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BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技术是将双极型晶体管、CMOS(互补金属氧化物半导体)和DMOS(双扩散金属氧化物半导体)晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。...
随着芯片在算速与算力上的需求同步提升,当前高速信号传输、优化散热性能、实现更小型化的封装、降低成本、提高可靠性以及实现芯片堆叠等已成为封装领域的新追求。...
1950年发明,早期模拟电路广泛使用BIPOLAR工艺,BIPOALR工艺可以做到非常低的漏电,非常低的噪声,但是BIPOLAR最大问题是实现数字电路比较困难,或者占用面积较大。...
衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片,衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件,也可以进行外延工艺加工生产外延片。...
在曝光过程中,掩模版与涂覆有光刻胶的硅片直接接触。接触式光刻机的缩放比为1:1,分辨率可达到4-5微米。由于掩模和光刻胶膜层反复接触和分离,随着曝光次数的增加,会引起掩模版和光刻胶膜层损坏、芯片良率下降等不良后果。...
集成电路制造关键装备要求零部件材料具有高纯度、高致密度、高强度、高弹性模量、高导热系数和低热膨胀系数等特点,且且结构件要具有极高的尺寸精度和结构复杂性,以保证设备实现超精密运动和控制。...
利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用。...
2.5/3D-IC封装是一种用于半导体封装的先进芯片堆叠技术,它能够把逻辑、存储、模拟、射频和微机电系统 (MEMS)集成到一起,是未来封装的发展方向。...
现在对 2 个晶圆进行处理,为粘合做好准备。它们经过 N2 等离子体处理以激活表面。等离子处理改变了表面的特性,以增加表面能并使其更加亲水。...
基于热压键合(TCB)工艺的微泵技术已经比较成熟,在各种产品中都一直在用。其技术路线在于不断扩大凸点间距。...
半导体工艺主要是应用微细加工技术、膜技术,把芯片及其他要素在各个区域中充分连接,如:基板、框架等区域中,有利于引出接线端子,通过可塑性绝缘介质后灌封固定,使其形成一个整体,以立体结构方式呈现,最终形成半导体封装工艺。...
在封装史上,最后一次重大范式转变是从引线键合到倒装芯片。从那时起,更先进的封装形式(例如晶圆级扇出和 TCB)一直是相同核心原理的渐进式改进。...
先进封装开辟了 More-than-Moore的集成电路发展路线,能够在不缩小制程节点的背景下,仅通过改进封装方式就能提升芯片性能,还能够打破“存储墙”和“面积墙”。...
芯片上数据的输入和输出 (I/O) 是计算芯片的命脉。处理器必须与外部世界进行数据的发送和接收。摩尔定律使业界的晶体管密度大约每2年增加2倍,但 I/O数据的传输速率每4年才增加2倍,所以芯片需要容纳更多的通信或I/O点才能跟上晶体管密度的增加速度。...
通过信息化平台技术,实现以订单为中心,贯穿研发、销售、生产、采购、质量、财务等所有业务环节,形成数据闭环。提高运营数据协同效率,为管理决策提供及时与准确的管理报表。...
虽然表面缺陷检测技术已经不断从学术研究走向成熟的工业应用,但是依然有一些需要解决的问题。基于以上分析可以发现,由于芯片表面缺陷的独特性质,通用目标检测算法不适合直接应用于芯片表面缺陷检测任务,需要提出新的解决方法。...