蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

近日，蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。 本次考核由第三方权威检测机构——广电计量进行。

 

蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V，而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了 HV-H3TRB可靠性验证，同时对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题，蓉矽的产品通过了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB考核，表明器件在在更为极端的应用场景中，也有优秀的稳定性和可靠性，可满足新能源汽车、光伏逆变等领域对功率器件的高质量和车规级可靠性要求。

现阶段行业中，AEC-Q101只是车规的门槛，如何保证交给客户的每一个批次、每一颗产品都是符合这个标准的才是考验。蓉矽半导体正在用DFR设计理念，全供应链管理体系，完整的质量管理体系向客户提供高质量、高可靠性SiC功率器件。

部分考核项目及测试条件：



蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。

产品特点如下：

采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加沟道密度、降低沟道电阻，提升器件在单位面积内的电流能力；

采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻，提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低器件开关损耗；

采用结终端优化技术，降低器件在结终端的曲率效应，提高器件耐压能力；采用开尔文源的PAD设置，降低封装中的杂散电感；

VDD=800V时，短路耐受时间>3μs，TO-247-4封装测试开启损耗为635μJ；

在下图中，A为外商产品，B为国内厂商产品；所对比产品规格接近，封装形式皆为TO-247-3L，驱动电压采用各厂商推荐值，测试结果采用标准化处理且蓉矽产品为“1”。从对比结果可以看出，得益于密勒电容和多晶硅电阻的优化，蓉矽第一代SiC MOSFET在开关损耗上的表现在所有竞品中处于较好水平。

蓉矽SiC MOSFET应用于新能源汽车OBC和直流充电桩模块时，可有效减少器件数量、简化系统、降低损耗、提高效率，推动提高充电速度、实现续航突破。

01新能源汽车应用

02直流充电桩模块应用

   

审核编辑：刘清