SK海力士计划斥资约20万亿韩元新建存储芯片产能

SK海力士计划斥资约20万亿韩元（约146亿美元）在韩国新建存储芯片产能，以满足快速增长的人工智能开发需求。这一重大产能扩张计划旨在提升公司的存储芯片生产能力，特别是针对高带宽内存（HBM）芯片市场。

据SK海力士透露，初步计划拨出5.3万亿韩元（约38.6亿美元）用于在4月底左右开始建设新的工厂或晶圆厂，并预计在2025年11月完工。这一投资计划显示出SK海力士对于人工智能市场的长期看好，以及对于提升自身技术实力和市场竞争力的决心。

高带宽内存（HBM）芯片在人工智能和数据中心等领域具有广泛的应用前景，市场需求呈现出快速增长的趋势。SK海力士预测，HBM芯片市场的年增长率将超过60%。因此，公司计划将新生产基地的重点放在HBM芯片的生产上，以抢占市场先机并满足不断增长的需求。

除了新建存储芯片产能外，SK海力士还在韩国投资了其他项目，如龙仁半导体产业园区等，长期投资规模约为120万亿韩元（约873亿美元）。此外，公司还计划在美国建立先进的封装工厂和人工智能产品研究中心，以进一步拓展其全球业务布局。

虽然芯片行业在过去一段时间内处于低迷状态，但SK海力士对于未来的投资增长仍持谨慎乐观态度。尽管去年削减了年度投资，并表示2024年的投资增幅将保持在最低水平，但公司同时指出，市场对HBM芯片的需求量非常大，其今年和明年大部分时间的产能已被预订一空。