设计。因此,该控制器系列适用于各类AC/DC应用,包括二级市场和原厂充电器、
2025-03-28 16:42:13762

Vicor推出DCM3717和DCM3735 DC-DC电源模块

Vicor 全新推出的DCM3717 和 DCM3735 DC-DC 电源模块支持以 48V为中心的供电网络(PDN)增长趋势,与 12V 供电网络相比,48V PDN 提供更高电源系统效率和功率密度而且重量更轻。
2025-03-28 11:14:091383

一种分段气隙的CLLC变换器平面变压器设计

,变压器的制作方法有两种,一是采用分立磁芯,二是采用一只磁芯,前者不利于功率密度的提升,同时寄生参数和成本较高。为了保证变换器的性能,因此采用平面变压器,将在一个磁性上实现磁集成。 软磁铁氧体的平面磁芯
2025-03-27 13:57:27

英飞凌推出新一代高功率密度功率模块,赋能AI数据中心垂直供电

【2025年3月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)宣布推出新一代高密度功率模块,该模块将在实现AI
2025-03-19 16:53:22737

CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE

及高效率需求的应用而设计。CAB450M12XM3在电动汽车充电站、不间断电源系统(UPS)以及牵引驱动系统等领域展现出了卓越的性能。 主要特性 极致功率密度:得益于SiC技术
2025-03-17 09:59:21

TDK推出全新FS160系列microPOL电源模块

TDK公司宣布推出全新FS160*系列microPOL(uPOL)电源模块。FS160*系列uPOL直流-直流转换器全部配备全遥测技术,具有更高的性能、最小的尺寸以及不同于一般的功率密度等优点。该系列产品现已开始量产。
2025-03-12 16:12:061477

纳微助力长城电源打造超高功率密度模块电源,掀起AI数据中心“芯”革命

️™氮化镓功率芯片 进入长城电源供应链 ,成功助力其打造 AI数据中心专用的超高功率密度2.5kW模块电源。 AI的迅猛发展对数据中心提出了更高的算力要求,为了容纳更多的GPUs进行计算,400V独立机柜的架构将成为数据中心的全新发展趋势。小体积、高效率、更独立的模块电源将释放出宝
2025-03-12 11:02:36726

氮化镓(GaN)充电头安规问题及解决方案

器件的性能,使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破,成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势:1.体积更小,功率密度更高材料特性:GaN的电子迁移率比硅
2025-02-27 07:20:334534

法拉电容具有高能量密度和高功率密度的特点,广泛应用于以下领域

法拉电容具有高能量密度和高功率密度的特点,广泛应用于以下领域:1.电子设备:法拉电容可用于移动设备、电子手表、智能手机等电子产品中,用于储存短时间内需要大量能量供应的场景,如高峰电流要求的充电和放电
2025-02-26 13:28:531028

氮化硼散热材料大幅度提升氮化镓快充效能

器件的性能,使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破,成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势:1.体积更小,功率密度更高材料特性:GaN的电子迁移率比硅
2025-02-26 04:26:491183

PMP41017 采用 GaN 和 C2000™ MCU 的 3kW 两相交错式半桥LLC参考设计

/ in³ 的功率密度,并可用作公共冗余电源 (CRPS) 服务器电源的输出级,用于评估两个并联 LLC 级的控制方法,例如交错和电流平衡。
2025-02-25 11:20:511544

PMP23146:45W高功率密度有源箝位反激式GaN参考设计用于服务器辅助电源

此参考设计是基于 GaN 的 45W 有源钳位反激式 (ACF),旨在实现最大功率密度。该电源旨在为服务器和电信电源单元 (PSU) 提供辅助电源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610
2025-02-24 16:03:03872

安森美EliteSiC MOSFET技术解析

,有助于实现功率密度设计、减少散热、提高能效,并减轻电源转换器的重量。其独特的材料特性可以减少开关和导通损耗。与 Si MOSFET 相比,SiC 器件的电介质击穿强度更高、能量带隙更宽且热导率更优,有利于开发更紧凑、更高效的电源转换器。
2025-02-20 10:08:051344

DLP9500UV在波长为370nm脉冲激光下的DMD的峰值功率密度是多少?

请问在波长为370nm脉冲激光下的DMD的峰值功率密度是多少?如何查看?
2025-02-20 07:49:07

瑞丰光电推出金刚石基超大功率密度封装

的应用开拓了更多可能性。 金刚石基板工艺是瑞丰光电此次创新的核心所在。该工艺利用金刚石的卓越热导性能,有效提升了封装产品的散热效率,从而实现更高功率密度的封装。这一技术突破使得瑞丰光电的大功率封装新品在性能上远
2025-02-19 14:44:211078

Microchip MSCSM120AM027D3AG是一款应用广泛的功率模块

稳定运行,并实现高效率的能量转换,适用于各种高效率和高功率密度的应用,例如焊接电源、开关电源、不间断电源和电动汽车电机和牵引驱动。 型号规格品牌:Mic
2025-02-14 11:06:50

GaN技术:颠覆传统硅基,引领科技新纪元

在开关模式电源中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度电源。本文讨论了该技术的准备情况,提到了所面临的挑战,并展望了 GaN 作为硅的替代方案在开关模式电源
2025-02-11 13:44:551178

金升阳发布超小体积高功率密度模块电源URB24xxLN-10/15WR3G系列

针对工业控制领域客户对小型化、高效率电源模块的迫切需求,金升阳公司近日推出了全新的URB24xxLN-10/15WR3G系列DC/DC模块电源。该系列产品凭借超小的体积和高功率密度设计,成为市场上
2025-02-06 10:59:491264

帝奥微发布新一代高功率密度DPM610X系列DCDC降压电源模块

帝奥微近期推出了其最新的DPM610X系列DCDC降压电源模块,标志着高可靠性、高功率密度电源解决方案的新里程碑。该系列包括1A和3A两种输出电流规格,分别为DPM6101和DPM6103,专为满足
2025-02-06 09:15:351110

本土Tier1推出GaN OBC:单级拓扑、6.1kW/L功率密度、98%峰值效率

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近期GaN在OBC上的应用方案开始陆续推出市场, 在一 月初,阳光电动力推出了一款全新的二合一OBC方案,采用GaN器件以及单级拓扑架构,实现了超高功率密度和高充电效率
2025-02-05 07:55:0011358

功率器件热设计基础(十三)——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热
2025-01-20 17:33:501975

金升阳推出全新DC/DC超小体积工业电源模块

针对工业控制领域众多客户对小体积、高功率密度电源产品的共性需求,金升阳新推出10/15W DC/DC超小体积工业电源模块——URB24xxLN-10/15WR3G。
2025-01-17 17:16:081483

功率器件热设计基础(十二)——功率半导体器件的PCB设计

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热
2025-01-13 17:36:111819

功率器件热设计基础(十一)——功率半导体器件的功率端子

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热
2025-01-06 17:05:481328

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