MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘（SSD）可延长寿命
2024-03-18 10:24:36
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器件选型。 1. Compact系列CPLD总体介绍 Compact 系列器件是采用 55nm 工艺制造的低成本、高密度IO并具有非易失性的CPLD产品，采用先进的封装技术，提供上电瞬间启动功能；其中
2024-03-16 07:08:16
MR25H256 MRAM 存储器 mikroBUS™ Click™ 平台评估扩展板
2024-03-14 22:03:11
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
瑞萨日前宣布，公司已基于STT-MRAM的电路技术开发出具有快速读写能力的测试芯片。该MCU 测试芯片采用 22 纳米工艺制造，包括一个 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存储单元阵列。
2024-03-05 10:05:46198 
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-02-19 11:32:41367 
佰维存储的TF200系列microSD卡已经成功通过了树莓派（Raspberry Pi 4B）的AVL认证，确保了与树莓派微型计算机的完美兼容。这一系列的microSD卡凭借其高稳定性、高可靠性和高耐久性等特点，已经成为了许多主流终端设备的首选存储解决方案。
2024-01-24 17:00:48192 台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 MRAM的基本结构是磁性隧道结，研发难度高，目前主要分为两大类：传统MRAM和STT-MRAM，前者以磁场驱动，后者则采用自旋极化电流驱动。
2024-01-22 10:50:50123 
据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。
2024-01-19 14:35:126646 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。
2024-01-18 16:44:044838 鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（MRAM）这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
2024-01-18 14:44:00838 1月9日-12日，超4000家展商汇聚于2024年国际消费电子展。其中，康盈半导体携旗下B端和C端全明星系列产品线产品亮相CES，涵盖eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI
2024-01-15 18:23:27180 
MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03212 
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
2024-01-09 11:15:26200 
最近，Imec公布的超大规模自旋轨道转移MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能，每比特开关能量低于100飞焦耳，耐用性超过10的15次方。
2024-01-05 11:47:18430 
型号: STT5PF20V-VB丝印: VB8338品牌: VBsemi参数:- 封装: SOT23-6- 沟道类型: P-Channel- 最大电压(Vds): -30V- 最大电流(Id
2024-01-03 11:35:45
佰维存储始终秉承着创新理念、追求行业领先的精神，致力于为电竞用户创造突破性的使用体验。借助公司在存储解决方案研发及先进封测技术上取得的技术成果，佰维存储悟空系列能为电竞玩家和超频专家带来安全有效的数据处理和数据保护，让他们尽享飞速游戏体验。
2023-12-29 14:11:58157 ”系列存储产品首发上市 ，旨在满足电竞玩家和超频专家的实际性能需求，为电竞爱好者提供焕然一新的流畅体验。 悟空系列承载了佰维存储对产品不断创新、追求卓越的匠心独运，致力于为电竞用户开创突破性的体验。基于公司在
2023-12-29 11:44:56113 
电竞产业稳步发展，带动游戏硬件领域的旺盛需求。在电子竞技比赛中，“失之毫厘，差之千里”，一款高性能、稳定可靠的电竞存储产品是每位游戏爱好者的必备之选。近日，佰维存储为电竞消费者倾力打造的“悟空”系列存储产品首发上市，旨在满足电竞玩家和超频专家的实际性能需求，为电竞爱好者提供焕然一新的流畅体验。
2023-12-29 11:03:04334 描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
易失性存储和精确的实时时钟，本文推荐使用国产PB85RS2MC铁电存储器用于该存储系统中。铁电存储器PB85RS2MC在系统主要是实现数据的非易失性存储和的实时时
2023-11-27 10:17:05
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM研发逐渐走向低调。
2023-11-22 14:43:53213 
Oracle中的Parallel是一种高级技术，可以显著提高查询和数据处理的性能。它利用多处理器系统中的并行计算能力，同时利用多个CPU来处理查询，从而加快数据处理速度，减少查询时间
2023-11-17 14:25:23473 STT2408A50 可控硅规格书参数资料下载。
2023-11-15 14:44:11
0 随着相变存储器 (PCM)、STT-MRAM、忆阻器和英特尔的 3D-XPoint 等技术的快速发展，高速的、可字节寻址的新兴 NVM 的产品逐渐涌现于市场中
2023-11-14 09:28:10418 
16-bit Parallel 64-Pin LFCSP EP Tray AD9268BCPZ-125 Product Technical
2023-11-07 18:39:31
ROM存储和RAM存储在物理结构上有什么区别，如何才能实现只读存储和随机存储？
2023-10-30 07:09:38
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-10-26 10:45:10
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，介绍MAX®II系列即时开启非易失性CPLD基于0.18-μ，6层金属闪存工艺，密度从240到2210个逻辑元件（LE）（128至22
2023-10-24 15:38:16
本应用笔记详细描述了如何利用AT32系列MCU存储器中的零等待区（ZW），实现在擦除或者编程过程中保证CPU重要内容正常运行，免受MCU失速影响。
2023-10-24 08:17:28
STM32怎么实现一个非阻塞性的串口屏收发
2023-10-24 08:15:33
随着工业4.0的出现，工厂的智能化和互联性正在日益提高。智能工厂中的机械设备就能够采用所连接的无线传感器节点的实时数据，提前预测可能发生的故障，并通知控制系统采取纠正措施，以避免意外的系统停机。累积
2023-10-19 11:27:37
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)MAX22195: High-Speed, Octal, Industrial Digital Input with Parallel Output Data
2023-10-17 19:15:17
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
IAR能否支持对兆易的GD32进行编程开发
2023-10-11 07:30:23
ST 的 8 位微控制器平台基于高性能 8 位内核，配有先进的成套外设。 该平台采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存储器专有技术。STM8 通过增强型堆栈指针运算、先进的寻址模式和新指令实现快速、安全的开发。S
2023-10-10 08:05:14
ST 的 8 位微控制器平台基于高性能 8 位内核，配有先进的成套外设。 该平台采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存储器专有技术。STM8 通过增强型堆栈指针运算、先进的寻址模式和新指令实现快速、安全的开发。
2023-09-28 08:05:11
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
亘存科技成立于2019年，是一家以mram技术为中心，致力于设计、开发和销售相关产品的Fabless企业。总公司设在深圳，在上海、苏州等地设有r&d中心和支持团队。
2023-09-20 10:27:21661 本文档介绍了 STM32H7 系列微控制器上纠错码（ECC）的管理和实现。本应用笔记针对保护内部存储器内容的 ECC 机制，描述了与之相关的硬件、软件信息。除此之外，也可使用外部存储器进行 ECC
2023-09-08 07:31:20
本参考手册面向应用程序开发人员。它提供了关于如何使用STM32G4系列微控制器存储器和外围设备。
STM32G4系列是一系列具有不同内存大小和封装的微控制器以及外围设备。
有关订购信息、机械
2023-09-08 06:59:58
（STSAFE-A110 微控制器（以下统称为 STSAFE））可增强安全性。安全服务是一种可升级的代码，提供了一组服务，非安全应用程序可以在运行时间使用这些服务，这些服务管理着与非安全应用程序相隔离的关键资产。非安全
2023-09-06 07:52:32
飞思卡尔的Kinetis设备提供FlexMemory技术，该技术为灵活的内存使用提供了多功能和强大的解决方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM组成。
FlexNVM是一种非易失
2023-09-04 06:29:35
新能源汽车的核心技术是大家熟知的动力电池、电池管理系统和整车控制单元。车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高性能非易失性存储技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析
2023-09-01 10:04:52
作为一种磁性技术，MRAM本质上是抗辐射的。这使得独立版本在航空航天应用中很受欢迎，而且这些应用对价格的敏感度也较低。它相对较大，在内存领域，尺寸意味着成本。
2023-08-30 15:28:50407 本指南介绍事务性内存，它允许自动执行代码，而无需始终实现限制性能的同步方法。
ARM事务内存扩展(TME)是事务内存的ARM实现。
现代复杂系统在不止一个处理器上执行。
对存储器访问的管理确保了当
2023-08-17 07:57:59
动态存储运行时数据在神经网络的推理过程中。
•AXI接口M1用于允许更低带宽和更高带宽的内存事务
延迟因此，AXI M1接口可以连接到较慢或较少突发的存储器例如闪存或DRAM。内存用于运行时的非易失性
2023-08-02 06:37:01
深圳市三佛科技有限公司供应KP3111LGA必易微5V200mA离线式PWM功率开关，原装，现货 高性能、低成本离线式 PWM 功率开关KP3111LGA必易微5V200mA离线式PWM
2023-08-01 16:51:03
收到米尔瑞萨RZ/G2L开发板后一直对米尔旗下开发板的做工感到非常精致，同时也有着很强大的功能，也一直很喜欢米尔系列开发板。
引领工业市场从32位MPU向64位演进
基于瑞萨高性价比RZ/G2L
2023-07-29 00:21:11
FSMC(Flexible Static Memory Controller，灵活的静态存储控制器)是STM32系列采用的一种新型的存储器扩展技术，使用FSMC外设来管理扩展的存储器。
2023-07-27 17:23:241334 
就需要一块非易失性存储芯片来储存这些数据。非易失性存储器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它们在系统掉电的情况下仍可保留所存数据，但因其技术都源于R
2023-07-25 10:31:33
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护
2023-07-21 15:01:52
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩
2023-07-14 17:15:06
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 新唐M032就是以前的nuc123 (USB 通讯系列)和NUC029的合并系列，但是就稳定性，抗干扰性就不如单纯的NUC123, 在测试发现，M032的UART TTL通讯干扰出会误码，而nuc123基本不会，USB抗干扰也没NUC123强悍
2023-06-27 06:34:25
MRAM在数据记录应用中，数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。可以记录系统内外部发生的事件；使用历史；环境参数 ；机器状态；用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 RAID控制卡的日志存储器存放重要数据，如日志和数据写入完成、奇偶校验写入、错误日志等。在断电的情况下，控制器查询日志内存，以了解从哪里开始恢复。
2023-06-12 17:11:11323 服务器数据恢复环境：
一台DELL EqualLogic PS系列存储，存储设备中12块磁盘组建一组raid5，文件系统是VMFS系统；共划分3个卷。
服务器故障：
存储设备在工作中突然
2023-06-09 11:30:18325 
Everspin型号MR0A16A容量为1Mbit的MRAM存储芯片，组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，续航时间无限制。数据在20年以上的时间内始终是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 为了进行性能比较，使用了三种不同的存储芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR闪存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND闪存。
2023-05-31 17:14:24788 
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
的新一代S32区域处理器和通用汽车MCU首批样品 了解详情 全球领先汽车处理企业恩智浦半导体宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件
2023-05-26 20:15:02396 MRAM是一种新型的非易失性存储器技术，与传统的存储器技术相比，MRAM具有更快的读写速度、更低的功耗、更高的可靠性和更长的寿命。
2023-05-23 17:34:15395 色坏易折安瓿折断力测试仪安瓿瓶折断力测试仪是一种用于测试安瓿瓶的机械强度、可靠性和安全性能的专用试验设备，通常由液压系统、数据采集系统、测试夹具等主要组成部分。在测试过程中，将待测安瓿瓶放置在测试
2023-05-23 16:42:10
一种便携式存储设备，当插入计算机时，被解析为内置硬盘设备。这也是一种非易失性闪存。与MMC和SD卡一样，USB闪存驱动器是一种更受欢迎的可移动存储形式。
5、RAM
RAM是一个易失性内存选项。一旦设备
2023-05-18 14:13:37
其数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
2023-05-12 16:31:39268 targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用户指南中的说明使用 CAAM 可信纯密钥加密/解密非易失性存储上的数据，但 bsp 不包括使用 CAAM 标记密钥加密所需
2023-05-09 08:45:33
下一阶段，复旦微电全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存储器全系列产品将覆盖64Kbit~2Mbit容量，FM25N将补全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
S3A1604是一种NETSOL MRAM存储芯片。具有SPI总线接口、XIP(就地执行)性能和基于硬件/软件的数据保护系统。可以取代具有相同功能和非易失性的闪存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允许带宽扩展选项。
2023-04-27 17:33:44420 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储
2023-04-19 17:45:462547 服务器数据恢复环境：
DELL EqualLogic PS系列某型号存储；
16块SAS硬盘组成一组RAID5；
划分了4个卷，采用VMFS文件系统，存放虚拟机文件。
服务器故障
2023-04-19 11:29:57465 
昆腾系列存储：9个配置24块硬盘的磁盘柜。8个磁盘柜存储数据，1个磁盘柜存储元数据。
2023-04-17 13:49:45280 
我想将 iMX RT1024 连接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 数据表声明它与 SRAM 接口兼容但是，通过比较 MR5A16A 数据表和 iMX RT1024 参考手册
2023-04-17 07:52:33
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
打造具备高可靠性、高安全性、覆盖不同电压、不同容量的车规级存储产品，在应用端得到了充分的验证并深受客户认可。全系列创新产品覆盖，满足行业所需随着自动驾驶、车联网和新能源汽车的快速发展，在紧凑空间
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
STT-MRAM它具有SPl总线接口、XIP（就地执行）功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPl（串行外围接口）是一个带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存储中，分为用户应用程序存储区CodeFlash，用户非易失数据存储区DataFlash,系统引导程序存储区Bootloader，系统非易失配置信息存储区InfoFlash。一般在使用时
2023-04-07 11:46:50
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
MRAM磁性随机存储器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
MRAM磁性随机存储器 UDFN8_2X3MM_EP VCC=1.8V~5.5V
2023-04-06 11:13:38
在PLC(可编程逻辑控制器)产品中，MRAM芯片的应用也日渐普及，本文将介绍MRAM芯片应用于PLC产品上的特性。--代理商：吉芯泽科技
2023-03-29 16:31:221169 
我目前正在尝试防止临时对称密钥在重新启动后保留在内存中。我的巧妙计划是使用 i.MX RT1064 处理器寄存器（保证在重启时归零）对它们进行异或，我在重启时将其设置为随机数。（这与非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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