纳微半导体，作为功率半导体领域的佼佼者，以及氮化镓和碳化硅功率芯片技术的引领者，近日宣布将亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田会展中心举办的亚洲充电展。届时，纳微半导体将设立一个独特而富有未来感的“纳微芯球”展台，充分展示其最新氮化镓和碳化硅技术，引领观众领略全电气化的未来世界。
2024-03-16 09:40:58
287 台积电的 Suk Lee 发表了题为“摩尔定律和半导体行业的第四个时代”的主题演讲。Suk Lee表示，任何试图从半导体行业传奇而动荡的历史中发掘出一些意义的事情都会引起我的注意。正如台积电所解释
2024-03-13 16:52:37
想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMTQorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) HEMT（高电子迁移率晶体管
2024-02-26 22:58:56
加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。
2024-02-22 11:42:04306 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓（GaN）是一种
2024-01-10 09:27:32397 近日，Nexperia（安世半导体）凭借其在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）领域的杰出表现，荣获两项权威大奖：“SiC年度优秀产品奖”和“中国GaN功率器件十强”。这一荣誉充分展示了安世半导体作为基础半导体全球领导者的强大实力，以及其在三代半领域的深厚积累。
2024-01-03 15:46:13403 氮化镓半导体芯片（GaN芯片）和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、应用领域等方面存在着明显的区别。本文将从这几个方面进行详细介绍。 首先，氮化镓半导体芯片和传统的硅半导体芯片的组成
2023-12-27 14:58:24424 氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。
2023-12-15 16:44:11462 根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
据晶湛半导体消息，晶湛半导体业界公认的硅氮化镓（e -on-si）外延技术开拓者程凯博士将于2012年3月回国创业。国际先进的氮化镓外延材料开发和产业化基地
2023-12-11 14:32:04227 近日，第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成C+轮数亿元融资，这是晶湛公司继2022年完成2轮数亿元融资以来的又一融资进展。
2023-12-09 10:49:07599 近日，武汉芯源半导体正式发布首款基于Cortex®-M0+内核的CW32A030C8T7车规级MCU，这是武汉芯源半导体首款通过AEC-Q100 (Grade 2)车规标准的主流通用型车规MCU产品
2023-11-30 15:47:01
，氮化镓芯片具有许多优点和优势，同时也存在一些缺点。本文将详细介绍氮化镓芯片的定义、优缺点，以及与硅芯片的区别。 一、氮化镓芯片的定义 氮化镓芯片是一种使用氮化镓材料制造的集成电路芯片。氮化镓（GaN）是一种半导体
2023-11-21 16:15:302310 氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。 氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:10217 
氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
英集芯IP6829支持 PD 输入全集成 5W/7.5W/10W/15W 无线充电发射 SOC英集芯IP6829是一款具备先进功能的无线充电发射端控制SoC芯片。它不仅兼容WPC Qi v1.3
2023-11-01 20:38:36
近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06694 随着科技的不断进步，电力电子领域正在发生着深刻的变化。在这个变化中，第三代半导体氮化镓（GaN）技术成为了焦点，其对于充电器的性能和效率都带来了革命性的影响。
在传统的硅基材料中，电力电子器件
2023-10-11 16:30:48250 本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
86面板墙插是我国普通家庭用电最常见的一种电力接口，当第三代半导体氮化镓功率器件遇上86面板墙插，会带来怎样的新惊喜呢？
2023-09-25 10:34:20667 
氮化镓是一种无机物质，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似，硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用
2023-09-13 16:41:45859 材料领域中，第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。 将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制成氮化物半导体，或将氮化镓、砷化镓、磷化铟制成
2023-09-12 16:19:271932 
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且机械性能非常稳定的宽禁带半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻，GaN基功率器件明显优于硅基器件。
GaN晶体可以在各种
2023-09-08 15:11:18535 
意法半导体拥有最先进的平面工艺，并且会随着G4不断改进：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
意法半导体的广泛数字电源产品组合可满足数字电源设计的要求。我们的产品包括MCU（专为数字功率转换应用而设计，采用全数字控制方法）和数字控制器（具有面向软件控制算法的专用ROM存储器）。意法半导体
2023-09-07 06:49:47
机、氟弧焊机、脉冲焊机等，本文将介绍武汉芯源半导体CW32F030系列单片机在电弧焊机中的应用。
CW32F030系列MCU在电焊机的应用框图
方案特色：
●可实现对电焊机的自动化控制，可以通过输入
2023-09-06 09:14:04
的功率型分立器件针对软开关谐振和硬开关转换器进行了优化，可最大限度提高低功率和高功率应用的系统效率。基于氮化镓的最新产品具备更高的能源效率，并支持面向广泛的应用提供更紧凑的电源设计。意法半导体的数字电源解决方案可以使用专用的评估板、参考设计、技术文档和eDesignSuite软件配置器和设计工具来实现
2023-09-06 07:44:16
氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料
➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
氮化镓半导体激光器具有体积小、寿命长、效率高等优点，波长范围覆盖可见光和紫外波段，应用场景包括激光显示、工业加工、激光照明、激光通讯、激光医疗等众多领域，近年来总体市场需求呈现较高的复合增长趋势。由于氮化镓激光技术壁垒较高，长期被国外少数企业垄断，我国企业需求全部依赖进口。
2023-08-31 10:41:13563 英集芯IP2326，15W同步开关升压充电管理芯片英集芯IP2326是一款高性能的锂电池充电管理芯片，适用于15W同步开关升压充电方案。该芯片支持2 节或3节串联锂电池/锂离子电池，集成功率MOS
2023-08-30 21:24:57
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
PMIC换成英集芯IP6103，buildroot环境下需要做哪写修改？
2023-08-18 07:49:24
XP3358是一款数字高性能单级高PF(PF>0.9)恒压(V)控制芯片适用于反(Fyback)或升降压(buck-boost)电源拓扑。芯格诺专利的数字控制算法使得XP3358具备
2023-08-11 16:32:14
昂科烧录器支持Analog
Devices亚德诺半导体的超低功耗、独立式电量计IC MAX17201X
芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表，其中昂科发布
2023-08-10 11:54:39
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
早前，纳微半导体率先凭借氮化镓功率芯片产品，踩准氮化镓在充电器和电源适配器应用爆发的节奏，成为氮化镓领域的头部企业。同时，纳微也不断开发氮化镓和碳化硅产品线，拓展新兴应用市场。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:191553 
三星启动氮化镓功率半导体代工 三星电子近期业绩压力很大，市场疲软、存储芯片价格的下跌使得三星电子2023年第二季度的利润暴跌，根据三星电子公布的2023年第二季度的初步数据显示，期内销售额为60万亿
2023-07-11 14:42:13513 深圳市三佛科技有限公司供应NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化镓快充电源IC，原装现货 型号：NCP1342品牌：安森美封装:SOIC-8 ,SOIC-9
2023-07-11 11:31:20
氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性，被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙（大约3.2电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。
2023-07-06 15:44:433823 。这款电源内置英诺赛科INN700TK350B氮化镓开关管，采用TO252封装，额定耐压为700V，瞬态耐压为800V，具有更多余量。电源支持90-264V输入电压
2023-07-05 22:38:44
材料如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）逐渐崭露头角。这些新型半导体材料在射频和功率应用中的性能优势，正在促使它们的市场份额稳步增长。
2023-07-05 10:26:131322 
徐州金沙江半导体有限公司（以下简称金沙江半导体）据官方消息，公司在2021年被设立，项目发起人氮化镓（的）领域的领导者，氮化镓功率器件及其新应用为主力产品，正在构建新型的idm平台。
2023-06-30 10:31:021283 
三星详细介绍了他们的2纳米制造工艺量产计划和性能水平，并宣布从2025年开始提供8英寸氮化镓（GaN）功率半导体代工服务，以满足人工智能技术的需求。这种半导体具有高性能低功耗的特点，在消费类电子、数据中心和汽车等领域将得到广泛应用。
2023-06-29 14:48:15753 2SK1305 数据表
2023-06-28 19:49:50
0 氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
采用氮化镓器件的高频PWM逆变器，其优势是实现更高的系统效率而无需使用电解电容器和输入电感器。
参考资料：
1Lidow, A., De Rooij, M., Strydom, J., Reusch
2023-06-25 13:58:54
电源管理芯片，支持PD3.1快充协议，最大充放电功率达140W，支持输入输出双向快充。
作为一家专注于高性能、高品质数模混合芯片设计公司，英集芯主营业务为电源管理芯片、快充协议芯片的研发和销售。英集芯
2023-06-25 11:51:27
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
IP6862是一款英集芯全新推出的一芯双充无线充电方案，采用QFN32封装5*5MM可支持15W+15W/15W+5W版本，支持全新1芯双充无线充方案开发。
科发鑫电子是英集芯一级代理商，提供全系列
2023-06-16 20:09:32
2C1A二合一氮化镓超极充、绿联140W 2C1A氮化镓充电器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、华为、三星等大品牌的产品使用，性能质量获得客户的高度认可。
输出VBUS开关管均来自威兆半导体
2023-06-16 14:05:50
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的电压，其漏极漂移区为10-20μm，或大约40-80V/μm。这大大高于硅20V/μm的理论极限。然而，氮化镓器件目前仍然远远低于约300V/µm的禁带宽度极限，这为未来的优化和改进，留下了巨大的空间
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化镓元件一个很大的优势在于它极快的开关速度，它的栅极电容和输出电容比硅基MOSFET小的多，同时由于没有体二极管pn结，因此在硬开关中，没有相关的反向恢复电荷。
2023-06-08 16:04:59397 
公牛33W车载充电器采用了拓尔微 IM2403+TMI3451双口快充方案，以满足这款车充33W快充输出。
2023-06-08 11:30:14927 
根据中国集成电路产业人才白皮书数据来看，目前行业内从业人员仅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在国内半导体行业快速发展的当下，定位、抢夺优质人才是企业未来长期发展的基石。
那么每年秋招就是赢得
2023-06-01 14:52:23
、新能源汽车、智能电网、5G通信射频等市场的发展，具有较大的发展前景；从分立器件原材料看，随着氮化镓和碳化硅等第三代半导体材料的应用，半导体分立器件市场逐步向高端应用市场推进。随着我国分立器件企业产品
2023-05-26 14:24:29
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 （SiC）、氮化镓（GaN）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。什么是宽禁带？物质的导电需要
2023-05-06 10:31:461675 
半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
2023-04-26 10:21:32718 氮化镓是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，同时还减少了提供相同性能所需的能源和物理空间。
2023-04-25 15:01:47307 中国半导体分立器件产业在上世纪50年代初创，70年代逐渐成长，80年代的改革开放到90年代以后进入全面发展阶段，21世纪初中国加入WTO，为我国半导体分立器件产业带来了新的发展契机。受益于国际电子
2023-04-14 13:46:39
合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 IP6862是一款英集芯全新推出的一芯双充无线充电方案，采用QFN32封装5*5MM可支持15W+15W/15W+5W版本，支持全新1芯双充无线充方案开发。科发鑫电子是英集芯一级代理商，提供全系列英
2023-04-07 18:45:16
全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布 已出货超7500万颗高压氮化镓功率器件。 氮化镓是是较高压传统硅功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，它减少了提供高压性
2023-03-28 14:19:53644 
高频、高压的氮化镓+低压硅系统控制器的战略性集成， 实现易用、高效、可快速充电的电源系统 美国加利福尼亚州托伦斯，2023年3月20日讯 —— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723 
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
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