HMC1114 10W GaN功率放大器，2.7GHz至3.8GHz技术手册

概述
HMC1114是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器，在带宽范围为2.7 GHz至3.8 GHz时提供10 W功率，PAE超过50 %。 HMC1114提供±0.5 dB的增益平坦度。
HMC1114非常适合脉冲或连续波(CW)应用，如无线基础设施、雷达、公共移动无线电和通用放大。
HMC1114采用紧凑型LFCSP封装。
数据表：*附件：HMC1114 10W GaN功率放大器，2.7GHz至3.8GHz技术手册.pdf

应用

• 延长公共移动无线电的电池工作寿命
• 针对无线基础设施的功率放大器级
• 测试与测量设备
• 商用和军事雷达
• 通用发送器放大

特性

• 高饱和输出功率(PSAT)： 41.5 dBm
• 高小信号增益： 35 dB
• 高大信号增益： 25.5 dB
• 带宽： 2.7 GHz至3.8 GHz
• 高功率附加效率（PAE）： 54%
• 高输出IP3： 44 dBm
• 电源电压： VDD = 28 V (150 mA)
• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP_CAV封装

框图

引脚配置和功能描述

接口示意图

典型性能特征

HMC1114是一款10 W氮化镓(GaN)功率放大器，由两个串联增益级组成，放大器的基本框图如图40所示。

推荐的直流偏置条件使器件处于深度AB类工作模式，从而产生高Psur(典型值为41.5 dBm)和改善的PAE水平(典型值为54%)。施加于Vooi和Voo焊盘的电压设置场效应晶体管(fet)的栅极偏置，从而控制漏极电流。因此，Vooi和Voo焊盘需要施加偏置电压，而不是可选的。