新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7
新品
1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7
8-120A 1200V的TRENCHSTOP IGBT7 S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列
产品型号：
IGQ120N120S7
IGQ100N120S7
IGQ75N120S7
IKQ120N120CS7
IKQ75N120CS7
IKZA40N120CS7
8-120A 1200V的TRENCHSTOP IGBT7 S7，TO-247封装分立器件，配EC7续流二极管。它具有低饱和压降VCEsat，以实现目标应用中非常低的导通损耗。
续流二极管EC7是特性非常软的二极管，有助于最大限度地减少开关损耗，从而实现整体的低总损耗。
产品特点
非常低饱和压降VCEsat=2V (VGE=15V,Ic nom, Tvj=175◦C)
良好的可控性
软特性优化的全额定电流的续流二极管
对恶劣条件鲁棒性和HV-H3TRB
短路时间为8µs
非常窄的参数分布
最大工作Tj为175°C
特性图
动态特性和静态特性
应用价值
IGBT的损耗最低，系统效率高，可实现更高的功率输出
更高的功率密度，无需重新设计散热器
可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列
在恶劣的工作条件下，器件可靠性高
易于设计以满足EMI要求高可靠性和耐久性
竞争优势
用于工业驱动应用的最佳芯片技术和产品
总损耗较低产品，从8A到120A的额定电流
生产中非常窄的参数分布，以保证英飞凌的质量标准
抗湿度坚固性
英飞凌是功率半导体领域的佼佼者，拥有世界一流的前道和后道能力
世界级的生产、质量和业务连续性支持
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
IGBT
+关注
关注
1286文章
4263浏览量
260483 -
分立器件
+关注
关注
5文章
252浏览量
22226
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
钡铼技术BL118 Node-Red边缘计算网关西门子PLC S7协议使用方法
一、概述 node-red-contrib-s7用于与 Siemens S7 PLC 交互的 Node-RED 节点。S7读数据 S7写数据 S7
1200V-23mΩ SiC FET（UF4SC120023B7S）：高性能功率开关的新选择
在电子工程师的日常工作中，选择合适的功率开关器件至关重要。今天，我们要深入探讨一款名为UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC FET，看看它能为我们的设计带来哪些惊喜。
Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7电源模块 提供高功率密度并简化系统集成
推出全新DualPack 3（DP3）系列电源模块。该系列模块采用先进IGBT7技术，提供1200V和1700V两种电压等级的六款产品，额定电流范围300–900A，旨在满足市场对紧凑、经济高效且简化的电源转换器解决方案的日益增
天拓四方分享：什么事S7-1200 G2++？
中国市场动态，致力于满足广大用户的多样化需求。基于此，西门子在 S7-1200 G2 的基础上，精心打造了增强型 PLC——S7-1200 G2++。此次推出的型号包含 S7 - 1216 及
新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块
CoolSiCMOSFET技术1200V、17mΩ，配备NTC和PressFIT压接技术。另一个模块基于TRENCHSTOPIGBT7技术1200V、100A，配备
西门子S7 PLC通过深控技术无点表工业网关实现数据采集与智能决策方案
深控技术“不需要点表的工业数采网关”针对西门子S7系列PLC（包括S7-300、S7-400、S7-1200、S7-1500等）的兼容性设计
新品 | 储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
新品储能用1200V500ANPC2三电平IGBTEasyPACK3B模块1200V500ANPC2三电平模块，采用EasyPACK3B封装和最新开发的1200VTRENCHSTOPIGBTH
闻泰科技推出车规级1200V SiC MOSFET
，闻泰科技半导体业务近期推出领先行业的D2PAK-7封装车规级1200V SiC MOSFET，为电动汽车行业注入强劲新动能。
新品 | EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块
新品EasyDUAL1B和2B，1200V共发射极IGBT模块EasyDUAL1B，2B1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT
龙腾半导体推出1200V 50A IGBT
在功率器件快速发展的当下，如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖，成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，专为高频应用场景设计。依托先进工艺平台与系
新品 | 半桥1200V CoolSiC™ MOSFET EconoDUAL™ 3模块
新品半桥1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模块采用EconoDUAL3封装的1200V/1.4mΩ半桥模块。芯片为SiCMOSFETM1H增强型1代、集成NTC温度传感器
英飞凌IGBT7系列芯片大解析
，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micropatterntrench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且
新品速递 英飞凌、ST等新品速览
涵盖工业驱动器和工具的芯片应用、电动汽车( EV )车载充电器和电机芯片应用、发电和储能系统芯片应用等。 01 | 英飞凌：可实现高开关频率应用的IGBT芯片 英飞凌近期发布Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H
工商网监
评论