TPS7H5020 SEP 能够驱动 MOSFET 或 GaN FET 的耐辐射 1MHz PWM 控制器数据手册-电子发烧友网

TPS7H502x 是一款抗辐射性保证、电流模式、单端 PWM 控制器，具有集成栅极驱动器，可用于基于硅和氮化镓（GaN）功率半导体的转换器设计。TPS7H502x 集成了多项关键功能，例如软启动、启用和可调斜率补偿，同时保持了较小的封装尺寸。该控制器还具有 0.6V ±1% 的电压基准容差，以支持高精度电源转换器设计。
*附件：具有集成栅极驱动器的 TPS7H502x-SP 和 TPS7H502x-SEP 抗辐射 1MHz 电流模式 PWM 控制器数据表.pdf

TPS7H502x 可通过 SYNC 引脚使用外部时钟运行，也可以使用 RT 引脚以用户确定的频率对内部振荡器进行编程。该器件能够在高达 1MHz 的频率下进行开关。控制器的驱动级具有 4.5V 至 14V 的宽输入电压范围，并支持高达 1.2A 的峰值拉电流和灌电流。可编程稳压器 VLDO 也可以直接连接到驱动器级（PVIN）的输入端，以便为 GaN FET 的运行提供控制良好的栅极电压。可编程稳压器的电压范围为 4.5V 至 5.5V。TPS7H5020 器件的最大占空比为 100%，而 TPS7H5021 的最大占空比为 50%。该控制器支持多种电源转换器拓扑，包括反激式、正激式和升压。

特性

辐射性能：
- 抗辐射保证（RHA）高达 100krad（Si）的总电离剂量（TID）
- 单粒子闩锁（SEL）、单粒子倦怠（SEB）和单粒子门破裂（SEGR）对 LET = 75MeV-cm2/mg 免疫
- 单粒子瞬态（SET）和单粒子功能中断（SEFI）的特性高达 LET = 75MeV-cm2/mg
控制器和驱动器级的 4.5V 至 14V 输入电压范围
专用栅极驱动器电压输入引脚（PVIN）允许驱动硅和 GaN 器件
- 12V 时具有 1.2A 峰值拉电流和灌电流能力
- VLDO 线性稳压器输出可选择连接到 PVIN，以驱动 GaN
- 4.5V 至 5.5V 的可编程线性稳压器（VLDO）
0.6V ±1% 电压基准，适用于温度、辐射以及线路和负载调节
开关频率从 100kHz 到 1MHz
外部时钟同步功能
可调斜率补偿和软启动
根据 ASTM E595 进行塑料包装脱气测试

参数

方框图

一、产品概述

TPS7H502x 系列是一款抗辐射的 1MHz 电流模式 PWM 控制器，集成了栅极驱动器。该控制器适用于空间卫星电源、通信载荷、雷达成像载荷等应用。TPS7H502x 系列包括 TPS7H5020 和 TPS7H5021 两个型号，分别提供 100% 和 50% 的最大占空比限制。

二、主要特性

‌抗辐射性能‌：支持总剂量电离辐射（TID）高达 100krad(Si)，对单事件闩锁（SEL）、单事件烧毁（SEB）、单事件栅极破裂（SEGR）等具有免疫力。
‌宽输入电压范围‌：控制器和驱动级输入电压范围为 4.5V 至 14V。
‌集成栅极驱动器‌：提供高达 1.2A 的峰值源和沉电流能力，支持硅和 GaN 器件。
‌ 可编程线性调节器（VLDO） ‌：输出电压范围从 4.5V 至 5.5V，可用于驱动 GaN FET。
‌高精度电压参考‌：0.6V ±1% 的电压参考，支持高精度电源转换器设计。
‌频率可调‌：开关频率从 100kHz 至 1MHz 可调，支持外部时钟同步。