HMC8205BF10 0.3或0.4 GHz至6 GHz、35W、GaN功率放大器技术手册

概述

HMC8205BF10是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器，在瞬时带宽范围为0.3 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功率附加效率(PAE)。无需外部匹配便可实现全频段工作。此外，无需外部电感便可实现放大器偏置。同时，RFIN和RFOUT引脚的隔直电容集成到HMC8205BF10中。

HMC8205BF10非常适合脉冲或连续波(CW)应用，如军用干扰发射器、无线基础设施、雷达和通用放大。

HMC8205BF10放大器采用10引脚陶瓷芯片载体(LDCC)封装。

HMC8205BCHIPS是一款氮化镓(GaN)、宽带功率放大器，在瞬时带宽范围为0.4 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和40%功率附加效率(PAE)。无需外部匹配便可实现全频段工作。无需外部电感便可实现放大器偏置。此外，RFIN和RFOUT引脚的隔直电容集成到HMC8205BCHIPS中。

HMC8205BCHIPS非常适合脉冲或连续波(CW)应用，如军用干扰发射器、无线基础设施、雷达和通用放大。
数据表：*附件：HMC8205BF10 0.3或0.4 GHz至6 GHz、35W、GaN功率放大器技术手册.pdf

应用

• 军用干扰发射器
• 商用和军事雷达
• 针对无线基础设施的功率放大器级
• 测试与测量设备

特性

• 高 P SAT ：46 dBm
• 高功率增益：20 dB
• 高 PAE：38%
• 瞬时带宽：0.3 GHz 到 6 GHz
• 电源电压：VDD = 50 V，1300 mA
• 10 引脚 LDCC 封装

框图

引脚配置和功能描述

接口示意图

典型性能特征

应用电路

将RF电路设计技术用于PCB。为信号线提供50欧姆阻抗，并将封装接地引脚和裸露焊盘直接连接到接地层(参见图40)。使用足够数量的过孔连接顶部和底部接地层。图40所示的评估PCB可向ADI公司索取。EV1HMC8205BF10的物料清单见表7。

轮廓尺寸