SK海力士计划斥资68亿打造芯片制造基地

全球知名的内存芯片制造商SK海力士于周五宣布了一项重大投资决策，计划斥资约9.4万亿韩元（折合美元约为68亿）在韩国龙仁市兴建其国内首座芯片制造基地。这一举措标志着SK海力士在强化其全球竞争力、特别是针对人工智能（AI）芯片市场布局上的重要一步。

根据规划蓝图，SK海力士将于2024年3月正式启动龙仁集群首座厂房的建设工作，预计将于2027年5月全面竣工并投入运营。此项目不仅彰显了SK海力士对未来科技趋势的敏锐洞察，也反映了其对AI芯片市场快速增长需求的积极回应。

就在宣布投资计划的前一天，SK海力士作为英伟达等科技巨头的关键供应商，刚刚发布了自2018年以来的最高季度盈利报告，并指出AI芯片需求的持续攀升为公司业务增长注入了强劲动力。鉴于此，SK海力士自2019年起便着手规划在首尔周边半导体集群内投资建设四座新型芯片工厂，此次龙仁项目的落地正是这一长远规划的具体实施。

SK海力士制造技术总监Kim Young-sik强调：“龙仁半导体集群将成为我们中长期发展的坚实基石，同时也是我们与合作伙伴共创未来、实现共赢的创新平台。”

此次投资旨在直接对接AI芯片市场的旺盛需求，并为公司未来的持续增长奠定坚实基础。龙仁项目总占地面积高达420万平方米，最终将容纳四座专注于下一代半导体技术的芯片工厂，以及吸引超过50家本土芯片产业链上的小型企业入驻，共同构建一个充满活力的产业集群。

SK海力士透露，首期投资将覆盖首座工厂至2028年底的所有建设成本，包括基础设施建设、水电供应、商业配套及员工福利设施等。尤为值得一提的是，该基地还将设立一座“迷你工厂”，即一个专注于300毫米硅晶片处理的研究设施，为本土芯片材料商与设备制造商提供一个实战测试平台，加速技术创新与产品迭代。

随着首座厂房的顺利建成，SK海力士计划依次推进后续三座厂房的建设工作，旨在将龙仁集群打造成为全球领先的AI芯片生产基地。初期，该工厂将专注于生产以高带宽内存（HBM）为代表的AI专用存储器及新一代DRAM产品，并灵活调整生产计划，以应对未来市场可能出现的多样化需求。

此外，SK海力士还于今年4月宣布了在美国印第安纳州投资约38.7亿美元建设先进封装厂及AI产品研发设施的计划。这将是SK海力士在美国的首个芯片制造基地，预计将于2028年下半年启动大规模生产，专注于新一代HBM等AI芯片的制造，同时创造超过1000个就业机会，为当地社会经济发展贡献力量。