近日，飞易通迎来重要里程碑——公司FeasyBlue蓝牙协议栈成功通过ASPICE CL2认证！中汽研公司两位领导亲临企业，为飞易通隆重颁发认证证书，共同见证这一值得铭记的里程碑时刻。
2026-01-04 14:26:59
199 eMMC全称为 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存储，它弥补了 FPGA 芯片自身存储能力的不足，为 FPGA 提供一个高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盘”或“固态硬盘”解决方案。
2025-12-23 14:19:283983 
。 I2C接口模块实现了I2C协议的标准模式和快速模式，支持多主机I2C总线架构。其标准模式为100K，快速模式400K。而EEPROM，作为一种支持字节级单独擦写、数据掉电不丢失的存储器，其存储容量（从几字节到数百千字节）恰好满足了大量嵌入式应用对中小规模非易失性数据存储的需求
2025-12-21 21:39:36446 
在存储技术快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻随机存取存储器）以其独特的性能，逐渐成为业界关注焦点。它不同于传统的闪存或DRAM，利用磁性而非电荷来存储数据，兼具高速、耐用与非易失性特点。
2025-12-15 14:39:04243 概述 1.1 产品简介 AMD Kria K24 SOM 集成了定制的 AMD Zynq UltraScale+ MPSoC，搭配 LPDDR4 内存、非易失性存储设备、安全模块和铝制散热外壳。它
2025-12-15 14:35:02194 在电子设备设计中，数据存储是一个关键环节，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）因其非易失性和可重复编程的特性，成为了众多应用的理想选择。今天，我们就来深入探讨 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42446 
在锂电池的生产与应用领域，安全始终是重中之重。锂电池外壳的气密性直接关系到电池的性能、寿命以及使用安全。传统的检测方法往往存在一定的局限性，而如今，非破坏性检测新选择——锂电池外壳气密性检测仪
2025-12-02 14:31:48134 
的10资源;如系统需要更多管脚，亦可支持LQFP100封装，灵活应对多样化应用扩展。
除了大容量 PSRAM，该MCU还内置2K CPLD (FPGA)逻辑资源，实现了“MCU+可编程逻辑+大内
2025-12-01 16:47:34
在存储技术快速演进的今天，一种名为STT-MRAM（自旋转移矩磁阻随机存取存储器）的新型非易失存储器，正逐步走入产业视野。它不仅继承了MRAM的高速读写能力与非易失特性，更通过“自旋电流”技术实现了信息写入方式的突破，被视为第二代MRAM技术的代表。
2025-11-20 14:04:35248 在嵌入式存储应用中，串口MRAM芯片凭借其非易失性、高速度及高耐用性受到广泛关注。作为磁性随机存储器技术的代表，Everspin磁性随机存储器在工业控制、数据中心和汽车电子等领域表现优异。
2025-11-19 11:51:41146 TPL0102配备两个线性锥形数字电位器（DPOT），共有256个擦拭位置。 每个电位器既可作为三端子电位器，也可以作为两端子电阻器使用。这 TPL0102-100的端到端电阻为100 k
2025-11-19 11:33:38623 
，都属于集成电路里的核心成员。要是按“断电后数据能不能留在器件里”来分，存储芯片能分成易失性和非易失性两种。易失性存储芯片就像电脑的内存（像SRAM、DRAM这类
2025-11-17 16:35:402724 
于管理等优点。
[]()
设计原则
设计基于2K3000处理器的全功能COM-E（Type6）核心板，覆盖处理器所有资源，避免因需求变化，而必须对核心板进行裁剪及重新设计的工作量，增强通用性和可靠性
2025-11-15 11:43:19
海振远推荐的AG32系列MCU作为高性价比异构计算平台，其独特架构和功能特性在嵌入式领域具有显著优势。以下是核心特性分析：
1、FPGA+MCU融合设计
内置2K逻辑单元的FPGA
2025-11-06 11:15:22
与CPLD进行通信
2、DMA配置流程
•在MCU端预先配置DMA控制器，设置读取CPLD中已准备数据的参数
•配置完成后，DMA控制器进入待命状态
3、数据传输过程
•当CPLD
2025-10-31 15:42:18
MRAM是一种利用电子的自旋磁性来存储信息的非易失性存储器。它完美结合了SRAM的高速读写特性与闪存（Flash）的非易失性，能够在断电后永久保存数据，同时具备无限次擦写、无磨损的卓越耐用性。MRAM将磁性材料集成于硅电路中，在单一芯片上实现了高速、可靠与长寿命的统一，是存储技术的一次重大飞跃。
2025-10-24 15:48:44414 一次性可编程（OTP）非易失性存储器问世已久。与其他非易失性存储技术相比，OTP的占用面积更小，且无需额外的制造工序，因此成为存储启动代码、加密密钥等内容的热门选择。尽管听起来简单，但随着人工智能（AI）的大规模部署和对更先进技术的需求日益增长，平衡OTP的各项需求变得极具挑战性。
2025-10-21 10:38:111442 
CMOS bq3285E/L 是一款低功耗微处理器外设，提供时间时钟和 100 年日历，具有闹钟功能和电池供电功能。bq3285L 支持 3V 系统。bq3285E/L 的其他特性包括三个可屏蔽中断源、方波输出和 242 字节的通用非易失性存储。
2025-09-23 10:40:06698 
兆易创新NOR Flash以其高速读取、车规级可靠性和XIP技术，为车载导航系统提供快速启动、实时数据存储和完整路径规划支持，显著提升系统响应速度和数据安全性。
2025-09-23 09:22:003759 
博维逻辑MC62W12816是一款2M低功耗SRAM，采用55ns高速访问设计，为VR设备提供高性能非易失性存储解决方案，显著提升图像处理与数据读写效率。
2025-09-22 09:55:00525 
传统光端机方案中，采用 CPLD +串化器+解串器 等外围电路实现信号处理是常见选择。 现在我们推出 全新替代方案——只需AG32(内置2k CPLD 的 MCU ) + MS21112S
2025-09-18 13:02:33399 
在当下，核心技术的自主可控已是发展的重中之重，而龙芯2K3000国产芯片，无疑是国产科技领域的一颗耀眼明星，为我国信息技术产业的自主创新发展带来了无限希望。
2025-09-05 18:18:03710 珠海创飞芯科技有限公司在非易失性存储技术领域再获突破——基于40nm标准工艺平台开发的eNT嵌入式eFlash IP已通过可靠性验证！这一成果进一步展现了创飞芯科技有限公司在先进工艺节点上的技术实力与工程化能力。
2025-08-14 11:52:592248 cpld中实现DMA的逻辑：
Mcu为master，cpld为slave，mcu对cpld的交互方式为存取寄存器的方式；
mcu中配置好DMA（读取cpld中准备好的数据）；
cpld中准备好数据后
2025-08-12 09:22:56
在芯片工艺不断演进的今天，材料的物理特性与器件层面的可靠性测试正变得前所未有的重要。近日，在泰克云上大讲堂关于《芯片的物理表征和可靠性测试》的直播中，大家就新型存储技术、先进材料电学表征等话题展开了热烈讨论。相变存储作为新一代非易失性存储的代表，其器件性能的测试与优化自然也成为了焦点之一。
2025-08-11 17:48:371171 
高速编程（写入）和读取操作，尤其适合大块数据连续传输。 擦除与写入管理：以“块”（Block）为单位进行擦除，以“页”（Page）为单位写入，需专用控制器管理磨损均衡。 2. 关键特性 非易失性：无需持续供电即可保留数据。 高密度低成本：
2025-08-11 10:43:441645 uboot(最大512k)到sram并执行，
一级boot引导二级uboot(功能比较全的uboot)，
opensbi
kernel
app
有2个uboot的原因是因为最开始在sram里面执行程序对程序大小有要求，第1级uboot要小于512K主要是内存初始化。
2025-07-11 06:42:11
前言：6月26日，广州眺望电子作为龙芯硬件生态在大湾区的核心合作伙伴，在北京中关村国际创新中心举行的2025龙芯产品发布会暨用户大会上登台展示基于龙芯2K3000核心板、工控板、工控机等产品。其中
2025-07-04 14:02:061496 
。 半导体存储器按照断电后数据是否继续保存，可分为易失性(Volatile)存储和非易失性(Non-Volatile)存储。利基型DRAM属于易失性存储，NOR Flash、SLC NAND Flash属于非
2025-06-29 06:43:001768 
k230_sdk使用sd卡启动，能看到sdcard吗，我sd卡启动后无法找到sd卡里的文件,还有我用仓库下的模型在大核终端运行却被告知内存不足，这咋搞
2025-06-25 07:39:12
，代表不同数据状态（如SLC=1bit, MLC=2bits, TLC=3bits, QLC=4bits）。数据以“块”为单位擦除和写入。
特点：
优点：非易失性，容量大（单位成本低），抗震抗摔（无机
2025-06-24 09:09:39
纯分享帖，需要者可点击附件免费获取完整资料~~~*附件：同步电机失步浅析.pdf【免责声明】本文系网络转载，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请第一时间告知，删除内容！
2025-06-20 17:42:06
深圳市三佛科技有限公司 分享 非隔离18V500mA小家电电源方案FT8443BD2，原装现货
使用FT8443BD2设计的高精度，高效率，低成本的恒压输出开关电源
规格: 90~264Vac
2025-06-19 11:01:26
国内领先的一站式存储NVM IP供应商创飞芯在非易失性存储技术领域取得的一项重要成果 —— 基于130nm标准工艺平台开发，为客户定制开发的EEPROM IP，已顺利通过客户全流程的PVT测试
2025-06-12 17:42:071065 在高性能计算、边缘物联网、人工智能和云计算等应用领域，要确保先进SoC设计的安全性与正确配置，一次性可编程（OTP）非易失性内存（NVM）至关重要。随着这些技术朝着先进FinFET节点发展，OTP
2025-06-03 10:41:501781 
资料，方便用户从0开始，快速上手开发。
AGM AG32 MCU和FPGA 目前广泛应用于工业，消费，测试测量和医疗等场景。
AG32内置的FPGA( AGRV2K) 可升级替代EP570
2025-05-30 11:10:50
为了解决高压大容量变频器调速异步电机失电后的重启动问题,本文作者曾经采用过直流侧最小电流法、交流侧最小电流法等多种控制方法检测转子转速。在现场应用中,发现这些方法存在提取信号困难、数据量大以及稳定性
2025-05-27 16:23:32
32K高可靠性固定同轴衰减器（2.92mm，2 W，DC-40 GHz）是一种高性能的射频衰减器，以下是其详细信息：### 技术参数- **频率范围**：DC-40 GHz。- **平均功率**：2
2025-05-27 14:58:33
的FunctionName + 空格 + CPLD信号名称
其中，
这里的 FunctionName，同 1 中的 FunctionName，就是 MCU 里的通路定义。更多定义参考《AGRV2K
2025-05-26 16:22:38
DS4520是9位非易失(NV) I/O扩展器，具有通过I²C兼容的串行接口控制的64字节NV用户存贮器。与用来控制数字逻辑节点的硬件跳线和机械开关相比，DS4520为用户提供了数字可编程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU监控电路，具有内部集成的64字节EEPROM存储器和四个可编程的非易失性(NV) I/O引脚。它配备了工业标准I²C接口，使用快速模式(400kbps)或标准模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41749 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O扩展器，具有I²C兼容串行接口或IEEE® 1149.1 JTAG端口控制的64字节NV用户存储器。DS4550采用数字编程替代硬件跳线和机械开关，实现对数
2025-05-26 09:50:50683 
深圳市易飞扬通信技术有限公司将携多款创新非相干与相干DWDM解决方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展会（5月27-29日，展位号3E2-5），展现高速、低功耗、低成本及长距离光传输领域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04630 
前言：龙芯2K0300蜂鸟开发板支持通过TF卡启动系统。相较于EMMC存储方案，TF卡具备灵活拆卸、便于镜像修改、不受存储容量限制等优势。本指南详细说明在Windows/Linux系统下制作TF卡
2025-05-23 08:32:52811 DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ输出、非易失(NV)控制器，内置温度传感器和相应的模/数转换器(ADC)。集成温度传感器提供分辨率为2°C的NV查找表(LUT)索引，温度范围为-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
AGM 软件中的型号，实际是 AG32 MCU 系列芯片中的逻辑部分。所以芯片封装 丝印为 AG32 MCU 的 AG32VF 系列型号。订货时只需参考 MCU 型号的对应封装，即可作为 AGRV2K 系列 CPLD 使用。
请联系海振远科技。
2025-04-14 09:44:29
与链接类似的问题S32K344 IAR 启动代码问题 （SW32K3_S32M27x_RTD_R21-11_5.0.0_D2410）
export the project from SDK
2025-04-10 07:12:55
芯片烧录领导者昂科技术近期宣布了其烧录软件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型号。在此次更新中，恒烁半导体（Zbit）推出的非易失性闪存ZB25VQ16CS已被昂科烧录程序芯片烧录设备
2025-04-09 15:22:11735 
参考《AGRV2K_Rev2.0.pdf》中的说明。
除了cpld自带的内存，cpld还可以使用mcu的内存sram。
AG32整个芯片系列，内存sram大小都是128K。
如果mcu用不了
2025-04-07 09:25:33
），还有3路可以使用。
3、 cpld可用的时钟（除去SYSCLK的另外4路）：
cpld的时钟除了以上输入的sys_clock，还有4路可以独立使用。
参考《AGRV2K_逻辑设置.pdf》，如下
2025-04-02 10:08:43
我正在使用 nxp s32k312-100 引脚 mcu。
我正在尝试使用基于模型的设计工具箱使用 i2c。
在 simulink 中是否有一种方法我可以在启动和停止条件之间发送和接收多个字节。
我正在尝试连接 TMP75温度传感器。
2025-03-31 07:17:36
中，使用内置CPLD资源设计提供额外的串口。每个串口为内置串口的简化版，串口个数可以自定义。例程中使用了10个串口，占用大约1.8K 的逻辑。加上AG32自带的5个UART,可以实现15+的UART
2025-03-28 10:53:38
，又可再对它写入，为可读/写存储器， 或随机访问存储器。⚫ 易失性
p 若存储器在断电之后，仍能保存其中的内容，则称为非易失性存储器；否则，为易失性存储器；
p 只读存储器（ROM）是非易失性的，随机
2025-03-26 11:12:24
、AG32/AGRV2K系列：
.bin文件，用Supra软件，通过JTAG烧录。
具体使用方法：
Supra软件中选Tools –> Program，AGRV2K仅支持JLINK或
2025-03-14 09:54:06
和CPLD 联合编程）；
如果：
用于1（仅用做MCU），不必关注此文档。
用于2（仅用做CPLD），硬件设计和操作流程，请参考《MANUAL_AGRV2K_3.0.pdf》，或者《AGRV2K Manual
2025-03-13 10:32:21
角形接线接入系统。2台机组分别于2006年1,3月 投入系统运行。投运后不久，31号机组发生了一起 因施工质量和施工工艺问题引起的磁场开关误分 闸，造成发电机失磁跳机事故。纯属分享，点击下方附件免费下载*附件：20250312_磁场开关误跳造成发电机失磁跳机事故分析.docx
2025-03-12 17:05:42
NAND闪存是一种非易失性存储技术，广泛用于固态硬盘、USB闪存盘和手机存储中，具有高速读写和耐用性强的特点。
2025-03-12 10:21:145322 
三一挖掘机一键启动开关易坏的原因虽然三一挖掘机的一键启动系统设计旨在提高便利性和安全性，但在实际使用中，可能会出现一些问题导致开关易坏。这些问题可能包括：频繁使用：挖掘机在施工过程中频繁启动和关闭
2025-03-12 09:29:10
无感直流BLDC，大占空比情况下失步问题
2025-03-11 08:00:38
特性低成本、低功耗的复杂可编程逻辑器件（CPLD）即时启动，非易失性架构待机电流低至 2 毫安提供快速的传播延迟和时钟到输出时间提供四个全局时钟，每个逻辑阵列块（LAB）有两个时钟可用高达 8 千
2025-03-07 15:19:03
全球嵌入式非易失性内存（eNVM）解决方案的领导厂商力旺电子，与旗下专注于PUF（物理不可克隆功能）安全IP的子公司熵码科技，今日正式推出全球首款结合PUF技术的后量子加密（PQC）解决方案。此
2025-03-05 11:43:101003 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时，RAM受到写保护，并且器件切换到电池备用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
带幻象时钟的DS1243Y 64K NV SRAM是一款内置实时时钟、完全静态的非易失性RAM（结构为8192个字x 8位）。DS1243Y具有独立的锂能源和控制电路，可持续监控VCC是否发生超出容
2025-02-28 10:31:43995 
DS9034PCX PowerCap作为非易失性计时RAM的锂电源，采用Dallas Semiconductor的直接表面贴装PowerCap模块(PCM)封装。PowerCap模块板焊接到位并清洁
2025-02-28 10:07:12805 
带锂电池监控器的DS1321灵活非易失性控制器是一款CMOS电路，解决了将CMOS SRAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能输出会被
2025-02-28 10:00:43986 
带电池监控器的DS1314非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现
2025-02-28 09:53:17807 
带电池监控器的DS1312非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现
2025-02-28 09:48:45745 
DS1746是一款全功能、符合2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1746内所有寄存器的访问都通过字节宽接口实现，如图1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
DS1557是一款全功能、符合-2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)，具有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监控器和512k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1557内所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)，具有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监控器和32k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1554内所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:44:58891 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:38:41748 
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC
2025-02-27 10:10:50932 
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字节宽度的接口对DS1744内部的所有寄存器进行
2025-02-27 09:31:07996 
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围
2025-02-27 09:19:54821 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09951 
龙芯中科携手正点原子发布龙芯ATK-DL2K0300B开发板。该开发板为正点原子发布的首款龙芯开发板，为基于龙芯2K0300处理器打造，是一款性价比高、集低功耗与自主创新能力于一身的国产芯片开发平台
2025-02-25 15:29:191352 
可达90 MB/s•STR和DTR支持的协议——扩展I/O协议——双I/O协议——四I/O协议•就地执行（XIP）•程序/擦除暂停操作•易失性和非易失性配置设置•软
2025-02-19 16:15:14
M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM，采用SPI接口，具有32Kbit的存储容量。该器件专为需要非易失性存储的应用设计，能够在断电后保持数据
2025-02-18 21:57:03
特点Intel®MAX®10设备是单芯片、非易失性低成本可编程逻辑器件（PLD），以集成最佳的系统组件集。Intel MAX 10设备的亮点包括：•内置双配置闪存•用户闪存•即时支持•集成模数转换器
2025-02-14 14:25:08
2024年6月，龙芯中科发布了又一款重磅产品龙芯2K0300，龙芯2K0300芯片是一款基于LA264处理器核的多功能SoC芯片，可广泛适用于工业控制、通信设备、信息家电和物联网等领域。经过半年多的打磨，北京迅为电子正式推出基于龙芯2K0300的HMI产品(带壳/不带壳子)。
2025-02-13 14:30:09982 
半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存储器，具有 16 Kbit 的存储容量，专为需要非易失性存储的应用设计。这款器件采
2025-02-10 07:41:41
龙芯LS2K1000LA-i产品简介 LS2K1000LA-i是龙芯双核LoongArch LA264自主架构处理器。创龙科技基于LS2K1000LA-i设计的工业核心板(SOM-TL2K
2025-01-24 09:26:26977 
随着汽车工业的快速发展，汽车电子系统变得越来越复杂，对电子控制单元（ECU）的性能要求也越来越高。CPLD作为一种可编程逻辑器件，以其灵活性、低功耗和快速响应的特点，在汽车电子领域得到了广泛
2025-01-23 10:05:301319 在数字电子领域，CPLD和ASIC是两种广泛使用的集成电路技术。它们各自有着独特的优势和局限性，适用于不同的应用场景。 1. 定义与基本原理 1.1 CPLD（复杂可编程逻辑器件） CPLD是一种
2025-01-23 10:04:171338 CPLD（复杂可编程逻辑器件）是一种介于简单PLD（可编程逻辑器件）和FPGA（现场可编程门阵列）之间的可编程逻辑器件。它们通常用于实现中等复杂度的数字电路设计。优化CPLD性能可以通过以下几个方面
2025-01-23 10:03:001207 CPLD的电源供应稳定且符合规格要求。 接口检查 ：检查所有与CPLD相连的接口，包括I/O引脚和外部设备连接。 物理检查 ：检查CPLD是否有物理损伤，如引脚弯曲或断裂。 2. 软件验证 软件是CPLD功能实现的关键，因此软件验证是故障排除的第一步。 代码编译
2025-01-23 10:01:243046 CPLD（Complex Programmable Logic Device，复杂可编程逻辑器件）的功耗控制是嵌入式系统设计中的重要考虑因素，特别是在便携式或电池供电的设备中。以下是一些关键
2025-01-23 10:00:031116 。它具有中等规模的逻辑资源和较高的集成度，适用于中小型逻辑设计。 CPLD的优势 1. 集成度高 CPLD具有较高的集成度，可以在一个芯片上实现复杂的逻辑功能，减少了外部元件的使用，从而降低了系统成本和复杂性。 2. 编程灵活性 CPLD可以通过编程来实现不同的逻辑功能，这使得它们可以被用于多种不同
2025-01-23 09:54:362222 。与FPGA（现场可编程门阵列）相比，CPLD通常具有更少的逻辑资源，但具有更低的功耗和成本。CPLD的可编程性使其能够快速适应设计变更，这对于快速迭代的嵌入式系统开发至关重要。 2. CPLD的优势 快速开发周期 ：CPLD允许设计者快速实现和修改逻辑功能，加速
2025-01-23 09:50:331932 随着电子技术的快速发展，可编程逻辑器件在各个领域中的应用越来越广泛。CPLD作为一种灵活、成本效益高的解决方案，被广泛应用于多种电子系统设计中。 CPLD概述 CPLD是一种可编程逻辑器件，它通过
2025-01-23 09:48:122314 在数字电路设计领域，CPLD和FPGA是两种常用的可编程逻辑器件。它们都允许工程师根据需要设计和重新配置数字电路，但它们在结构、性能和应用上存在显著差异。 CPLD和FPGA的定义 CPLD
2025-01-23 09:46:362762 在此次更新中，恒烁半导体（Zbit）推出的非易失性闪存ZB25VQ32DS已被昂科的程序烧录专业芯片烧录设备AP8000所支持。昂科技术自主研发的AP8000万用烧录器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
有人用过数字电位器TPL0501-100么？器件比较中说它采用的是易失性存储介质，但是datasheet中关于这点只字未提，不知道上电后，它的抽头到一端的电阻是多少？
2025-01-14 08:37:07
瓜熟方能蒂落，成长需要历练。易飞扬宣布于2025年初启动职员类全员持股行动，向美好的明天说再见，再见，不是不见，是再一次遇见！
2025-01-07 17:43:54971 
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2025-01-07 14:14:46
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