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UCC28780 1MHz 高频有源钳位反激式控制器数据手册
UCC28780 是一款高频有源钳位反激式控制器,可实现高密度 AC-DC 电源,符合严格的全球能效标准,如 DoE VI 级和欧盟 CoC V5 Ti...
HMC7149 10W GaN MMIC功率放大器,6-18GHz技术手册
HMC7149是一款10W氮化镓(GaN) MMIC功率放大器,工作频率范围为6至18 GHz。 通常情况下,该放大器提供20 dB的小信号增益、+40...
深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式,显著降低磁性元件体积,同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部...
HMC1087F10 8W GaN法兰贴装MMIC功率放大器技术手册
HMC1087F10是一款8W氮化镓(GaN) MMIC功率放大器,工作频率范围为2至20 GHz,采用10引脚法兰贴装封装。 该放大器通常提供11 d...
HMC1086F10 25W GaN MMIC功率放大器技术手册
HMC1086F10是一款25W氮化镓(GaN) MMIC功率放大器,工作频率范围为2至6 GHz,采用10引脚法兰贴装封装。 该放大器通常提供23 d...
一些集成GaN FET的芯片能够根据输入电压和负载的变化自动调整工作模式,这种自适应调整可以使芯片在不同的工作条件下都能实现恒功率输出,同时保持较高的效...
TPS7H5020 SEP 能够驱动 MOSFET 或 GaN FET 的耐辐射 1MHz PWM 控制器数据手册
TPS7H502x 是一款抗辐射性保证、电流模式、单端 PWM 控制器,具有集成栅极驱动器,可用于基于硅和氮化镓 (GaN) 功率半导体的转换器设计。T...
如果想要说明白GaN、超级SI、SiC这三种MOS器件的用途区别,首先要做的是搞清楚这三种功率器件的特性,然后再根据材料特性分析具体应用。
氮化镓(GaN)功率IC在电机逆变器中的应用: 优势、实际应用案例、设计考量
介绍了氮化镓(GaN)功率IC在电机逆变器中的应用,对比传统硅基解决方案,阐述了其优势、实际应用案例、设计考量及结论。 *附件:Driving-Elec...
纳微 NV6169 # 45mΩ低导阻、800V耐压、GaNSense智能保护技术
这是一款采用 GaNSense技术的650/800 V 大功率GaNFast芯片,可满足高功率应用,例如 400-1000 W 4K/8K 电视和显示器...
HMC1099 10W GaN功率放大器,0.01-1.1GHz技术手册
HMC1099是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在瞬时带宽范围为0.01 GHz至1.1 GHz时提供>10 W功率、69% PAE,增益平坦...
HMC1114 10W GaN功率放大器,2.7GHz至3.8GHz技术手册
HMC1114是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在带宽范围为2.7 GHz至3.8 GHz时提供10 W功率,PAE超过50 %。 HMC1114提...
基于RC热阻SPICE模型的GaNPX®和PDFN封装的热特性建模
GaN Systems提供RC热阻模型,使客户能够使用SPICE进行详细的热模拟。 模型基于有限元分析(FEA)热模拟创建,并已由GaN Systems...
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