0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL™ 3 IGBT7 模块

英飞凌工业半导体 2024-08-13 08:14 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

新品

900A 1700V Wave基板的EconoDUAL 3 IGBT7模块

097cc35e-5909-11ef-817b-92fbcf53809c.png

EconoDUAL 3 FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪结构,针对开放式液冷散热器应用进行了优化,以实现更高的功率密度和更长的使用寿命。目前的EconoDUAL 3 Wave产品组合新增了1700V电压等级的900A模块。

产品型号:

FF900R17ME7W_B11

900A 1700V EconoDUAL 3 Wave

产品特点

底板上的波浪Wave结构

最高功率密度

同类最佳的VCEsat

Tvjop=175°C过载

集成NTC温度传感器

应用价值

针对直接液冷散热器进行了优化

相同框架尺寸下逆变器输出电流更大

避免并联IGBT模块

通过简化逆变器系统降低系统成本

竞争优势

EconoDUAL 3 Wave对液体直接冷却散热器进行了优化,使其能够实现:

由于冷却效果更好,使用寿命最多可提高6倍

或在相同使用寿命条件下,输出电流最多可增加30%

应用领域

CAV

风力发电

驱动器

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 模块
    +关注

    关注

    7

    文章

    2822

    浏览量

    52817
  • 散热器
    +关注

    关注

    2

    文章

    1128

    浏览量

    39431
  • IGBT
    +关注

    关注

    1287

    文章

    4269

    浏览量

    260596
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    英飞凌EconoDUAL3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模块荣获2025全球电子成就奖

    11月25日,英飞凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模块荣获2025年全球电子成就奖(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半导体
    的头像 发表于 11-26 09:32 414次阅读
    英飞凌<b class='flag-5'>EconoDUAL</b>™ <b class='flag-5'>3</b> CoolSiC™ MOSFET 1200<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>模块</b>荣获2025全球电子成就奖

    Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7电源模块 提供高功率密度并简化系统集成

    推出全新DualPack 3(DP3)系列电源模块。该系列模块采用先进IGBT7技术,提供1200V
    的头像 发表于 09-17 15:45 834次阅读

    新品 | EconoDUAL3 IGBT 7 1700V 900A半桥模块带EC8二极管

    新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半桥模块带EC8二极管通过EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半桥模块
    的头像 发表于 08-04 18:10 1851次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>EconoDUAL</b>™ <b class='flag-5'>3</b> <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>7</b> <b class='flag-5'>1700V</b> <b class='flag-5'>900A</b>半桥<b class='flag-5'>模块</b>带EC8二极管

    1700V EconoDUAL3 IGBT7助力690V变频器扩容提频

    变频器重要的细分产品,690V变频器主要应用于冶金、石油、造纸、港口大型起重设备和船舶等领域。英飞凌上一代的1700VEconoDUAL3IGBT4模块已经在69
    的头像 发表于 07-30 17:30 984次阅读
    <b class='flag-5'>1700V</b> <b class='flag-5'>EconoDUAL</b>™ <b class='flag-5'>3</b> <b class='flag-5'>IGBT7</b>助力690<b class='flag-5'>V</b>变频器扩容提频

    两款国产1700V SiC MOSFET在逆变器/变流器辅助电源设计中广受欢迎

    两款国产1700V SiC MOSFET在逆变器/变流器辅助电源设计中广受欢迎
    的头像 发表于 07-23 18:10 966次阅读
    两款国产<b class='flag-5'>1700V</b> SiC MOSFET在逆变器/变流器辅助电源设计中广受欢迎

    新品 | 英飞凌EconoDUAL3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

    新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半桥
    的头像 发表于 06-10 17:06 1220次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 英飞凌<b class='flag-5'>EconoDUAL</b>™ <b class='flag-5'>3</b> CoolSiC™ SiC MOSFET 1200<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>模块</b>

    新品 | 储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块

    新品储能用1200V500ANPC2三电平IGBTEasyPACK3B模块1200V500ANPC2三电平
    的头像 发表于 05-16 17:08 759次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 储能用1200<b class='flag-5'>V</b> 500<b class='flag-5'>A</b> NPC2 三电平<b class='flag-5'>IGBT</b> EasyPACK™ <b class='flag-5'>3</b>B<b class='flag-5'>模块</b>

    新品 | 半桥1200V CoolSiC™ MOSFET EconoDUAL3模块

    新品半桥1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模块采用EconoDUAL3封装的1200V/1.4mΩ半桥
    的头像 发表于 04-17 17:05 736次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 半桥1200<b class='flag-5'>V</b> CoolSiC™ MOSFET <b class='flag-5'>EconoDUAL</b>™ <b class='flag-5'>3</b><b class='flag-5'>模块</b>

    新品 | IGBT 7 EconoDUAL3系列拓展带焊接针产品

    新品TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3产品系列拓展英飞凌在此发布TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3系列产品拓展,带焊接针和带预涂导热材料版本(TIM)。产品型号
    的头像 发表于 04-09 17:06 735次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>7</b> <b class='flag-5'>EconoDUAL</b>™ <b class='flag-5'>3</b>系列拓展带焊接针产品

    新品 | 采用EconoDUAL3的250kW eCAV主驱功率单元

    900A1200VEconoDual3IGBT7功率模块、安装在功率模块上的三个独立栅极驱动器板(采用1ED3321MC12NEiceDRIVER栅极驱动器和电流扩展电路)、安装在逆变器
    的头像 发表于 03-12 19:03 770次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用<b class='flag-5'>EconoDUAL</b>™ <b class='flag-5'>3</b>的250kW eCAV主驱功率单元

    SemiQ发布1700V SiC MOSFET新品

    近日,全球碳化硅(SiC)功率半导体领域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款专为中压大功率转换应用而设计的1700V SiC MOSFET系列新品。此次发布的QSiC™ 1700V高速平面
    的头像 发表于 01-23 15:46 894次阅读

    高电流密度IGBT模块LE2 200A/650V介绍

    JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块,采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片,带热敏电阻(NTC)和可选
    的头像 发表于 01-16 14:16 1059次阅读

    英飞凌IGBT7系列芯片大解析

    ,英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽(micropatterntrench)技术,沟道密度更高,元胞间距也经过精心设计,并且
    的头像 发表于 01-15 18:05 2117次阅读
    英飞凌<b class='flag-5'>IGBT7</b>系列芯片大解析

    远山半导体1700V GaN器件的特性测试方案

    (PSJ: Polarization Super Junction)技术,并对工艺进行进一步优化,使器件的额定工作电压和工作电流得到更大的提升(1700V/30A)。
    的头像 发表于 01-14 09:42 1836次阅读
    远山半导体<b class='flag-5'>1700V</b> GaN器件的特性测试方案

    MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

    东芝两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A
    的头像 发表于 12-17 15:43 605次阅读
    MG400<b class='flag-5'>V2YMS31700V</b>碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>模块</b>,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备