华润微电子重磅推出第五代SGT MOSFET产品CRSZ014N08N5Z

随着新能源汽车与储能系统对电池性能要求的不断提高，电池系统正朝着更高电压、更大容量和更高能量密度的方向演进。这要求其核心部件——电池管理系统（BMS）必须具备更高精度、更强监控能力和更高安全等级，以持续满足市场对电池续航、寿命与安全性的严苛需求。据相关机构预测，到2027年全球BMS市场规模有望突破千亿元，成为能源变革中的关键增长领域。瞄准这一高速增长的市场领域，华润微电子功率集成事业群（PIBG）重磅推出第五代SGT MOSFET——CRSZ014N08N5Z，为全球BMS市场带来突破性的技术升级和产品体验。

△产品封装外形：TOLL

1产品简介

PIBG推出的CRSZ014N08N5Z，是公司第5代SGT技术平台的最新成果，其综合性能大幅提升。相较于上一代产品，CRSZ014N08N5Z在SOA以及UIS等关键指标上提升显著，能够为BMS应用提供更安全、更可靠的解决方案。

2产品优势

1.性能提升显著

实测参数对标：与业界主流产品（最大导通电阻约为1.4mΩ规格）相比，CRSZ014N08N5Z的实测R DS （on）最低。其VTH典型值3.1V，既兼顾了稳态开通时，沟道全打开低RDS（on）的要求，又可以在关断时获得更快的关断阈值。

△直流参数测试

SOA特性：在BMS主回路保护与功率控制场景下，MOSFET的SOA特性是其安全可靠工作的关键性因素。为满足系统安全稳定运行需求，PIBG基于第5代SGT技术平台，对MOSFET的SOA特性进行严格界定与优化。

实测对比波形显示，在相同的Roff条件下模拟BMS应用慢关断能力，CRSZ014N08N5Z的短路电流冲击能力较上一代产品显著提升，使BMS应对极端情况时优势突出。

△第5代CRSZ014N08N5Z实测SOA特性

△上一代 CRSZ014N08N4Z实测SOA特性

△CRSZ014N08N5Z与上一代CRSZ014N08N4Z实测SOA特性数据

UIS能力：CRSZ014N08N5Z与上一代CRSZ014N08N4Z 的UIS能力实测数据如下：

△第5代CRSZ014N08N5Z实测UIS波形

△上一代CRSZ014N08N4Z实测UIS波形

在大幅优化Rsp的基础上，PIBG通过创新的产品设计与结构优化，显著提升了第五代SGT MOSFET的SOA、UIS等关键性能。这使其在BMS应用中不仅具备更高的可靠性，还实现了更优的成本控制，从而为客户提供了极具竞争力的高性价比解决方案。

应用测试：在17串三元锂电池组的120A BMS保护板实测中，产品能够满足极端工况下的应用需求。

2.技术亮点

先进12吋fab低压极小线宽工艺；

Super SOA Ruggedness；

Rsp值已达到行业领先水平。

3产品应用

PIBG的第5代SGT MOS产品CRSZ014N08N5Z可广泛应用于各类BMS应用领域，如家储及户储等多种储能系统，两轮及三轮车电池系统等，已实现向多家BMS领域头部企业批量供货。

4新品列表

5展望未来

PIBG持续进行技术创新和产品迭代升级，致力于为BMS领域提供更高效、更可靠的解决方案，将于近期推出一系列创新产品，敬请期待！

第五代250V SGT MOSFET ：面向高串数、高电压市场需求，PIBG开发了第五代250V产品CRST187N25N5Z，已通过1000H三批量可靠性认证。现已衍生出TO-247&TO-263&TOLL等封装形式的新产品。

STOLL封装系列产品：面向汽车OBC应用需求，PIBG开发了第五代100V车规级产品CRSZS025N10N5Q。该产品优化了闩锁能力，满足AEC-Q101标准，赋能OBC实现高效可靠运行。