技术资料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET，集成驱动器、保护和电流感应

LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该 LMG3622 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中，简化了设计并减少了元件数量。

可编程导通转换速率提供 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻器相比，电流检测仿真降低了功耗，并允许将低侧导热垫连接到冷却 PCB 电源接地。
*附件：具有集成驱动器和电流感应仿真的 LMG3622650-V120mΩ GaN FET 数据表.pdf

该LMG3622支持转换器轻载效率要求和突发模式作，具有低静态电流和快速启动时间。保护功能包括欠压锁定 （UVLO）、逐周期电流限制和过热保护。漏极开路 FLT 引脚报告过热保护。

特性

• 650V 120mΩ GaN 功率 FET
• 集成栅极驱动器，具有低传播延迟和可调节的导通转换速率控制
• 具有高带宽和高精度的电流感应仿真
• 逐周期过流保护
• 具有 FLT 引脚报告的过热保护
• AUX 静态电流：240 μA
• AUX 待机静态电流：50 μA
• 最大电源和输入逻辑引脚电压：26 V
• 带导热垫的 8 mm × 5.3 mm QFN 封装

参数

方框图

应用
•AC/DC适配器和充电器
•AC/DC USB壁式插座电源
•AC/DC辅助电源
•移动壁式充电器设计
•USB壁式电源插座
•辅助电源

*附件：利用TI GaN集成电流传感实现系统效率最大化.pdf

*附件：LMG362x系列低功耗GaN FET的设计.pdf