0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

PI推出业界首款采用SiC MOSFET的汽车级开关电源IC

PI电源芯片 来源:PI电源芯片 作者:PI电源芯片 2022-02-16 14:10 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

Power Integrations今日发布两款新器件,为InnoSwitch3-AQ产品系列新添两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC。新IC可提供高达70W的输出功率,主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车,以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。

高度集成的InnoSwitch IC可将电源的元件数量减少多达50%,从而节省大量电路板空间、增强系统可靠性并缓解元器件采购所面临的挑战。屡获殊荣的InnoSwitch产品系列现在有高性价比硅器件、高效氮化镓(GaN)器件和高压SiC晶体管可供选择,可帮助设计人员在广泛的消费电子、计算机、通信、工业和汽车应用中优化其功率解决方案。

Power Integrations汽车业务发展总监Peter Vaughan表示:“800V电池正在成为电动汽车的标准配置。多个车辆系统连接到这个强大的电源,但精巧的电子控制电路只需要几伏电压即可进行工作和通信。使用InnoSwitch器件的电路可以使用很小的电路板面积,安全地从主母线上汲取少许能量供控制电路使用,而不会造成能量的浪费。最值得一提的是,新器件还可以大幅简化主牵引逆变器的应急电源的设计。应急电源需要随时准备着在30V和1000V之间的任何电压下工作。我们基于SiC的InnoSwitch3-AQ器件可以轻松应对如此广泛的工作电压范围。”

新IC采用紧凑的InSOP-24D封装,使用FluxLink反馈链路,可以为次级侧控制提供高达5000伏有效值电压的加强绝缘。FluxLink技术可直接检测输出电压,其优势在于可提供高精度的控制以及极其快速的动态响应特性。在无需借助外部电路的情况下,电源在30V输入电压下即可工作,这对满足功能安全的要求至关重要。其他保护功能包括输入欠压保护、输出过压保护和过流限制。详细信息可点击下方视频链接了解:

新器件内部还集成同步整流和准谐振(QR)/CCM反激式控制器,可实现90%以上的效率,轻松满足最严格的OEM厂商要求。采用此方案的电源空载功耗可低于15mW,可以降低电池管理系统当中电池的自放电。

InnoSwitch3-AQ 1700V器件也适用于工业类应用,以集成解决方案取代分立的控制器加MOSFET设计,节省空间、时间和成本,同时提高可再生能源、工业电机驱动、电池储能和电表等应用的可靠性。

原文标题:Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC

文章出处:【微信公众号:PI电源芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9411

    浏览量

    229474
  • asic
    +关注

    关注

    34

    文章

    1269

    浏览量

    124028
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3305

    浏览量

    51705

原文标题:Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC

文章出处:【微信号:Power_Integrations,微信公众号:PI电源芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    三菱电机SiC MOSFET在工业电源中的应用

    SiC器件具有低开关损耗,可以使用更小的散热器,同时可以在更高开关频率下运行,减小磁性元件体积。采用SiC器件的工业
    的头像 发表于 12-02 11:28 2448次阅读
    三菱电机<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在工业<b class='flag-5'>电源</b>中的应用

    Allegro推出业界首量产10MHz TMR 电流传感器,为宽禁带功率电子器件提供精准保护与控制

    股票代码:ALGM)今日 推出 业界首量产 10 MHz 带宽磁性电流传感器 ACS37100 ,该产品基于 Allegro 先进的 XtremeSense 隧道磁阻(TMR)技
    的头像 发表于 10-22 10:30 6w次阅读
    Allegro<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>业界首</b><b class='flag-5'>款</b>量产<b class='flag-5'>级</b>10MHz TMR 电流传感器,为宽禁带功率电子器件提供精准保护与控制

    东芝推出最新650V SiC MOSFET

    ]第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面贴装TOLL封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三器件于今日开始支持批量出货
    的头像 发表于 09-01 16:33 1939次阅读
    东芝<b class='flag-5'>推出</b>三<b class='flag-5'>款</b>最新650V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    SiLM27531HAC-7G车规单通道 30V, 5A/5A 高欠压保护阈值的高速低边门极驱动解析

    在追求高效率、高功率密度的开关电源、DC-DC转换器、逆变器及电机驱动系统中(尤其汽车电子领域),驱动器的性能至关重要。针对GaN、SiC等宽带隙器件对高速、强驱动力和高驱动电压的需求
    发表于 08-09 09:18

    国产1700V SiC MOSFET在逆变器/变流器辅助电源设计中广受欢迎

    国产1700V SiC MOSFET在逆变器/变流器辅助电源设计中广受欢迎
    的头像 发表于 07-23 18:10 952次阅读
    两<b class='flag-5'>款</b>国产1700V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在逆变器/变流器辅助<b class='flag-5'>电源</b>设计中广受欢迎

    SiC碳化硅MOSFET时代的驱动供电解决方案:基本BTP1521P电源芯片

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅
    的头像 发表于 06-19 16:57 1018次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>时代的驱动供电解决方案:基本BTP1521P<b class='flag-5'>电源</b>芯片

    东芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

    ”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术,并采用紧凑型DFN8×8封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四
    的头像 发表于 05-22 14:51 802次阅读
    东芝<b class='flag-5'>推出</b>新型650V第3代<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    闻泰科技推出车规1200V SiC MOSFET

    ,闻泰科技半导体业务近期推出领先行业的D2PAK-7封装车规1200V SiC MOSFET,为电动汽车行业注入强劲新动能。
    的头像 发表于 05-14 17:55 945次阅读

    国产SiC碳化硅MOSFET在有源滤波器(APF)中的革新应用

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅
    的头像 发表于 05-10 13:38 742次阅读
    国产<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源滤波器(APF)中的革新应用

    SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模块:高效能、超快开关与卓越热管理

    近日,半导体技术公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技术的1200VSOT-227MOSFET模块系列。该系列产品采用先进的共封装设计,具备更快的
    的头像 发表于 04-25 11:39 906次阅读
    SemiQ新一代1200V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模块:高效能、超快<b class='flag-5'>开关</b>与卓越热管理

    SiC MOSFET 开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计

    0  引言SiC-MOSFET 开关模块(简称“SiC 模块”)由于其高开关速度、高耐压、低损耗的特点特别适合于高频、大功率的应用场合。相比 Si-IGBT,
    发表于 04-23 11:25

    开关电源环路开关电源技术的十个关注点

    研究。对高频磁元件所用磁性材料有如下要求:损耗小,散热性能好,磁性能优越。适用于兆赫频率的磁性材料为人们所关注,纳米结晶软磁材料也已开发应用。 高频化以后,为了提高开关电源的效率,必须开发和应用软
    发表于 04-09 15:02

    麦科信光隔离探头在碳化硅(SiCMOSFET动态测试中的应用

    测试结果的准确性。 采用麦科信光隔离探头MOIP200P的SiC MOSFET动态测试结果 客户反馈 在SiC MOSFET的纳秒
    发表于 04-08 16:00

    Nexperia推出采用X.PAK封装的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半导体)正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业1200 V碳化硅(SiC) MOSFET
    的头像 发表于 03-21 10:11 1110次阅读

    CAB450M12XM3工业SiC半桥功率模块CREE

    CAB450M12XM3工业SiC半桥功率模块CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一工业全碳化硅(S
    发表于 03-17 09:59