0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

新洁能150V宽SOA SGT MOSFET产品介绍

无锡新洁能股份有限公司 来源:无锡新洁能股份有限公司 2026-03-13 10:05 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

宽SOA(安全工作区)MOSFET广泛应用于热插拔、电池保护、驱动管等应用场景,随着近年来电动汽车、数据中心、激光等领域的兴起,表现出蓬勃的市场需求。新洁能推出150V SGT 新品 NCEP15LT14T,通过优化器件结构,有效降低器件零温度系数点(ZTC),显著拓宽SOA,同时兼顾低导通电阻和强短路能力特点,助力高可靠性、高性能系统的搭建。

核心优势

1、更低零温度系数点(ZTC)

零温度系数点(ZTC)代表器件温度系数为0时的工作状态,当器件工作状态在ZTC以上时,为正温度系数区,局部温升会抑制电流集中,即局部电流随着温度增加而减小,此时热稳定性较强;当工作状态在ZTC以下时,为负温度系数区,局部温升会促进电流进一步集中,即局部电流随着温度增加而增大,器件热稳定性较弱。ZTC低意味着正温度系数区域更大,器件可以在更低的VGS电压以及更低的IDS电流条件下进入热稳定状态,更适合工作在线性模式。下图为宽SOA产品NCEP15LT14T与通用平台NCEP15T14T零温度系数点测试对比。测试结果表明,得益于器件结构的优化,NCEP15LT14T的零温度系数点显著低于NCEP15T14T。

7b55ac98-1d2a-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

零温度系数测试结果(图中IDS电流受限于测试设备电流)

2、超宽安全工作区(SOA)

宽SOA新品NCEP15LT14T与通用平台NCEP15T14T SOA热不稳定性图实测对比如下。1ms脉宽条件下,在VDS=40V时,NCEP15LT14T最大电流为97.5A,相较NCE15T14T最大电流51.1A,提升至1.91倍;并且随着VDS增大,最大电流提升幅度增加。结果表明,NCEP15LT14T有效地拓宽了SOA热不稳定限制部分的区域,相较通用平台产品更适合工作于线性模式。

7bb23ce2-1d2a-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

热不稳定性SOA测试结果

7c0b3e64-1d2a-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

测试平台

3、强短路能力

宽SOA新品NCEP15LT14T与通用平台NCEP15T14T一类短路测试对比如下:

1)当测试条件为VDD=120V、VGS=10V时,NCEP15LT14T短路时间为32us,相比NCEP15T14T 3us提升至10.6倍。

2)当测试条件为VDD=120V、VGS=15V时,NCEP15LT14T短路时间为4us,相比NCEP15T14T 2us提升至2倍。

测试结果表明,NCEP15LT14T的一类短路能力相较于NCEP15T14T有显著提升。

7c624ed4-1d2a-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

VGS分别10V、15V时一类短路测试波形

7cc256b2-1d2a-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

一类短路测试结果

产品基本特性

宽SOA新品NCEP15LT14T 基本电性参数如下:

7d71d9fc-1d2a-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

应用场景

1、工业电源:激光电源、UPS系统

2、电动汽车:汽车空调风量控制器、车载充电器

3、储能:BMS系统

4、通信/服务器:热插拔

命名规则

针对不同场景的应用,新洁能推出不同系列的产品,NCEP15LT14T中的L代表该产品属于宽SOA系列,针对Linear mode应用进行特殊设计优化,若此处无字母,则代表通用平台系列。

7e767236-1d2a-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    151

    文章

    10745

    浏览量

    234827
  • 热插拔
    +关注

    关注

    2

    文章

    274

    浏览量

    41254
  • SOA
    SOA
    +关注

    关注

    1

    文章

    329

    浏览量

    29333
  • 新洁能
    +关注

    关注

    0

    文章

    38

    浏览量

    3380

原文标题:新洁能 150V 宽 SOA SGT MOSFET 产品介绍

文章出处:【微信号:NcePower,微信公众号:无锡新洁能股份有限公司】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    250V超快反向恢复SGT MOSFET产品介绍

    高性能、高可靠性的进一步发展。新推出具有超快反向恢复特性的250V SGT 功率MOSFET NCEP025S90T,相比上代
    的头像 发表于 01-22 14:54 5358次阅读
    新<b class='flag-5'>洁</b><b class='flag-5'>能</b>250<b class='flag-5'>V</b>超快反向恢复<b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>产品</b><b class='flag-5'>介绍</b>

    IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷

    IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出一系列150V和200
    发表于 08-18 12:00 1754次阅读

    快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力

    快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
    发表于 03-20 11:56 2次下载
    快速 <b class='flag-5'>150V</b> 高压侧 N 沟道 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 驱动器 提供 100% 占空比能力

    美格纳发布第8代150V MXT MV MOSFET

    MOSFET,是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。 在大功率设备中,能源效率对于降低功耗和确保稳定性至关重要。利用美格纳尖端的沟槽式
    的头像 发表于 10-12 17:15 2456次阅读

    安建半导体推出全新150V SGT MOSFET产品平台

    安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台,平台采用先进的技术和设计,提供了卓越的开关特性和低导通电阻,从而实现了高效的能源转换和低能耗操作,不仅可
    的头像 发表于 01-23 13:36 1959次阅读
    安建半导体推出全新<b class='flag-5'>150V</b> <b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>产品</b>平台

    强茂推出最新的60V、100V150V车规级MOSFET

    强茂推出最新的60V、100V150V车规级MOSFET,此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。
    的头像 发表于 05-23 11:42 2467次阅读
    强茂推出最新的60<b class='flag-5'>V</b>、100<b class='flag-5'>V</b>和<b class='flag-5'>150V</b>车规级<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品介绍

    150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术,特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)相对上一代降低43.8%,具备更高的电流密度和功率密度。同时
    的头像 发表于 08-15 16:36 1962次阅读
    新<b class='flag-5'>洁</b><b class='flag-5'>能</b><b class='flag-5'>150V</b> Gen.3 <b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列<b class='flag-5'>产品</b><b class='flag-5'>介绍</b>

    30-250V N-Channel SGT-I MOSFET产品列表

    30-250V N-Channel SGT-I MOSFET产品是基于传统沟槽式
    的头像 发表于 11-30 09:18 1775次阅读

    上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品介绍

    上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列
    的头像 发表于 01-03 10:19 2599次阅读
    上海贝岭<b class='flag-5'>150V</b> <b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列<b class='flag-5'>产品</b><b class='flag-5'>介绍</b>

    推出HO系列MOSFET产品

    随着市场对高性能功率半导体器件SOA MOSFET需求的日益增长,新(NCE)产品研发部门
    的头像 发表于 03-04 14:40 1648次阅读
    新<b class='flag-5'>洁</b><b class='flag-5'>能</b>推出HO系列<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>产品</b>

    扬杰科技N60V SGT MOSFET产品介绍

    扬杰科技于2024年推出了一系列用于汽车电子的N60V SGT MOSFET产品采用特殊优化的SGT技术,具有较低的导通电阻Rdson和栅
    的头像 发表于 04-01 10:39 1358次阅读
    扬杰科技N60<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>产品</b><b class='flag-5'>介绍</b>

    推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品

    作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一,新始终致力于功率半导体核心技术的突破,其研发团队持续创新,正式推出第三代SGT产品Gen.
    的头像 发表于 06-11 08:59 3289次阅读
    新<b class='flag-5'>洁</b><b class='flag-5'>能</b>推出第三代40<b class='flag-5'>V</b> Gen.3 <b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列<b class='flag-5'>产品</b>

    ZK150G002TP:SGT技术赋150V高压大电流MOSFET标杆

    在工业控制、新能源发电、电力电子等高压大电流应用场景中,MOSFET的性能直接决定了整个系统的效率、可靠性与功率密度。ZK150G002TP作为一款搭载屏蔽栅(SGT)技术的N沟道MOSFET
    的头像 发表于 10-31 11:03 472次阅读
    ZK<b class='flag-5'>150</b>G002TP:<b class='flag-5'>SGT</b>技术赋<b class='flag-5'>能</b>的<b class='flag-5'>150V</b>高压大电流<b class='flag-5'>MOSFET</b>标杆

    ZK150G002B:SGT工艺赋的中压大电流MOSFET技术解析

    ZK150G002B,以150V耐压、200A电流、TO-220封装及SGT(屏蔽栅沟槽)工艺为核心标签,构建起“高压耐受、大流低耗”的性能特征,成为中压大电流场景下功率控制的
    的头像 发表于 11-04 15:20 756次阅读
    ZK<b class='flag-5'>150</b>G002B:<b class='flag-5'>SGT</b>工艺赋<b class='flag-5'>能</b>的中压大电流<b class='flag-5'>MOSFET</b>技术解析

    龙腾半导体推出新一代150V G3平台SGT MOSFET产品LSGT15R032

    新一代 150V G3平台屏蔽栅沟槽(SGTMOSFET产品— LSGT15R032。该产品凭借3.25mΩ的超低导通电阻与279A的强大
    的头像 发表于 12-29 10:18 2343次阅读
    龙腾半导体推出新一代<b class='flag-5'>150V</b> G3平台<b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>产品</b>LSGT15R032