0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

5qYo_ameya360 来源:fqj 2019-05-29 15:15 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。

该系列产品非常适用于电动压缩机※2)的逆变器电路和PTC加热器※3)的开关电路,而且传导损耗更低※4),达到业界领先水平,非常有助于应用的小型化与高效化。

另外,加上已经在量产中的650V产品,该系列共拥有11种机型,产品阵容丰富,可满足客户多样化需求。

前期工序的生产基地为LAPIS Semiconductor Miyazaki Co., Ltd.(日本宫崎县),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand)(泰国)。

近年来随着环保意识的提高和燃油价格的飙升,电动汽车的市场需求不断增长。搭载引擎的传统车辆,压缩机的动力源为引擎,而随着电动车辆的增加,压缩机日益电动化,而且其市场规模也在不断扩大。

另外,以往汽车空调制热,是利用引擎运行的废热;如今以PTC加热器为热源使温水循环制热的系统等的需求也在日益增加。由于驱动频率较低,这些应用的逆变器电路和开关电路中所使用的半导体主要是IGBT。尤其是在电动汽车中,压缩机和加热器的功耗会影响续航距离,因此需要更高的效率。

另一方面,为了延长电动汽车(EV)的续航距离,所配置电池的容量也呈日益增加趋势。特别是在欧洲,采用高电压(800V)电池的汽车越来越多,这就需要更高耐压且更低损耗的功率元器件。因此,除650V耐压的IGBT产品外,对1200V耐压IGBT的需求也日益高涨。

在这种背景下,ROHM开发出满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的1200V耐压产品,与650V耐压产品共同构成了丰富的产品阵容。RGS系列实现了业界领先的低传导损耗(Vce(sat.)),非常有助于应用的小型化和高效化。

此外,1200V耐压产品的短路耐受※5)时间为10μsec(Tj=25℃),即使在要求高可靠性的车载领域也可放心使用。

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

产品特点

1. 业界领先的低传导损耗

通过优化器件结构,在1200V耐压级别将传导损耗(VCE(sat.))降至1.70V(typ Tj=25℃),与其他公司同等产品(1200V、40A产品)相比,传导损耗改善了约10~15%。

尤其是在电动压缩机和PTC加热器中,由于驱动频率较低,故对传导损耗的重视程度高于开关特性,RGS系列的出色表现已经获得客户的高度好评。

2. 产品阵容丰富,满足客户多样化需求

此次推出的四款1200V耐压产品,加上量产中的650V耐压产品,共11种机型。产品阵容中包括IGBT单品和续流二极管※6)内置型两种类型的产品,客户可根据需求自由选用。

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

目标电路示例

电动压缩机

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

PTC加热器

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • IGBT
    +关注

    关注

    1293

    文章

    4470

    浏览量

    265604
  • Rohm
    +关注

    关注

    8

    文章

    435

    浏览量

    68165

原文标题:新品:满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

文章出处:【微信号:ameya360,微信公众号:皇华电子元器件IC供应商】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台深度解析

    1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台深度解析 在电子工程领域,对于功率半导体器件的评估和测试是产品研发过程中至关重要的环节。今天,我们就来深入探讨一下英飞凌(Infineon)推出
    的头像 发表于 05-18 13:15 173次阅读

    1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET:国产替代的价格革命

    一、什么是 1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET? 1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET 是一种耐压 1200 伏、典型导通电阻 80 毫欧的碳化硅(SiC)功率半导体器件
    的头像 发表于 04-25 10:16 478次阅读

    安森美1200V、40A IGBT:FGH4L40T120LQD的技术剖析

    安森美1200V、40A IGBT:FGH4L40T120LQD的技术剖析 在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极晶体管)一直扮演着至关重要的角色。今天我们要深入探讨安森美(onsemi)推出的一款
    的头像 发表于 04-22 17:15 574次阅读

    Onsemi FGY75T120SQDN 1200V 75A超场截止IGBT深度解析

    Onsemi FGY75T120SQDN 1200V 75A超场截止IGBT深度解析 在电子工程师的日常设计工作中,绝缘栅双极晶体管(IGBT)是不可或缺的关键元件,广泛应用于各类电力电子设备。今天
    的头像 发表于 04-22 14:25 335次阅读

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC栅极驱动器解析

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC栅极驱动器解析 在电力电子领域,栅极驱动器是驱动功率半导体器件(如IGBT和SiC MOSFET)的关键组件。今天我们来详细探讨英飞凌
    的头像 发表于 12-20 14:25 2680次阅读

    车载 OBC 充电机车规电容:AEC-Q200 认证 + 长寿命 5000h

    车载OBC充电机车规电容若需满足AEC-Q200认证与5000小时长寿命(125℃环境)要求,可优先选择合粤电子HVB系列、皇冠型1500UF40V
    的头像 发表于 12-16 14:20 744次阅读

    请问CW32微控制器是否满足特定的认证标准,如AEC-Q100?

    CW32微控制器是否满足特定的认证标准,如AEC-Q100?
    发表于 12-16 08:08

    1200V/10μF 超高压铝电解电容 工业变频器专用 耐高压冲击

    1200V/10μF超高压铝电解电容在工业变频器中可作为辅助滤波或小功率场景核心滤波元件,但需结合其耐压、容量特性及工业变频器需求综合评估适用性。 以下从耐压性能、容量特性、工业变频器需求匹配性
    的头像 发表于 12-08 10:57 586次阅读

    AEC-Q100测试考核

    AEC-Q100测试考核是汽车电子委员会(Automotive Electronics Council)制定的规范,主要针对车载应用的芯片进行严格的质量与可靠性确认,以提高车载电子的稳定性和
    发表于 11-27 07:28

    AFGB30T65RQDN IGBT技术解析与应用指南

    分布。AFGB30T65RQDN IGBT具有短路额定值,同时兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。 该IGBT满足AEC-Q101要求,无铅,符合RoHS
    的头像 发表于 11-21 14:08 1463次阅读

    车规级二极管 以AEC-Q101为基石 可靠性的“通行证”

    的汽车电子平台。 选择东沃车规级二极管,就是选择: · 以AEC-Q101为起点的绝对可靠 · 征服极端环境的卓越性能 · 年长效运行的品质承诺 · 助力产品快
    的头像 发表于 10-16 10:22 636次阅读
    车规级二极管 以<b class='flag-5'>AEC-Q101</b>为基石 可靠性的“通行证”

    Nexperia推出符合AEC-Q101标准的新款100V MOSFET

    Nexperia(安世半导体)近日宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET,采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗,导通电
    的头像 发表于 09-18 18:19 1484次阅读

    扬杰科技推出新一代To-247PLUS封装1200V IGBT单管

    扬杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封装1200V IGBT单管,产品采用新一代微沟槽工艺平台,极大的优化了器件的导通损耗,产品参数一致性好,可靠性优良,适用于伺服、变频器等各类中低频应用领域。
    的头像 发表于 09-18 18:01 2978次阅读
    扬杰科技推出新一代To-247PLUS封装<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>单管

    新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块

    新品针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK2B模块,采用六单元配置,通过AQG324认证。一个模块采用
    的头像 发表于 07-31 17:04 1225次阅读
    新品 | 针对<b class='flag-5'>车载</b>充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基模块

    车规级SiLM5932SHOCG-DG 30V, 12A 带主动保护的单通道隔离驱动器深度剖析

    驱动:±12A源/灌电流峰值,直驱1200V/1700V IGBT模块 纳秒级响应:90ns传输延迟(典型值),保障PWM控制精度 150kV/μs CMTI:工业级共模抗扰度,彻底杜绝误触发 宽压
    发表于 07-15 09:25