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云镓大功率 GaN 产品 | 技术参数解读 钛金服务器电源 DEMO
云镓半导体云镓工业级GaN产品器件参数解读&3kW服务器电源DEMO1.前言云镓半导体在工业级GaN产品上不断耕耘,推出系列化GaN功率器件以及...
应用指导 | CGAN003: GaN switching behavior analysis
云镓半导体应用指导CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势,如...
应用指导 | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)
云镓半导体应用指导CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可...
应用指导 | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation
云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟...
应用指导 | CGAN002: How to read GaN datasheet
云镓半导体应用指导CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名规则以CG65030TAD产品为例,"C"为公司...
基于MASTERGAN4的LED调光驱动方案:ST EVLMG4-500WIBCK评估板技术解析
STMicroelectronics EVLMG4-500WIBCK评估板为具有基于GaN(氮化镓)的同步整流反向降压拓扑的可调光LED驱动器电路提供参...
纳芯微栅极驱动器NSD2017在激光雷达应用中PCB设计的注意点
激光雷达(Lidar)是一种用于精确测距的激光探测技术。栅极驱动器与GaN器件在最大化激光器发射能力上起到重要作用,为激光雷达带来更高的分辨率。NSD2...
EVLMG4LPWRBR1 GaN功率模块技术解析与应用指南
STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1基于GaN的半桥电源模块配有MASTERGAN4L,其可快速创建拓扑,无需完整的PCB设...
基于MASTERGAN1L的GaN半桥电源模块技术解析与应用指南
STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半桥电源模块配有MASTERGAN1L,其可快速创建拓扑,无需完整的PCB设...
analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年来,工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性,能够在较高开关频率...
PI技术白皮书 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI数据中心架构中的应用
白皮书阐释了Power Integrations业界首款1250V PowiGaN HEMT的性能优势,展示了其经过实际应用验证的可靠性以及满足800...
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