云镓半导体

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• 上传了资料 2025-11-30 22:00

  CG65140DAA_datasheet_V1

  GaN功率器件 GaN器件 GaN晶圆 氮化镓

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• 发布了产品 2025-11-26 09:32

  CG65140DAA增强型氮化镓功率器件650V140mR封装形式DFN8*8用于PD快充开关电源

  

  产品型号：CG65140DAA VDS耐压：700 内阻：140mR 最小包装：2500PCS

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• 发布了文章 2025-11-11 13:45

  云镓大功率 GaN 产品 | 技术参数解读 钛金服务器电源 DEMO

  

  云镓半导体云镓工业级GaN产品器件参数解读&3kW服务器电源DEMO1.前言云镓半导体在工业级GaN产品上不断耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驱动器产品。在应用DEMO上陆续展示了钛金3000W服务器电源及600W微型逆变器。本文从器件参数、系统DEMO及驱动器角度全方位解读云镓工业级GaN产品系列。2.云镓工业级GaN产品参数优势聚焦数据中心与再生能源等

  demo板 GaN 服务器电源

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• 发布了文章 2025-11-11 13:45

  应用指导 | CGAN003: GaN switching behavior analysis

  

  云镓半导体应用指导CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗，从而提供更优的整体效率，这使得GaN器件在高频、高效率的应用中展现出明显优势。我们的应用指导将帮助客户更好得使用云镓的GaN器件，更大限度去挖掘云镓的GaN器件的能力。

  GaN 功率器件 半导体

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• 发布了文章 2025-11-11 13:44

  应用指导 | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)

  

  云镓半导体应用指导CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗，从而提供更优的整体效率，这使得GaN器件在高频、高效率的应用中展现出明显优势。我们的应用指导将帮助客户更好地使用云镓的GaN器件，更大限度去挖掘云镓的

  FET GaN 功率器件

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• 发布了文章 2025-11-11 13:44

  应用指导 | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation

  

  云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗，从而提供更优的整体效率，这使得GaN器件在高频、高效率的应用中展现出明显优势。我们的应用指导将帮助客户更好地使用云镓的GaN器件，更大限度去挖掘云镓的GaN器件的

  FET GaN SPICE

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• 发布了文章 2025-11-11 13:43

  双向创“芯” — 云镓半导体国内首发高压 GaN 双向器件 （GaN BDS）

  

  云镓半导体双向创“芯”—云镓半导体国内首发高压GaN双向器件MBDS1.前言长期以来，器件工程师都在追求一种可双向导通且双向耐压的开关元件，该类器件在AC/DC、DC/AC及AC/AC变换的应用场景中广泛应用。典型拓扑有双开关有源桥拓扑、Cyclo-converter、Vienna整流器、MatrixConverter等，此类拓扑在数据中心、光伏微逆、车载充

  GaN 双向器件

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• 发布了文章 2025-11-11 13:43

  云镓半导体发布 3kW 无桥图腾柱 GaN PFC 评估板

  

  云镓半导体云镓半导体发布3kW无桥图腾柱GaNPFC评估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技术文档将重点介绍基于云镓半导体650VGaN器件的3kW无桥图腾柱PFC(BTP-PFC)评估板。对于服务器电源/通信电源/移动储能等产品设计有借鉴意义。2.云镓GaN参数优势传统PFC电路基于整流桥和boost拓扑构成

  GaN PFC 评估板

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• 发布了文章 2025-11-11 11:47

  乐高化组装，一键式测试 | 云镓GaN自动化双脉冲测试平台

  

  云镓半导体乐高化组装，一键式测试|云镓GaN自动化双脉冲测试平台作为一种新型开关器件，GaN功率器件拥有开关速度快、开关损耗低等优点。当前不同GaN工艺平台下器件行为表现差异较大，且GaN器件的静态特性和动态特性存在较大不同，传统的静态测试表征不足以反映器件在实际工作中的动态行为，如何全面评估GaN器件的动态表现对于系统应用意义重大。云镓半导体具有多年的Ga

  GaN 功率器件 自动化

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• 发布了文章 2025-11-11 11:47

  喜报 | 第十四届纳博会创新创业大赛首场路演，云镓半导体一举夺魁，直通决赛！

  

  云镓半导体喜报|第十四届纳博会创新创业大赛首场路演，云镓半导体一举夺魁，直通决赛！创新引领未来，创业铸就辉煌3月21日下午第十四届中国国际纳米技术产业博览会创新创业大赛启动仪式暨首场行业赛在苏州纳米城顺利举行园区党工委委员、管委会副主任倪乾，园区科技创新委员会党组书记、主任潘瑜，苏州纳米科技发展有限公司董事长张淑梅、副总裁李寿祥等领导出席本次活动。来自广发证

  功率器件 半导体

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