并非所有非易失性或闪存 FPGA 器件都是一样的。本文探讨了真正的非易失性FPGA的优势 - 包括显著降低功耗、更快的响应时间、无与伦比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是无法复制的。
2022-11-14 15:34:19
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NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:32187 
为了实现 对非易失内存的管理与利用、对文件数据缓存的管理与访问，本文设计并实现了面向非易失内存的MPI-IO接口优化（NVMPI-IO）。本文的工作主要包括：
2022-10-09 10:53:10247 ），查找表（LUT，Look up table）查找表（LUT, look up table）编程元素非易失性（Flash，EEPROM）易失性（SRAM）特点
非易失性 ：即使切断电源，电路上的数据
2011-09-27 09:49:48
电子发烧友网站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM适配器.zip》资料免费下载
2022-07-12 10:20:41
0 几乎可以将整个图形系统集成到非易失性 FPGA 中。该系统具有极长的生命周期、系统内现场可升级性以及对不同总线、接口和显示器的适应性，满足嵌入式市场对即时、高可靠性、安全显示器的要求。
2022-06-14 16:48:11503 
VDRF128M16XS54XX2V90是一种128Mbit高密度同时读/写非易失性闪存内存模块组织为8M x 16位。
2022-06-08 11:02:481 [ESP8266学习笔记]components_nvs 非易失性存储 Non-Volatile Storage(NVS)，保存数据到flash
2021-12-02 12:51:119 文章介绍一些应用在血液透析机上的非易失性MRAM. 血液透析机使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性、不需要电池或电容器、无限的非易失性写入耐久性和非易失性写入周期和读取周期的高速。这些独特的MRAM属性提高了
2021-11-11 16:26:49214 低功耗设计的植入人体的增强生命的患者监护设备，小尺寸内存，赛普拉斯FRAM 提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，而不会影响速度或能源效率。本篇文章介绍64Kbit非易失性铁电存储器FM25640B。
2021-06-30 15:42:461018 AD5116单通道，64位，按钮，±8%电阻容差，非易失性数字电位器数据表
2021-06-18 09:12:065 AD5258非易失性、兼容I2C®的64位数字电位器数据表
2021-06-16 17:24:029 AD5258：非易失性I2C®兼容64位数字电位器产品手册
2021-05-12 17:43:542 可靠性和低能耗的强大环境而设计，其系统具有快速，对称的读/写性能和无限的耐用性。这些优势使RIM的三相智能电表能够快速，频繁且即时地非易失性存储关键电表数据。在断电或篡改的情况下，RIM系统能够立即将关键数据保存并保护到MRAM，而无需外部电池或超级电容器。 因此在重新启动或授权访问RIM仪表
2021-05-11 17:15:59257 现有非易失性内存文件系统都以DRAM模拟非易失性内存（Non- Volatile memory，NVM）进行测试，而没有充分考虑两者间的写时延和写磨损特性差异，使得测试结果无法准确反映文件系统在
2021-05-07 11:05:2013 AD5259：非易失性I2C兼容256位数字电位器数据表
2021-04-26 09:00:1711 UG-932：使用芯片间总线和非易失性故障记录评估ADM1260超级序列器
2021-04-24 14:38:011 ADM1166：带余量控制和非易失性故障记录的超级序列器
2021-04-24 12:29:412 ADM1169：带裕度控制和非易失性故障记录数据表的超级序列器
2021-04-17 10:06:150 电子发烧友网为你提供F-RAM非易失性存储技术优势与安全气囊设计资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-17 08:47:555 ADM1260：带芯片间总线和非易失性故障记录数据表的超级序列器
2021-04-16 17:27:200 新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证，支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航天和工业应用。
2021-04-01 11:10:542330 AD5111/AD5113/AD5115：单通道、128/64/32位、升/降接口、±8%电阻容差、非易失性数字电位计
2021-03-21 06:43:004 AD5123/AD5143: 四通道、128/256位、I2C、非易失性数字电位计
2021-03-21 05:50:205 AD5121/AD5141: 单通道、128/256位、I2C/SPI、非易失性数字电位计
2021-03-20 17:15:348 AD5124/AD5144/AD5144A: 四通道、128/256位、I2C/SPI、非易失性数字电位计
2021-03-20 16:59:036 AD5110/AD5112/AD5114：单通道、128/64/32位、I2C、±8%电阻容差、非易失性数字电位计
2021-03-19 09:37:215 我们知道，传统的DDR DIMM内存是易失性的，也就是必须维持通电才能保持数据，一旦断电就都没了。
2021-02-19 10:18:331161 
内存耐久度指定为存储单元可以写入或擦除的次数。对于尽管严格和广泛使用仍需要高数据完整性的应用程序，内存耐用性是关键的系统性能特征和设计考虑因素之一。铁电RAM或FRAM是一种快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05316 
存储器概况 存储器是计算机系统中的记忆设备，主要是用来存放程序和数据。存储器按存储特性可分为非易失和易失两大类。目前常见的多为半导体存储器。 非易失性存储器 非易失存储器是指在系统停止供电的时候仍然
2020-12-07 14:26:133520 
电子发烧友网站提供《非易失性NVSRAM存储器的详细讲解.pdf》资料免费下载
2020-11-25 11:12:0024 FRAM器件提供非易失性存储，用10年的数据保存时间，在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件，工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作
2020-09-19 11:56:481389 ROHM确立了非易失性逻辑IC技术的可靠性，已经开始进行批量生产阶段。此次采用了非易失性逻辑CMOS同步式的技术开发了4 Pin非易失性逻辑计算IC“BU70013TL”。这个产品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00388 ，如只读存储器和闪存）结合起来。接下来宇芯电子介绍关于非易失性FRAM中的预充电操作。 预充电是FRAM的内部条件，在该条件下，存储器被调适以进行新的访问。 FRAM设备中的预充电操作在以下任何条件下启动： 1.驱动芯片使能信号/CE至高电平
2020-08-18 15:22:32473 
ADI最新的AD512x / 4x系列非易失性数字电位计简介。最新的创新型专利解决了一个传统的对数增益问题，确保宽输出范围和带宽，且容差误差小于1%。
2019-07-08 06:13:001619 事实上，除了这些传统要求，在前两代非易失FPGA产品的经验基础上，莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）公司还认识到需要灵活的片上非易失存储器，以及作为非易失FPGA新要求的用于现场逻辑更新的全面解决方案。
2019-06-16 09:48:471087 大型厂商的产品导入、存储级内存（SCM）的新兴应用以及五大逻辑代工厂的涉足将推动非易失性存储市场的增长。 新兴非易失性存储（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市场环境 相变存储
2018-07-04 11:55:005809 
影响，相关的存储与事务处理技术是其中值得关注的重要环节．首先，概述了事务型数据库系统随存储环境发展的历史与趋势；然后，对影响上层数据管理系统设计的非易失性存储技术以及面向大数据应用领域与硬件环境优化的事务技术进行综述
2018-01-02 19:04:400 非易失性半导体存储器的相变机制
2017-01-19 21:22:5414 近日，英特尔宣称即将推出的Optane非易失性内存将在今年第二季度以16GB和32GB M.2扩展卡形式发售。
2017-01-09 17:14:42909 使用赛道存储单元的近阈值非易失SRAM_孙忆南
2017-01-07 21:45:571 DS1855双路非易失性（NV）数字电位器和安全存储器由一个100级线性变化电位器、一个256级线性变化电阻器、256字节EEPROM存贮器、和2线接口组成。
2013-02-19 16:53:302194 
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款应用于严苛环境的高温非易失性(nonvolatile)闪存器
2012-11-26 09:23:051914 (ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出一系列非易失性单通道、双通道和四通道数字电位计(digiPOT)AD512x和AD514x
2012-11-12 09:12:591197 DS1218非易失控制器芯片供应电路要求提供标准CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141284 
DS1746是一个全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，实时时钟/日历(RTC)和128K×8非易失性静态RAM
2012-03-19 16:28:12697 
DS1243Y 64K非易失SRAM，带有隐含时钟是一个内置的实时时钟(8192字由8位)是由完全静态非易失性内存 。
2012-01-04 10:53:261126 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:181043 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:41:50805 
DS3911是一款四，10位Δ-Σ输出，非易失(NV)控制器，具有片上温度传感器和相关的模拟到数字转换器(ADC)
2011-06-30 10:05:021067 
(MCP41XX/42XX)非易失性数字电位器。全新7位及8位器件集成了串行外设接口(SPI),适用于-40℃-+125℃更广泛的工业温度范围
2011-02-23 14:30:3453 赛普拉斯半导体子公司AgigA技术公司日前宣布，推出业界最高存储密度的DDR3解决方案，成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM™非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8GB的存储密度，从而为系统架构师和设计者提供了充
2011-01-26 16:45:37518 MAX5417/MAX5418/MAX5419为非易失性、线性变化的数字电位器，实现机械电位器的功能，采用简单的2线数字接口就取代了机
2010-12-21 09:51:06967 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-12-07 10:21:02839 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011219 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:53:311674 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路
2010-11-24 09:47:28812 
这款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技术，采用独特的55纳米(nm)非易失性内存(NVM)构建而成，旨在
2010-11-11 18:05:13733 DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:231136 DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04:04916 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:581214 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38754 
DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于
2010-10-22 08:55:09771 
DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091019 
DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-21 09:03:59680 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27726 DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路
2010-10-20 09:04:42963 DS1554是一个全功能的，2000年兼容(Y2KC)，实时时钟RTC的闹钟，看门狗定时器/日历(RTC)上电复位，电池监控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081111 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
2010-09-28 08:58:30941 
该DS1557是一个全功能实时时钟/日历(RTC的同一个RTC报警，看门狗定时器，上电复位，电池监控)，以及512K的× 8非易失性静态RAM。用户访问DS1557内部所有寄存器完成了一个字节宽
2010-09-15 09:51:32647 
概述
可编程逻辑器件已经越来越多地用于汽车电子应用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技术(快闪和反熔丝)，不易发生由中子引发的固件错误，
2010-08-26 10:52:38391 AGIGARAM非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8GB的存储密度，从而为系统架构师和设计者提供了充分的灵活性，可以专为某些特定应用需求量身定制非易失性存储器。AgigA
2010-08-20 09:27:26575 非易失性半导体存储器的相变机制
非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和
2010-01-11 10:02:22496 非易失性半导体存储器的相变机制
非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电
2009-12-19 10:37:46520 
X9511 ─ 按键式非易失性数字电位器简介X9511 是一个理想的按钮控制电位器，其内部包含了31 个电阻单元阵列，在每个电阻单元之间和任一端都有可以被滑动端访
2009-11-14 14:50:3838 充分利用MAXQ®处理器的非易失存储服务
摘要：需要非易失数据存储的应用通常都需要使用外部串行EEPROM。这篇文章介绍了仅使用MAXQ微控制器中已有的闪存提供非易失
2009-05-02 09:28:54628 
Xicro公司生产的X25Fxx 系列非易失性快速擦写串行 RAM 具有功耗低, 擦写速度快的特点 ,它采用 SPI 三总线接口,可与各种单片机连接,且具有很完善的数据保护功能。本文从应用角度出发
2009-04-25 16:01:3518 摘要：本文讨论如何使用安全数字(SD)媒体格式扩展MAXQ2000的非易失数据存储器。 低功耗、低噪声的MAXQ2000微控制器适合于多种应用。MAXQ2000在闪存中存储非易失性数据，
2009-04-23 16:25:25880 
英特矽尔Intersil推出小型非易失性按钮式数控电位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按钮式数控电位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:55545
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