技术资料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET，集成驱动器、保护和零电流检测

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，针对开关模式电源转换器，使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。

LMG342xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制 20V/ns 至 150V/ns 的转换速率，可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3426R030包括零电压检测 （ZVD） 功能，当实现零电压开关时，该功能可从 ZVD 引脚提供脉冲输出。LMG3427R030 包括零电流检测 （ZCD） 功能，当检测到正漏源电流时，该功能从 ZCD 引脚提供脉冲输出。

*附件：LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET，集成驱动器、保护和零电流检测.pdf

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出报告，从而简化了器件负载管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引脚。

特性

• 符合 JEDEC JEP180 硬开关拓扑的要求
• 600V 硅基氮化镓 FET，带集成栅极驱动器
  • 集成高精度栅极偏置电压
  • 200V/ns FET 抑制
  • 2.2MHz 开关频率
  • 20V/ns 至 150V/ns 转换速率，用于优化开关性能和 EMI 抑制
  • 采用 7.5V 至 18V 电源供电
• 强大的保护
  • 逐周期过流和锁存短路保护，具有 < 100ns 响应
  • 在硬开关时可承受 720V 浪涌
  • 针对内部过热和 UVLO 监控进行自我保护
• 高级电源管理
  • 数字温度 PWM 输出
  • LMG3426R030 包括零电压检测 （ZVD） 功能，便于软开关转换器
  • LMG3427R030 包括零电流检测 （ZCD） 功能，有助于软开关转换器

参数

方框图

应用
•开关模式功率转换器
•商户网络和服务器PSU
•商业电信整流器
•太阳能逆变器和工业电机驱动器
•不间断电源