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      电子发烧友网>新品快讯>微芯科技推出新款SST12LP17E和SST12LP18E器件

      微芯科技推出新款SST12LP17E和SST12LP18E器件

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      HMC513LP5/513LP5E采用SMT封装的VCO技术手册

      HMC513LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC513LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于
      2025-04-30 10:03:14760

      HMC512LP5/LP5E采用SMT封装的VCO技术手册

      HMC512LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC512LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于
      2025-04-30 09:42:59679

      HMC510LP5/510LP5E采用SMT封装的VCO技术手册

      HMC510LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC510LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于
      2025-04-30 09:28:03770

      HMC508LP5/508LP5E采用SMT封装的VCO技术手册

      HMC508LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC508LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构
      2025-04-30 09:19:39798

      HMC507LP5/507LP5E采用SMT封装的VCO技术手册

      HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构
      2025-04-29 18:09:54751

      HMC389LP4/389LP4E集成缓冲放大器的MMIC VCO SMT，3.35-3.55GHz技术手册

      HMC389LP4和HMC389LP4E是GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位
      2025-04-29 14:21:53761

      HMC699LP5/699LP5E 7GHz整数N分频频率合成器SMT技术手册

      HMC699LP5(E)是一款频率合成器，集成宽带极性可反转数字PFD和锁定检测输出。 该分频器工作范围为160 - 7000 MHz，连续整数分频比N为56至519，非连续分频比N为16至54
      2025-04-27 17:41:15778

      HMC698LP5/698LP5E 7GHz整数N分频频率合成器SMT技术手册

      HMC698LP5(E)是一款频率合成器，集成宽带极性可反转数字PFD和锁定检测输出。 该分频器的无条件工作范围为80 - 7000 MHz，连续整数分频比为12至259。由于高工作频率以及超低
      2025-04-27 17:09:35735

      HMC759LP3E 0.25dB LSB 7位数字衰减器，采用SMT封装，10-300MHz技术手册

      HMC759LP3E是一款7位BiCMOS数字衰减器，采用低成本无引脚SMT封装。 这款多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容，适合各种RF和IF应用。 控制接口兼容CMOS/TTL
      2025-04-24 16:35:45697

      HMC1044LP3E可编程谐波低通滤波器，1-3GHz 3dB带宽技术手册

      HMC1044LP3E是一款针对所有采用正交调制器和/或解调器应用的可编程带宽LPF（低通滤波器）。 HMC1044LP3E可滤除LO谐波，从而确保LO对调制器边带抑制或解调器镜像抑制性能的贡献非常小或为零。
      2025-04-23 10:48:44836

      HMC694LP4/694LP4E模拟可变增益放大器，采用SMT封装，6-17GHz技术手册

      HMC694LP4E是一款GaAs MMIC PHEMT模拟可变增益放大器，工作频率范围为6至17 GHz。 该放大器适合微波无线电应用，提供高达22 dB增益、+22 dBm输出P1dB、+30
      2025-04-21 11:41:44820

      HMC996LP4E模拟可变增益放大器，采用SMT封装，5-12GHz技术手册

      HMC996LP4E是一款GaAs PHEMT MMIC模拟可变增益放大器和/或驱动器放大器，工作频率范围为5至12 GHz。 该放大器提供高达18.5 dB增益、高达+23 dBm P1dB以及
      2025-04-19 15:22:59684

      HMC6187LP4E可变增益放大器，采用SMT封装，27-31.5GHz技术手册

      HMC6187LP4E是一款GaAs MMIC pHEMT模拟可变增益放大器和/或驱动器放大器，工作频率范围为27至31.5 GHz，适合用于微波无线电应用。 该放大器最高可提供19 dB增益
      2025-04-19 15:14:00813

      HMC942LP4E x2有源倍频器，25-31GHz输出技术手册

      HMC942LP4E是一款x2有源宽带倍频器，使用GaAs pHEMT技术，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17
      2025-04-18 14:47:04662

      HMC705LP4/HMC705LP4E 6.5GHz可编程分频器SMT技术手册

      HMC705LP4(E)是一款低噪声GaAs HBT可编程分频器，采用4x4 mm无引脚表贴封装。 该分频器可以通过编程设置为以N = 1到N = 17之间的任意数字进行分频（最高6.5 GHz
      2025-04-18 14:14:51916

      HMC695LP4/HMC695LP4E x4有源倍频器，11.4-13.2GHz输出技术手册

      、温度和电源电压变化很小。 相对于输出信号电平，无用基波和次谐波抑制大于25 dBc（典型值）。 100 kHz失调时，加性SSB相位噪声低至-140 dBc/Hz，可帮助用户保持良好的系统噪声性能。 HMC695LP4(E)非常适合LO乘法器链路，与传统方法相比可以减少器件数量。
      2025-04-18 14:07:00732

      HMC575LP4/575LP4E x2有源倍频器，采用SMT封装技术手册

      HMC575LP4(E)是一款x2有源宽带倍频器，使用GaAs PHEMT技术，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由3 dBm信号驱动时，该倍频器提供+17 dBm的典型输出功率，在6至9 GHz的频率下工作。 相对于输出信号电平，Fo和3Fo隔离为15 dBc。
      2025-04-18 11:19:41918

      HMC494LP3/494LP3E使用InGaP HBT技术，8分频，采用SMT封装技术手册

      HMC494LP3(E)是一款低噪声8分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用无引脚3x3 mm QFN表面贴装塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至18 GHz的输入频率下工
      2025-04-18 10:18:56734

      HMC493LP3/493LP3E使用InGaP HBT技术，4分频，采用SMT封装技术手册

      HMC493LP3(E)是一款低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用无引脚3x3 mm QFN表面贴装塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至18 GHz的输入频率下工
      2025-04-18 09:59:26838

      HMC492LP3/492LP3E InGaP HBT 2分频 SMT，DC-18GHz技术手册

      HMC492LP3（E） 是一款低噪声 2 分频静态分频器，采用 InGaP GaAs HBT 技术，采用无引脚 3x3 mm QFN 表面贴装塑料封装。该器件采用单个 +5V DC 电源，在 DC
      2025-04-18 09:48:50789

      HMC443LP4/443LP4E x4有源倍频器，采用SMT封装技术手册

      和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制>25 dBc（典型值）。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-142 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 HMC443LP4(E)非常适合在LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。
      2025-04-17 16:42:19796

      HMC370LP4/370LP4E x4有源倍频器SMT技术手册

      、温度和电源电压变化很小。 相对于输入信号电平，无用基波和次谐波抑制大于22 dBc（典型值）。 100 kHz失调时，加性SSB相位噪声低至-140 dBc/Hz，可帮助用户保持良好的系统噪声性能。 HMC370LP4(E)非常适合LO倍频器链路，与传统方法相比可以减少器件数量。
      2025-04-17 11:30:11775

      HMC368LP4/368LP4E x2有源倍频器SMT技术手册

      的典型输出功率。 Fo和3Fo隔离为18 dB（典型值）。 100 kHz失调时，加性SSB相位噪声低至-140 dBc/Hz，可帮助用户保持良好的系统噪声性能。 HMC368LP4(E)非常适合LO倍频器链路，与传统方法相比可以减少器件数量。
      2025-04-17 11:15:55836

      HMC631LP3/631LP3E HBT矢量调制器，采用SMT封装技术手册

      HMC631LP3和HMC631LP3E均为高动态范围矢量调制器RFIC，可用于RF预失真和前馈消除电路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正电路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用来连续
      2025-04-09 11:22:37859

      HMC630LP3/630LP3E HBT矢量调制器，采用SMT封装技术手册

      HMC630LP3和HMC630LP3E均为高动态范围矢量调制器RFIC，可用于RF预失真和前馈消除电路以及RF波束成形和幅度/相位校正电路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用来连续改变RF
      2025-04-09 11:16:06911

      HMC500LP3/500LP3E HBT矢量调制器，采用SMT封装技术手册

      HMC500LP3(E)是一款高动态范围的矢量调制器RFIC，用于RF预失真和前馈消除电路，以及RF消除和波束成形幅度/相位校正电路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口，持续改变RF信号
      2025-04-09 10:55:15826

      HMC1133LP5E GaAs MMIC 6位数字移相器，4.8-6.2GHz技术手册

      HMC1133LP5E是一款6位数字移相器，额定频率范围为4.0至7 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC1133LP5E在所有相态具有2.8度的极低RMS相位误差及±0.4
      2025-04-09 09:52:51740

      HMC967LP4E I/Q下变频器，采用SMT封装技术手册

      HMC967LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB的小信号转换增益、2.5 dB的噪声系数，并在频段范围内提供25
      2025-04-02 16:10:21841

      12V1A隔离电源芯片LP3669CS

      深圳市三佛科技有限公司供应12V1A隔离电源芯片LP3669CS，原装现货 型号：LP3669CS 品牌：芯茂微 封装：SOP7L VCC电源电压：-0.3 ~7 V 待机功耗：/ 工作结温范围
      2025-04-02 15:34:13

      5V0.2A烟雾传感器电源芯LP2178A

      300ma） 芯茂微一级代理 原装现货，技术支持，价格优势 LP2178A产品介绍： LP2178A 是一款高效率高精度的非隔离降压开关电源恒压控制驱动芯片。适用于 85VAC~265VAC 全 范围
      2025-04-02 15:12:47

      HMC786LP4E集成LO放大器的BiCMOS混频器技术手册

      HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率范围为0.7至1.1 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA
      2025-04-02 14:27:23784

      LP3718BSL芯茂微12V1A自供电PSR控制芯片

      ) LP3718BS18WSOP8L (12V1.5A) LP3718CA 18WASOP6( ) LP3718CD 24WDIP7 (12V 2A ,24V1A) 芯茂微一级代理商 原装，库存
      2025-04-01 17:47:32

      HMC1113LP5E GaAs MMIC I/Q下变频器技术手册

      HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc
      2025-04-01 13:57:35861

      HMC981LP3E有源偏置控制器技术手册

      HMC981LP3E是一款有源偏置控制器，可自动调整外部放大器的栅极电压，从而实现恒定的偏置电流。 它可用于为A级区（漏极电压为4V至12V，漏极电流最大为200mA）的增强和耗尽型放大器提供合适的偏置，提供了完整的偏置解决方案。
      2025-03-21 15:55:37775

      HMC980LP4E高电流有源偏置控制器技术手册

      HMC980LP4E是一款有源偏置控制器，可自动调整外部放大器的栅极电压，从而实现恒定的偏置电流。 HMC980LP4E集成控制器，实现了安全的电源开/关、禁用/使能和自动供电序列，从而保证外部
      2025-03-21 15:50:49801

      HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器技术手册

      、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信号增益，1.7 dB的噪声系数（在6 GHz至16 GHz频段范围内），25 dBm的输出IP3（全频段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。
      2025-03-21 15:14:511104

      PDD12-18E0507A3C2 PDD12-18E0507A3C2

      电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)PDD12-18E0507A3C2相关产品参数、数据手册，更有PDD12-18E0507A3C2的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文
      2025-03-20 18:53:09

      HMC566LP4E低噪声放大器，采用SMT封装，28-36GHz技术手册

      HMC566LP4E是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为28至36 GHz。 HMC566LP4E提供21 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数
      2025-03-20 15:55:24834

      HMC263LP4E低噪声放大器，采用SMT封装，24-36GHz技术手册

      HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为24至36 GHz，采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成，采用3 V
      2025-03-19 15:41:44776

      FA15-220E12F2D4 FA15-220E12F2D4

      电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)FA15-220E12F2D4相关产品参数、数据手册，更有FA15-220E12F2D4的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，FA15-220E12F2D4真值表，FA15-220E12F2D4管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
      2025-03-18 18:54:31

      LP2801A/B/C/D/E 非隔离AC-DC电源芯片方案

      LP3669BSOP7芯茂微 LP3669CSOP7芯茂微 LP3669D SOP7芯茂微 LP3669E SOP8 芯茂微 LP3669FSOP8芯茂微 LP3710 SOT23-6芯茂微
      2025-03-13 09:46:34

      124133-HMC662LP3E 产品概述

      124133-HMC662LP3E 产品概述124133-HMC662LP3E 是由模拟设备公司（Analog Devices, Inc.）推出的一款高性能射频放大器，专为各种射频应用设计。该产品
      2025-02-15 16:58:54

      LP3718AS/BS/CA/CD/BSL芯茂微7.5W/12W/18W隔离电源芯片方案

      深圳市三佛科技有限公司供应LP3718AS/BS/CA/CD/BSL芯茂微7.5W/12W/18W隔离电源芯片方案 LP3718AS/BS/CA/CD/BSL应用：适配器、充电器，LED 驱动电源
      2025-01-20 15:51:19

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