2025年12月20日，在由半导体投资联盟与集成电路投资创新联盟联合主办、ICT知识产权发展联盟协办、爱集微承办的“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”上，英诺达凭借其EnCitius
2025-12-26 11:36:00
310 产品应用多面性氮化镓是半导体领域后起之秀中的“六边形战士”，综合性能全面，而射频应用作为氮化镓的“王牌分支”，凭借出众的“高频、高功率、高效率、抗造”性能表现，在高频高功率场景中让传统硅基、砷化镓
2025-12-24 10:23:54736 
近日，国内功率半导体厂商英诺赛科再传好消息。12月9日，中国智能电动汽车部件及解决方案提供商苏州汇川联合动力系统股份有限公司与英诺赛科，共同宣布采用650V氮化镓的新一代6.6KW OBC系统在长安汽车顺利装车，为车载电源技术树立了新典范。
2025-12-24 00:56:008027 
双向器件，GaN BDS 的出现可以大大降低元器件的成本：无需工艺调整和 MASK 变动，通过合并漂移区和漏极及双栅控制，即可实现单片集成的氮化镓双向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化镓模块电源，正式上市！这不仅是一次产品升级，更是为高密度、高性能应用量身打造的动力解决方案，重新定义15W级电源的尺寸、效率与可靠性标准。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美
2025-12-11 17:47:04655 美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥
2025-12-04 17:23:061497 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布与英诺赛科签署了谅解备忘录，双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会，基于英诺赛科成熟的200mm硅基氮化镓制造工艺，探索扩大
2025-12-04 07:42:0010985 30W氮化镓全电压认证方案1.方案介绍及产品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW
2025-11-28 17:18:042048 
在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步，打破车规级功率半导体性能边界 近日，镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 格芯（GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS）与纳微半导体（Navitas Semiconductor，纳斯达克代码：NVTS）今日正式宣布建立长期战略合作伙伴关系，共同推进美国
2025-11-27 14:30:202044 与节能系统电源及传感解决方案领导者之一 Allegro ，与全球领先的硅基氮化镓制造供应商 英诺赛科 (Innoscience) 宣布达成战略合作，推出了一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计 ，该设计采用了 Allegro 的先进栅极驱动器技术和英诺赛科高性能氮化镓。这一创新解决方案有望重新定
2025-11-25 16:28:32913 
电子发烧友网站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片技术手册.pdf》资料免费下载
2025-11-24 16:47:18
1 增至约30亿美元，复合年增长率（CAGR）高达42%，未来六年将实现六倍增长。这种增长态势主要由三大驱动力：消费电子电子对快充的刚需、AI数据中心对高效电源的迫切需求、新能源汽车的电气化浪潮。在快充之外，氮化镓功率芯片在家电领域的应用点也出现突破。 近日，英诺赛
2025-11-16 00:40:0013349 
一、GaN（氮化镓）与硅基材料的核心差异及优劣势对比 GaN（氮化镓）属于宽禁带半导体（禁带宽度 3.4 eV），硅基材料（硅）为传统半导体（禁带宽度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573101 现在氮化镓材料技术比较成熟，芯源的MOS管也是用的氮化镓材料技术嘛？
2025-11-14 07:25:48
前言消费者在选购第三方充电器时都倾向于选择一款功率高、发热低、体积小巧便携的充电器，而氮化镓合封芯片凭借高频、高集成、低损耗的特性解决了消费者的痛点。华硕旗下a豆品牌推出了一款100W氮化镓充电器
2025-11-13 10:27:082783 
云镓半导体双向创“芯”—云镓半导体国内首发高压GaN双向器件MBDS1.前言长期以来，器件工程师都在追求一种可双向导通且双向耐压的开关元件，该类器件在AC/DC、DC/AC及AC/AC变换的应用场
2025-11-11 13:43:51856 
云镓半导体云镓半导体发布3kW无桥图腾柱GaNPFC评估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技术文档将重点介绍基于云镓半导体650VGaN器件的3kW无
2025-11-11 13:43:26818 新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系
2025-11-03 18:18:052815 
随着全球能源需求因 AI 数据中心、电动汽车以及其他高能耗应用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、能效和耐用性树立新标杆。这些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 在半导体材料的研究领域中，透射电子显微镜（TEM）已成为一种不可或缺的分析工具。它能够让我们直接观察到氮化镓（GaN）外延片中原子级别的排列细节——这种第三代半导体材料，正是现代快充设备、5G通信
2025-10-31 12:00:073858 
在快充技术飞速发展的今天，65W功率档位已成为市场主流，而氮化镓技术的出现，正在重新定义充电器的尺寸与效能边界。仁懋电子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能为65W氮化镓快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
近日，苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称：纳芯微）、联合汽车电子有限公司（以下简称：联合电子）与英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）共同签署战略合作协议。
2025-10-13 11:41:042482 云镓半导体在工业级GaN产品上不断耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驱动器产品。在应用DEMO上陆续展示了钛金3000W服务器电源及600W微型逆变器。本文从器件参数、系统DEMO及驱动器角度全方位解读云镓工业级GaN产品系列。
2025-10-11 09:22:25
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化镓充电器芯片
2025-09-26 11:36:58
2025年9月15日，“中国芯”第二届EDA专项奖颁奖仪式在杭州举行，英诺达的EnFortiusLPC低功耗设计检查工具(ELPC)凭借其卓越的技术创新与市场表现，荣获“产品革新奖”。这一殊荣不仅是对ELPC产品价值的高度认可，更是对英诺达在国产EDA领域坚持自主创新、攻坚核心技术的充分肯定。
2025-09-16 10:47:173254 报披露，英诺赛科营收增长，主要是氮化镓应用领域持续拓展，从数据来看在氮化镓（GaN）市场拓展和成本控制上都有了进展。
2025-09-14 22:16:518758 
33W氮化镓电源芯片U8733L布局合理减少干扰散热优化电源芯片的引脚在布局布线时，应当避免与其他信号线路平行敷设，以降低电磁干扰。根据芯片引脚功能和信号流向合理安排位置，减少交叉和迂回，降低布线
2025-08-28 16:18:507132 氮化镓电源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
氮化镓（GaN）技术为电源行业提供了进一步改进电源转换的机会，从而能够减小电源的整体尺寸。70多年来，硅基半导体一直主导着电子行业。它的成本效益、丰富性和电气特性已得到充分了解，使其成为电子行业
2025-08-21 06:40:348327 
）控告英诺赛科（Innoscience）关于氮化镓（GaN）技术专利侵权的一审判决中，判定英飞凌胜诉。该案的核心是英诺赛科未经授权使用了英飞凌受专利保护的氮化镓（GaN，以下同）技术。氮化镓技术在实现高性能及高能效的电源系统中发挥着关键作用，应用范围广泛涵盖可再生能源系统、数据中心、工业自动化以及电动
2025-08-04 18:28:251668 近日，氮化镓领域的领军企业英诺赛科与全球领先的汽车电子系统供应商联合电子宣布，双方携手成立氮化镓（GaN）技术联合实验室。这一合作旨在充分发挥氮化镓器件在高功率密度、低导通电阻、高转换效率以及产品
2025-07-31 17:14:13887 
深圳市永阜康科技有限公司现在大力推广国内首款氮化镓D类音频功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化镓，48V供电时，驱动到4Ω可以在10%THD+N内输出1×340W的功率，QFN-48贴片封装，不需要外接散热器辅助散热。
2025-07-21 15:05:102858 
近日，氮化镓行业的领军企业英诺赛科正式对外宣布，将进一步扩大其 8 英寸晶圆的产能。这一消息在半导体领域引发了广泛关注，标志着英诺赛科在巩固自身行业地位的同时，也将为全球氮化镓市场注入新的活力。 英
2025-07-17 17:10:59678 近日，全球半导体制造巨头台积电(TSMC)宣布将逐步退出氮化镓(GaN)晶圆代工业务，预计在未来两年内完成这一过渡。这一决定引起了行业的广泛关注，尤其是在当前竞争激烈的半导体市场环境中。据供应链
2025-07-07 10:33:223474 
7月3日，氮化镓（GaN）制造商纳微半导体（Navitas）宣布，其650V元件产品将在未来1到2年内，从当前供应商台积电（TSMC）逐步过渡至力积电半导体（PSMC）。台积电回应称，经全面评估
2025-07-04 16:12:10660 关系 ，正式启动并持续推进业内领先的 8英寸硅基氮化镓技术生产。 纳微半导体预计将使用位于台湾苗栗竹南科学园区的力积电8B厂的
2025-07-02 17:21:091548 
如果你想了解氮化镓如何引领便携光储市场？那么一定不能错过这场由大联大诠鼎集团和英诺赛科原厂联合举办的线上研讨会。“InnoscienceSolidGaN领航氮化镓技术，焕新便携光储市场”。7月8日
2025-06-27 16:31:353806 
PD40W氮化镓快充电源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在选型时，需要选择比原芯片参数更多或一样的芯片。如果封装能做到pintopin，则无需更改PCB设计，否则就要重新设计PCB板
2025-06-26 16:11:111778 4颗英诺赛科合封氮化镓器件ISG6121TD，峰值效率高达99.03%。其逆变测试效率也达到了98.95%，在节能表现上遥遥领先。
2025-06-23 10:34:002706 
A+C口兼容双接口电路，可满足多设备充电需求，还可以兼容传统USB-A设备，接口互补，场景覆盖广，依然是当前充电市场不可忽略的中坚力量。深圳银联宝科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W，最大程度简化设计方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 同一套电源芯片方案，可直接应用于不同的电压输出上，这不仅有效节省成本，更是大大缩短了开发时间，使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B，输出可选5V、9V、12V，注重空间布局和兼容性问题，通过了认证测试，低耗高效，值得推荐！
2025-06-16 15:40:171592 氮化镓（GaN）器件在高频率下能够实现更高效率，主要归功于GaN材料本身的内在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
在半导体产业的宏大版图中，苏州芯矽电子科技有限公司宛如一座默默耕耘的灯塔，虽低调却有着不可忽视的光芒，尤其在半导体清洗机领域，以其稳健的步伐和扎实的技术，为行业发展贡献着关键力量。
芯矽科技扎根于
2025-06-05 15:31:42
半导体器件作为现代电子技术的核心元件，广泛应用于集成电路、消费电子及工业设备等场景，其性能直接影响智能终端与装备的运行效能。以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，凭借高功率密度与能效优势，正推动电子设备技术革新。
2025-06-05 10:33:562489 
45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201071 前不久，纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
全电压！PD20W氮化镓电源方案认证款：U8722BAS+U7612B上次给大家介绍了20W氮化镓单电压的应用方案，立马就有小伙伴发出了全电压应用方案的需求。深圳银联宝科技有求必应，PD20W氮化镓
2025-05-22 15:41:26734 从清华大学到镓未来科技，张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守！近年来，珠海市镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）在第三代半导体行业异军突起，凭借领先的氮化镓（GaN）技术储备和不断推出的新产品
2025-05-19 10:16:02
深圳银联宝科技带来的是33W全负载高效率超结硅电源管理方案：U8733+U7612B，可显著提升产品的易用性和效率！
2025-05-13 11:11:14635 英诺赛科针对48V架构开发了两款行业领先的降压电源方案（四相2kW交错降压电源方案），为更高效、节能的数据中心赋能。
英诺赛科此次推出的两款降压电源方案利用氮化镓高频高效的优势和四相交错Buck
2025-05-12 14:00:001145 
深圳银联宝科技推出的PD 20W氮化镓单电压应用方案，主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，协议338E。输入规格：180V-264V 50Hz，输出规格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测，效率提升4%、系统成本降低15%、PCB占位面积缩小40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出 全新专为电机驱动
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！
2025-05-08 16:30:141015 氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766，推荐功率为65W，代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 发烧友拍摄 “与硅基器件相比，氮化镓的功率密度可达 30W/mm，是硅的150倍，开关频率提升 10 倍以上，可使电源适配器体积缩小 60%。” 西安电子科技大学广州研究院教授弓小武对媒体表示。当前，GaN作为一种性能优异的宽禁带半导体材料，近年
2025-04-21 09:10:422407 
日讯——纳微半导体宣布其高功率旗舰GaNSafe氮化镓功率芯片已通过 AEC-Q100 和 AEC-Q101 两项车规认证，这标志着氮化镓技术在电动汽车市场的应用正式迈入了全新阶段。 纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe产品家族， 集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能
2025-04-17 15:09:264298 
氮化镓电源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料号功率65WYINLIANBAO深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U8722X家族，喜提“芯”成员——U8722FE，推荐最大输出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 ❖ 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。 ❖ 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛
2025-04-01 10:06:023808 
电子发烧友原创 章鹰 3月28日，功率半导体厂商英诺赛科发布2024年业绩报告，本年度营收达到8.285亿元，同比增长39.8%。作为全球首家大规模量产8英寸晶圆的氮化镓IDM企业，英诺赛科集团凭借
2025-04-01 01:20:004220 
深圳市三佛科技有限公司供应CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC,原装现货
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化镓（GaN）FET是常关器件
2025-03-31 14:26:10
30W氮化镓电源ic U8608集成E-GaN和驱动电流分档功能，通过调节驱动电流档位，可以减少电磁干扰（EMI），优化系统的整体性能和待机功耗。具体来了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
UM2062-100M 是一款 100W 应用频率在 2.0～6.2GHz 的，基于全国产化及工艺的氮化镓射频功 率放大管。这款功放管具有高效率、高增益的特性，适用于脉冲/连续波信号，主要用于收发
2025-03-27 10:00:11
2025 年3月19日 - 英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（香港联交所代码：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化镓（GaN-on-Si）芯片制造及电源解决方案企业。 今日，英诺赛科宣布其
2025-03-19 13:57:341492 GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件门极驱动电路设计方案
2025-03-13 18:06:0046953 
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日重磅发布全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓
2025-03-13 15:49:392996 
2024年，芯途璀璨，创新不止。武汉芯源半导体有限公司（以下简称“武汉芯源半导体”）在21ic电子网主办的2024年度荣耀奖项评选中，凭借卓越的技术创新实力与行业贡献，荣膺“年度创新驱动奖”。这一
2025-03-13 14:21:54
日前，京东方华灿的氮化镓研发总监马欢应半导体在线邀请，分享了关于氮化镓器件的最新进展，引起了行业的广泛关注。随着全球半导体领域对高性能、高效率器件的需求不断加大，氮化镓（GaN）技术逐渐成为新一代电子器件的热点，其优越的性能使其在电源转换和射频应用中展现出巨大的潜力。
2025-03-13 11:44:261527 2025年3月5日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布，成功发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。这一重大突破不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域取得了国际领先地位，也为我国
2025-03-07 11:43:222412 
氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 ：并联开关管广泛应用于大功率场合，如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 什么是氮化镓（GaN）充电头？氮化镓充电头是一种采用氮化镓（GalliumNitride,GaN）半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基（Si）充电器，GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 U2G5060-140P2 是一款 140W 应用频率在 5.0~6.0GHz 的氮化镓射频功率放大管。这款放大管 具有高效率、高增益的特性。同时覆盖 5-6GHz 应用的 Demo 板，输出功率
2025-02-25 15:56:49
近日，唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 宣布将参加APEC 2025，展示氮化镓和碳化硅技术在AI数据中心、电动汽车和移动设备领域的应用新突破。
2025-02-25 10:16:381784 ，采用氮化镓材料，体积小巧，仅为57.5*33.5*23.8mm，极大程度的节省了设计空间。该系列电源模块共有4款，输出功率40W，输出电压分别为9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布于下月发布全新的功率转换技术，将触发多个行业领域的颠覆性变革。该创新涵盖半导体与系统级解决方案，预计将显著提升能效与功率密度，加速氮化镓和碳化硅技术对传统硅基器件的替代进程。
2025-02-21 16:41:10867 过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:362014 
生长4英寸导电型氧化镓单晶仍沿用了细籽晶诱导+锥面放肩技术，籽晶与晶体轴向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面衬底，适合SBD等高功率器件应用。 在以碳化硅和氮化镓为主的第三代半导体之后，氧化镓被视为是下一代半导体的最佳材
2025-02-17 09:13:241340 前言 近期充电头网拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充电器，这款产品基于华源智信氮化镓方案设计，因此整体做到相当小巧，搭配可折叠插脚，便携性很好。充电器支持最高20W PD3.0快充，可满足
2025-02-14 14:46:512073 
VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂 2025年1月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶
2025-02-14 10:52:40901 
随着人工智能、数据中心、汽车电子等应用领域的快速发展，第三代半导体——氮化镓（GaN）正迎来前所未有的发展机遇。闻泰科技已布局GaN领域多年，凭借卓越的创新能力不断推动产业链发展，创造新的价值增量。
2025-02-10 17:15:041127 
近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。
2025-02-07 13:35:081234 
为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓（GaN）电源（PSU）的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装（SiP）的谐振转换器参考设计。
2025-02-06 11:31:151133 在半导体产业这片高精尖的领域中，氮化镓（GaN）衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料，正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而，氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37449 
在半导体制造这一微观且精密的领域里，氮化镓（GaN）衬底作为高端芯片的关键基石，正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而，氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50404 在当今高速发展的半导体产业浪潮中，氮化镓（GaN）衬底宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越的电学与光学性能，在众多高端芯片制造领域，尤其是光电器件、功率器件等方向，开拓出广阔的应用天地。然而，要想充分发挥
2025-01-17 09:27:36420 在半导体领域的璀璨星河中，氮化镓（GaN）衬底正凭借其优异的性能，如高电子迁移率、宽禁带等特性，在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角，成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 的代替材料就更加迫切。
氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀
2025-01-15 16:41:14
电能的高效转换。同步整流芯片的加入则有效地解决了能量损耗问题。今天介绍的是35W氮化镓电源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 趋势一：碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）大放异彩 在功率半导体领域，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）宛如两颗冉冉升起的新星，正以迅猛之势改变着行业格局。 与传统的硅基半导体相比，SiC
2025-01-08 16:32:155035 东科半导体集成双氮化镓功率管的不对称半桥AC-DC-100W电源管理芯片-DK8710AD一、产品概述DK87XXAD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片
2025-01-08 15:33:07
高性能AC-DC 75W氮化镓电源管理芯片-DK075G一、产品概述：DK075G是一款高度集成了700V/150mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率电源管理芯片。DK075G检测
2025-01-08 10:48:52
东科半导体高性能AC-DC 45W氮化镓电源管理芯片-DK045G 一、产品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片
2025-01-08 10:46:14
随着科技的飞速发展，半导体技术已经成为现代电子产业的基石。在众多半导体材料中，镓因其独特的物理和化学性质，在半导体制造中占据了一席之地。 镓的基本性质 镓是一种柔软、银白色的金属，具有低熔点
2025-01-06 15:11:592708 近日，全球氮化镓(GaN)功率半导体领域的佼佼者英诺赛科(2577.HK)成功登陆港交所主板，为港股市场增添了一枚稀缺且优质的投资标的。 英诺赛科作为全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，其在
2025-01-06 11:29:141123
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