全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
该系列产品非常适用于电动压缩机※2)的逆变器电路和PTC加热器※3)的开关电路,而且传导损耗更低※4),达到业界领先水平,非常有助于应用的小型化与高效化。
另外,加上已经在量产中的650V产品,该系列共拥有11种机型,产品阵容丰富,可满足客户多样化需求。
前期工序的生产基地为LAPIS Semiconductor Miyazaki Co., Ltd.(日本宫崎县),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand)(泰国)。
近年来随着环保意识的提高和燃油价格的飙升,电动汽车的市场需求不断增长。搭载引擎的传统车辆,压缩机的动力源为引擎,而随着电动车辆的增加,压缩机日益电动化,而且其市场规模也在不断扩大。
另外,以往汽车空调制热,是利用引擎运行的废热;如今以PTC加热器为热源使温水循环制热的系统等的需求也在日益增加。由于驱动频率较低,这些应用的逆变器电路和开关电路中所使用的半导体主要是IGBT。尤其是在电动汽车中,压缩机和加热器的功耗会影响续航距离,因此需要更高的效率。
另一方面,为了延长电动汽车(EV)的续航距离,所配置电池的容量也呈日益增加趋势。特别是在欧洲,采用高电压(800V)电池的汽车越来越多,这就需要更高耐压且更低损耗的功率元器件。因此,除650V耐压的IGBT产品外,对1200V耐压IGBT的需求也日益高涨。
在这种背景下,ROHM开发出满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的1200V耐压产品,与650V耐压产品共同构成了丰富的产品阵容。RGS系列实现了业界领先的低传导损耗(Vce(sat.)),非常有助于应用的小型化和高效化。
此外,1200V耐压产品的短路耐受※5)时间为10μsec(Tj=25℃),即使在要求高可靠性的车载领域也可放心使用。

产品特点
1. 业界领先的低传导损耗
通过优化器件结构,在1200V耐压级别将传导损耗(VCE(sat.))降至1.70V(typ Tj=25℃),与其他公司同等产品(1200V、40A产品)相比,传导损耗改善了约10~15%。
尤其是在电动压缩机和PTC加热器中,由于驱动频率较低,故对传导损耗的重视程度高于开关特性,RGS系列的出色表现已经获得客户的高度好评。
2. 产品阵容丰富,满足客户多样化需求
此次推出的四款1200V耐压产品,加上量产中的650V耐压产品,共11种机型。产品阵容中包括IGBT单品和续流二极管※6)内置型两种类型的产品,客户可根据需求自由选用。

目标电路示例
电动压缩机

PTC加热器

-
IGBT
+关注
关注
1286文章
4263浏览量
260489 -
Rohm
+关注
关注
8文章
399浏览量
67630
原文标题:新品:满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”
文章出处:【微信号:ameya360,微信公众号:皇华电子元器件IC供应商】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
1200V/10μF 超高压铝电解电容 工业变频器专用 耐高压冲击
AEC-Q100测试考核
AFGB30T65RQDN IGBT技术解析与应用指南
车规级二极管 以AEC-Q101为基石 可靠性的“通行证”
Nexperia推出符合AEC-Q101标准的新款100V MOSFET
扬杰科技推出新一代To-247PLUS封装1200V IGBT单管
新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块
车规级SiLM5932SHOCG-DG 30V, 12A 带主动保护的单通道隔离驱动器深度剖析
闻泰科技推出车规级1200V SiC MOSFET
新品 | EasyDUAL™ 1B和2B,1200V共发射极IGBT模块
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,专为高功率应用能效优化而生
龙腾半导体推出1200V 50A IGBT
AEC-Q101——HAST试验介绍
AEC-Q104认证:芯片模组的可靠性与质量标准

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”
评论