在工业自动化、智能电网及楼宇控制等对通信速率与可靠性要求并重的场景中,传统低速接口逐渐难以满足高速数据交换的需求。为此,SiLM1450LCA-DG RS485收发器,支持高达50Mbps的传输速率
2026-01-05 08:29:15
SN65LVDSxxx:高速通信的可靠选择 一、引言 在电子工程领域,高速数据传输一直是一个关键需求,尤其是在无线基础设施、电信基础设施、打印机等众多应用场景中,对信号传输的速度和稳定性要求越来越高
2025-12-31 17:45:05
2421 探究博通AFBR - FS50B00:高速光无线通信收发器的卓越之选 在追求高速、高效无线通信解决方案的道路上,电子工程师们始终在寻找性能卓越的器件。博通的AFBR - FS50B00收发器,以其
2025-12-30 14:25:16
99 在5G通信、数据中心等高速信号传输场景中,电气隔离与信号完整性至关重要。高速光耦凭借其纳秒级响应速度、高共模抑制比及电气隔离特性,成为通信系统的核心元件。晶台推出的KL6N13X系列高速光耦,凭借其
2025-12-26 13:58:31
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高速通信的得力助手:DS32EL0124/DS32ELX0124解析 在高速通信领域,对于数据传输的效率、稳定性和抗干扰能力有着极高的要求。德州仪器(TI)的DS32EL0124
2025-12-25 17:15:17
420 高速通信利器:DS32EL0124/DS32ELX0124 解串器深度剖析 在高速数据通信领域,如何高效、稳定地实现数据的传输与处理是工程师们面临的重要挑战。德州仪器(TI)的 DS32EL0124
2025-12-25 15:50:15
139 Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响,整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成:核心
2025-12-25 09:12:32
SN65MLVD040:高速数据通信的理想之选 在高速数据通信领域,找到一款性能卓越、稳定可靠的收发器至关重要。今天,我们就来深入了解一下德州仪器(TI)推出的SN65MLVD040 4通道半双工
2025-12-24 17:10:09
188 探索DS80PCI800:PCIe高速通信的理想选择 在当今的电子设备中,高速数据传输和处理的需求日益增长。PCI Express(PCIe)作为一种广泛应用的高速串行总线标准,为设备之间的高速
2025-12-24 14:55:06
147 通道中继器,以其卓越的性能和丰富的功能,为高速通信系统提供了强大的支持。本文将对DS100BR210进行深入解析,探讨其特点、应用、编程及布局等方面的要点。 文件下载: ds100br210.pdf
2025-12-24 11:10:29
171 高速通信利器:TLK10002 10 - Gbps 双信道多速率收发器解析 在高速通信领域,数据传输的高效性和稳定性至关重要。今天,我们就来深入探讨一款功能强大的设备——TLK10002 10
2025-12-24 10:50:13
190 高速通信领域的得力助手:DS125BR820线性中继器解析 在高速通信的世界里,信号的稳定传输和质量保障是至关重要的。今天我们要探讨的DS125BR820低功耗12.5 Gbps 8通道线性中继器
2025-12-22 16:30:07
203 ,并在 “GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices” 分会场首个亮相,标志着氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)技术在移动终端通信领域实现历史性突破。 当前移动通信正
2025-12-18 10:08:20
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解析 ONET8551T:高速光通信领域的得力助手 在高速光通信领域,高速、高增益的限幅互阻抗放大器是关键组件。今天,我们就深入探讨德州仪器(TI)推出的一款这样的放大器——ONET8551T,看看
2025-12-17 10:25:05
231 随着高速计算、数据中心、人工智能和下一代通信系统的快速发展,高速线束线缆作为信号传输链路中的重要环节,其 信号完整性(SI) 成为设计成功与否的关键。
2025-12-15 17:37:26
404 2025年12月6日,芯干线携自主研发的 GaN(氮化镓)核心技术及产品参展世纪电源网主办的亚洲电源展,凭借突破性技术成果与高竞争力产品,成功斩获 “GaN行业技术突破奖”,成为展会核心关注企业。
2025-12-13 10:58:20
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CHA8107-QCB两级氮化镓(GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors(UMS)推出的一款两级氮化镓(GaN)高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
太阳能系统的发展势头越来越强,光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。 其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅
2025-12-11 15:06:21
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解析这款SiLM1450LCA-DG,看看它如何重新定义工业通信的可靠性标杆。
概述
在工业自动化、智能电网和楼宇控制等关键领域,稳定、高速的通信是系统可靠运行的核心。然而,恶劣环境下的噪声干扰、宽温
2025-12-11 08:35:13
在传统横向结构的GaN器件中,电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上,其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部,而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流,从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。
2025-12-04 09:28:28
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TGS2351-SM是Qorvo(原TriQuint)推出的一款采用氮化镓(GaN)技术制造的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片,具备高频、高功率处理能力及快速切换特性,广泛应用于雷达、通信系统等射频
2025-11-28 09:59:47
西昌—昭通高速公路(西昭高速)作为都匀至香格里拉高速(G7611)核心段,正紧张建设中。项目主线全长 204.507公里(含16.7公里共线段),总投资300.12亿元,需攻克12公里级特长
2025-11-26 13:57:02
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Leadway GaN系列模块通过材料创新、工艺优化和严格测试,实现了-40℃至+85℃(部分+93℃)的宽温工作范围,同时兼顾高功率密度(120W/in³)和高效率(≥92%),为工业自动化
2025-11-12 09:19:03
云镓半导体应用指导CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势,如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗,从而
2025-11-11 13:45:04
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云镓半导体应用指导CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势,如大幅提升的开关速度和显著降低
2025-11-11 13:44:52
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云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势,如大幅提升的开关速度和显著降低
2025-11-11 13:44:41
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芯品发布高可靠GaN专用驱动器,便捷GaN电源设计GaN功率器件因为其高工作频率和高转化效率的优势,逐渐得到电源工程师的青睐。然而增强型GaN功率器件的驱动电压一般在5~7V,驱动窗口相较于传统
2025-11-11 11:46:33
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电子发烧友网综合报道 近日,安森美发布器垂直GaN功率半导体技术,凭借 GaN-on-GaN 专属架构与多项性能突破,为全球高功率应用领域带来革命性解决方案,重新定义了行业在能效、紧凑性与耐用性上
2025-11-10 03:12:00
5650 STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允许用户评估STDRIVEG600高速半桥栅极驱动器。STDRIVEG600经过优化,可驱动高压增强模式GaN HEMT。该器件具有集成自举二极管,可提供高达20V的外部开关,并具有专为GaN HEMT定制的欠压保护。
2025-10-24 14:11:19
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在当今这个互联网无处不在的时代,无论是工作还是生活,网络都成了我们离不开的“空气”。而在这张无形的大网中,光纤通信凭借其高速、稳定的特性,成了数据传输的“高速公路”。说到光纤通信,就不得不提一个
2025-10-22 10:15:03
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Leadway GaN系列模块以120W/in³的功率密度为核心,通过材料创新、电路优化与封装设计,实现了体积缩减40%、效率提升92%+的突破。其价值在于为工业自动化、机器人、电动汽车等空间受限
2025-10-22 09:09:58
高速光通信非接触连接器是一种旨在解决传统光纤连接器物理接触问题的创新设备。该设备通过精确的光学设计,在光纤端面之间建立稳定的非接触光路,实现了高速、可靠的数据传输。在技术原理方面,该连接器的核心在于
2025-10-21 17:26:24
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自从氮化镓(GaN)器件问世以来,凭借其相较于传统硅基半导体的多项关键优势,GaN 被广泛认为是快速充电与工业电源应用领域中的变革性技术。
2025-10-21 14:56:44
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运行时会产生巨大的热损耗。在相同条件下,并联MOSFET并不能节省空间或提升效率,因此GaN FET成为一种颇具吸引力的技术。业界对GaN器件性能表现的关注,相应地催生了对各种GaN器件进行准确仿真以优化应用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型,针对GaN FET驱动进
2025-10-15 11:27:02
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GaN-MOSFET 的结构设计中,p-GaN gate(p 型氮化镓栅) 和Cascode(共源共栅) 是两种主流的栅极控制方案,分别适用于不同的应用场景,核心差异体现在结构设计、性能特点和适用范围上。
2025-10-14 15:28:15
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当今数字世界正经历数据流量的爆炸式增长,云计算、人工智能、5G及元宇宙等新兴技术驱动全球数据中心持续扩容与升级,高速数据光通信已成为信息基础设施的核心支柱,短距多模光互联市场(如数据中心机架内
2025-09-11 17:04:55
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继上一篇屏蔽栅MOSFET技术简介后,我们这次介绍下GaN HEMT器件。GaN 半导体材料是一种由镓元素与氮元素组成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,在消费电子领域,特别是快速充电器产品的成功商用,昭示了其成熟的市场地位与广阔应用前景。
2025-09-02 17:18:33
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8月15日,由 德赛电池提供核心储能系统及电芯的湖南立方新能源3.7MW/8.6MWh项目并网仪式顺利举行 。立方新能源、领航投资、德赛电池等多方代表齐聚现场,共同见证这一重要时刻。 湖南立方新能源
2025-08-17 18:31:18
1235 Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的电阻以及集成式驱动器和保护,适用于开关模式电源应用。 通过将GaN FET和栅极驱动器集成在
2025-08-13 14:56:51
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在现代生活中,氮化镓(GaN)基LED应用广泛,其性能受GaN缓冲层厚度显著影响。科研人员通过HVPE与MOCVD结合技术,在蓝宝石衬底上制备了不同缓冲层厚度的LED。美能显示作为专注显示行业精密
2025-08-11 14:27:33
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在半导体照明与光电子领域,氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)凭借其卓越性能,长期占据研究焦点位置。它广泛应用于照明、显示、通信等诸多关键领域。在6英寸蓝宝石基板上,基于六方氮化硼(h-BN)模板
2025-08-11 14:27:24
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在追求高效率、高功率密度的开关电源、DC-DC转换器、逆变器及电机驱动系统中(尤其汽车电子领域),驱动器的性能至关重要。针对GaN、SiC等宽带隙器件对高速、强驱动力和高驱动电压的需求
2025-08-09 09:18:36
基于LED蓝光无线通信技术的水下蛙人对讲机,凭借其独特优势,为水下实时语音对讲开辟了新的途径。一、传统水下语音通信的困境水下蛙人传统上依赖声波通信设备进行语音交流。声波在
2025-08-08 09:39:36
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以下完整内容发表在「SysPro电力电子技术」知识星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封装技术全维解析》三部曲系列-文字原创,素材来源:TMC现场记录、Horse、Hofer、Vitesco-本篇为节选
2025-08-07 06:53:44
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Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET
2025-08-04 10:00:30
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电子发烧友网综合报道 最近垂直GaN功率器件又迎来新进展。7月10日,广东致能CEO黎子兰博士,在瑞典举办的全球氮化物半导体顶尖会议ICNS(国际氮化物半导体会议)上发表邀请报告,首次报道了广东致能
2025-07-22 07:46:00
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为什么LED正电极需要二氧化硅阻挡层?回答:LED芯片正极如果没有二氧化硅阻挡层,芯片会出现电流分布不均,电流拥挤效应,电极烧毁等现象。由于蓝宝石的绝缘性,传统LED的N和P电极都做在芯片出光面
2025-07-14 17:37:33
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Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级集成了栅极驱动器和增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管。93V连续、100V脉冲、53A半桥功率级包含两个GaN FET,由
2025-07-11 14:40:22
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GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管),此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中,如全控型电力开关、高频放大器或振荡器。与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:06
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是德示波器MSOX3054T是一款功能强大的电子测量工具,适用于高频、高速信号的精确分析与测量。在通信、电子工程、嵌入式系统调试等领域,正确使用该设备能够有效提升测试效率与准确性。本文将结合操作指南
2025-07-02 14:24:47
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采用了DK8924AN这颗针对隔离型LED驱动的低THD、高PF的原边控制的准谐振、恒压输出、集成GAN的合封芯片,内置的高压启动电路实现快速启动、THD补偿线路
2025-07-01 16:21:00
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SGK5872-20A
类别:GaN 产品 > 用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT
外形/封装代码:I2C
功能:C 波段内部匹配 GaN-HEMT
高输出功率:P5dB
2025-06-16 16:18:36
一种用于重掺杂n型接触的选择性刻蚀工艺实现了AlN/GaN HEMT的缩小 上图:原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆叠示意图 俄亥俄州立大学的工程师们宣称,他们已经打开了一扇大门,有望制备出
2025-06-12 15:44:37
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作为高速数据传输与光电信号处理的核心器件,垂直腔面发射激光器(VCSEL)在高速光通信、激光雷达等领域应用广泛,其动态特性直接关联器件调制速率及稳定性等关键参数。近期,天津赛米卡尔科技有限公司技术
2025-06-05 15:58:20
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目录
1,整机线路架构
2,初次极安规Y电容接法
3,PFC校正电路参数选取及PCB布具注意事项
4,LLC环路设计注意事项
5,GaN驱动电路设计走线参考
6,变压器输出整流注意事项
一,整体线路图
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2025-05-28 16:15:01
本章介绍了W55MH32的串口通信,讲述了数据通信基础概念、串口通信协议和特性与功能,以及DMA在串口中用于高速数据传输场景,并进行了多种模式的程序设计与下载验证。
2025-05-26 17:00:32
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本期,为大家带来的是《使用基于 GaN 的 OBC 应对电动汽车 EMI 传导发射挑战》,将深入回顾 CISPR 32 对 OBC 的 EMI 要求,同时详细探讨可靠数据测量的最佳做法、GaN 对 EMI 频谱的影响,以及解决传导发射问题的有效方案。
2025-05-24 15:46:00
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可编程差分振荡器具备0.6ps超低抖动、支持LVPECL/LVDS/HCSL输出,交期1~3天,适配数据中心、5G光模块、高速ADC/DAC等高速通信应用。
2025-05-22 11:00:00
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本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC功率晶体管的分析,描述了这些技术的现状,重点阐述了各技术平台的首选功率变换拓扑及关键特性。
2025-05-15 15:28:57
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大家好
我正在使用 CYUSB3014 进行编程,我使用了 USB 3.0 超高速。 在我的项目中,我想使用 winusb 驱动程序而不是 fx3 cyusb 驱动程序。 它现在可以工作了,但我
2025-05-13 06:13:14
在当今数字化飞速发展的时代,数据如同汹涌的浪潮,不断冲击着各个领域。从我们日常使用的智能手机、电脑,到工业生产中的自动化设备,再到航空航天等高端科技领域,数据的传输和交互无处不在。而高速IO通信,就像是数据浪潮中的“高速公路”,确保数据能够快速、稳定地在不同设备和系统之间流通。
2025-05-06 13:55:59
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1立方双层温湿度环境试验箱是一款针对小型零部件、材料样品以及中大型结构件进行高低温湿热试验而设计的高性能环境测试设备。设备采用整体式上下双工作室结构设计,每个工作室的有效容积均为1立方米,可独立
2025-04-29 14:38:53
在数字化浪潮席卷全球的今天,高速通信网络作为信息时代的“神经脉络”,承载着海量数据的实时传输与交互。从5G基站的超高速信号处理,到数据中心的大规模数据交换,再到云计算、物联网的蓬勃发展,对时钟信号
2025-04-23 11:06:57
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电子发烧友综合报道 最近多家GaN厂商推出双向GaN功率开关,即GaN BDS(Bidirectional Switch,双向开关)。这是一种较为新型的GaN功率器件产品,顾名思义,双向GaN主要
2025-04-20 09:15:00
1348 在当今数字化时代,高速光模块通信技术正飞速发展,广泛应用于数据中心、通信基站以及光纤网络等领域。爱普生的差分晶振SG2520EGN(X1G005881)凭借其卓越的性能,在高速光模块通信
2025-04-01 13:35:09
594 在浩瀚水域中实现稳定、高速的无线通信,一直是海洋监测、应急救援及水上作业领域的技术难点。传统射频通信易受干扰、带宽有限,而卫星通信则面临高延迟、高成本的瓶颈。针对这一挑战,六博光电创新推出船载激光通信
2025-04-01 09:15:44
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光纤通信系统的发展历程犹如一部波澜壮阔的科技史诗,其中高速光通信器件的进步无疑是推动整个领域不断向前的核心动力。
2025-03-20 17:44:26
1206 随着5G通信技术的发展和数据中心技术的不断升级,高速通信设备对时钟信号的精度、稳定性和低抖动性能提出了更高的要求。爱普生差分晶振SG2016EHN(X1G006141)凭借其高频、低抖动、小尺寸和宽温度范围等特性,成为了高速通信网络设备中理想的时钟解决方案。
2025-03-19 16:03:49
579 使用SPI进行通信,STM32F4做从机,通信时数据异常,SPI2中SR寄存器会出现0xc0,0xc1,0x80的异常状态值,大概就是BYS位,OVR位,RXEN位
2025-03-14 12:14:46
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:05
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GaN E-HEMTs的PCB布局经验总结
2025-03-13 15:52:35
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基于LTSpice的GaN开关损耗的仿真
2025-03-13 15:44:49
2318 
晶台品牌KL2200、KL2201和KL2202系列光耦,是针对高速开关信号传输,通信接口传输的一系列5MBd传输速率的光电耦合器,本期对一些典型的应用拓扑进行举例说明。如下典型TTL接口框图
2025-03-12 15:41:49
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GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例总结 本文档基于GaN HEMT的实测特性描述了当前版本的模型。该模型专为与PSpice和LTspice配合使用而开发。本文档首先介绍该模型,然后提供将
2025-03-11 17:43:11
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GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 15:46:54
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高速GaN E-HEMT的测量技巧总结 一、概述 重要性 :GaN E-HEMT(氮化镓增强型高电子迁移率晶体管)具有极高的开关速度,因此准确的测量技术对评估其性能至关重要。 内容概览
2025-02-27 18:06:41
1061 什么是氮化镓(GaN)充电头?氮化镓充电头是一种采用氮化镓(GalliumNitride,GaN)半导体材料制造的新型电源适配器。相比传统硅基(Si)充电器,GaN材料凭借其物理特性显著提升了功率
2025-02-27 07:20:33
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Power Solutions的AI(人工智能)服务器电源采用。罗姆的GaN HEMT具有低损耗工作和高速开关性能,助力Murata Power Solutions的AI服务器5.5kW输出电源单元实现小型化和高效率工作。预计该电源单元将于2025年开始量产。
2025-02-26 15:41:25
1002 低电压、高速驱动器和/或低电感无刷电机需要在 40 kHz 至 100 kHz 范围内具有更高的逆变器开关频率,以最大限度地减少电机中的损耗和转矩纹波。TIDA-00909 参考设计通过使用带有三个
2025-02-26 14:26:22
877 CERNEX窄带高功率放大器(GaN)
CERNEX推出的CNP GaN系列窄带高功率放大器专为多种通用应用场景而设计,涵盖实验室测试设备、仪器仪表及高功率输出需求的其他领域。CNP GaN系列窄带
2025-02-21 10:39:06
此参考设计展示了一款具有储能功能的基于 GaN 的四输入双向 1.6kW 微型逆变器。
2025-02-21 10:11:57
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基于宽禁带半导体氮化镓,碳化硅的最新研究进展。研究成果覆盖功率器件技术和新型器件技术: 高速且具备优越开关速度控制能力的3D堆叠式GaN/SiC cascode 功率器件 多年来,商业SiC
2025-02-19 11:23:22
1342 
目前用了一款TI推荐的I2C工具,现在无法与DLPC6401 GUI进行通信,请帮忙看下原因,不甚感激。
2025-02-19 08:28:20
电子发烧友网站提供《GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 16:10:22
0 电子发烧友网站提供《GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 14:24:19
2 用于 GaN 功率开关的高压和高速半桥栅极驱动器产品说明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是两款用于 N 沟道增强型 GaN 的新型高压半桥栅极驱动器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:16
0 在设备间通信日益增长的需求中,对于十几米甚至更长距离的高速外设数据传输变得尤为重要。RS-232C接口,凭借其仅需简单的接收、发送及地线配置,以及成本效益高的双绞线连接,凭借其卓越性能,成为了连接通信
2025-02-12 09:20:27
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随着信息技术的飞速发展,高速信号在互联网传输、计算机内部通信、移动通信及卫星通信等领域中广泛应用。那么,如何判定一个信号是否为高速信号呢?,常见的高速信号类型有哪些呢? 高速信号判定方法 1.一般
2025-02-11 15:14:00
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在开关模式电源中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况,提到了所面临的挑战,并展望了 GaN 作为硅的替代方案在开关模式电源
2025-02-11 13:44:55
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电子发烧友网站提供《电动汽车的SiC演变和GaN革命.pdf》资料免费下载
2025-01-24 14:03:07
3 电子发烧友网站提供《变速电机驱动器受益于集成GaN.pdf》资料免费下载
2025-01-24 13:51:21
0 电子发烧友网站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半导体.pdf》资料免费下载
2025-01-24 13:50:27
0 为了满足下一代高速互连以及高密度专用集成电路(ASICs)的严苛需求,Quantifi Photonics公司近期推出了一款备受瞩目的新品——QCA系列高速通信分析仪。 这款QCA系列高速通信分析仪
2025-01-24 11:34:54
991 电子发烧友网站提供《利用GaN HEMTs降低电机驱动应用的系统成本.pdf》资料免费下载
2025-01-23 08:30:37
0 垂直和横向氮化镓(GaN)器件的集成可以成为功率电子学领域的一次革命性进展。这种集成能够使驱动和控制横向GaN器件与垂直功率器件紧密相邻。在本文中,我们将总结一种解决横向和垂直器件隔离问题的方法
2025-01-16 10:55:52
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,提高系统整体性能。二、通信与网络设备在通信和网络设备中,MX2412H适合于信号的多路复用和解复用,提高信号的传输效率和稳定性。例如,在光纤通信系统中,MX2412H能够将不同的低速信号复合成一个高速
2025-01-16 08:55:47
远山半导体在连续推出几款高压GaN器件后,最终将他们最新款产品的额定电压推向1700V,相较于之前的1200V器件又有了显著的提升。为了解决GaN器件常见的电流崩塌问题,他们采用特有的极化超级结
2025-01-14 09:42:28
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一般低速的ADC、DAC通过串行通信接口,比如SPI与处理器/DSP通信,但高速ADC、DAC与处理器之间是怎么通信的呢
2025-01-10 08:30:47
CERNEX宽带高功率放大器(GaN)CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各种类型通用性技术应用,如实验测试设备、仪表设备和其他需要高功率输出的应用。使用稳固的带状线逻辑电路和指定的GaN
2025-01-08 09:31:22
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