SK海力士签署先进芯片封装协议

来源：Silicon Semiconductor

为下一代HBM建造先进封装设施，同时与普渡大学合作研发。

SK海力士将在美国印第安纳州西拉斐特投资约38.7亿美元，为人工智能产品建设先进的封装制造和研发设施。该项目是美国首个此类项目，预计将推动美国人工智能供应链的创新，同时为该地区带来一千多个新就业岗位。

1HBM（高带宽内存）：一种高价值、高性能内存，可垂直互连多个 DRAM 芯片，与传统 DRAM 产品相比，可大幅提高数据处理速度。 HBM4 是继 HBM、HBM2、HBM2E、HBM3 和 HBM3E 之后的第六代产品。

该公司近日在美国西拉斐特普渡大学，与印第安纳州立大学、普渡大学和美国政府官员举行了投资协议仪式，并正式宣布了该计划。

印第安纳州州长Eric Holcomb、参议员Todd Young、白宫科技政策办公室主任Arati Prabhakar、商务部助理部长Arun Venkataraman、印第安纳州商务部长David Rosenberg、普渡大学校长Mung Chiang、普渡大学研究基金会主席 Mitch Daniels、西拉斐特市市长 Erin Easter、韩国驻美国大使 Hyundong Cho、韩国驻芝加哥总领事 Junghan Kim、SK 副主席 Jeong Joon Yu、SK海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 和 SK海力士封装与测试负责人 Choi Woojin 参加了此次活动。

凭借其在 HBM 市场的主导地位，SK 海力士的新工厂将拥有先进的半导体生产线，该生产线将批量生产下一代 HBM，这是性能最高的动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片，是用于训练 ChatGPT 等 AI 系统的图形处理单元的关键部件。

该公司计划于2028年下半年开始量产，而新工厂还将开发下一代芯片并拥有先进的封装研发线。之所以选择该地点，是因为印第安纳州具有弹性的制造基础设施和研发生态系统、半导体领域的专家知识分子和普渡大学的人才管道，以及州和地方政府提供的大力支持。

存储芯片的创新会继续推动计算领域的低功耗操作和性能增强。 随着技术缩减和其他硬件改进已达到极限，SK 海力士的新小芯片封装技术已成为继续有望提高密度和性能的方法。随着这种异构集成技术对半导体行业的未来变得越来越重要，该公司在印第安纳州的新举措将有助于将该地区打造为“硅中心地带”：一个以中西部三角为中心的新半导体集群，将成为人工智能时代下一代计算的磁石。

美国印第安纳州州长Eric Holcomb表示：“印第安纳州在创新和生产产品方面处于全球领先地位，这些产品将为我们未来的经济提供动力，今天的这一举措证明了这一点。非常欢迎 SK 海力士来到印第安纳州，我们相信这一新的合作伙伴关系将长期促进拉斐特-西拉斐特地区、普渡大学和印第安纳州的发展。这个新的半导体创新和封装工厂不仅重申了该州在硬技术领域的作用，而且也是推进美国创新和国家安全方面又向前迈出了一大步，使印第安纳州处于国家和全球进步的最前沿。”

该项目的主要倡导者、美国参议员Todd Young表示：“SK 海力士很快将成为印第安纳州家喻户晓的品牌。这项令人难以置信的投资表明了他们对印第安人工人的信心，非常欢迎他们来到我们的州。”他还补充道，“《芯片和科学法案》为印第安纳州打开了一扇冲刺的大门，像 SK 海力士这样的公司正在帮助建设我们的高科技未来。”

普渡大学校长Mung Chiang表示：“SK 海力士是人工智能存储芯片领域的全球先驱和市场主导者。这项变革性投资反映了我们州和大学在半导体、硬件人工智能和硬技术走廊方面的巨大实力，也是通过芯片先进封装完成美国数字经济供应链的一个里程碑式的时刻。同时，也是位于普渡大学研究园的美国大学同类设施中最大的设施，该设施将通过创新不断发展并取得成功。”

SK海力士首席执行官Kwak Noh-Jung表示：“我们很高兴成为业内第一家在美国为人工智能产品建造最先进的先进封装设施的公司，这将有助于增强供应链的弹性并发展当地的半导体生态系统。通过这个新设施，我们希望能够推进我们的目标，即提供具有独特功能的人工智能存储芯片，满足客户的需求。”

“我们感谢印第安纳州政府、普渡大学和更广泛的相关社区的支持，期待长期深化双方的合作伙伴关系。”

作为内存解决方案的技术领导者、集成商和推动者，SK 海力士正在与美国领先的研究机构之一普渡大学合作制定未来研发项目的计划。这些项目包括与普渡大学伯克纳米技术中心以及其他研究机构和行业合作伙伴进行先进封装和异构集成的工作。他们还希望合作开展一个与生成人工智能时代以内存为中心的解决方案和架构相关的项目，特别是系统级内存设计和存内/近存计算。

该公司还计划与普渡大学和常春藤科技社区学院合作开发培训项目和跨学科学位课程，以培养高科技劳动力并建立可靠的新人才管道。

与此同时，SK海力士计划通过建立提供社区发展、成长机会和领导力培训的合作伙伴关系，支持普渡大学研究基金会和其他当地非营利组织和慈善机构的工作。

另外，SK海力士也将按计划进行韩国国内投资。 该公司一直在为韩国龙仁半导体集群准备场地，将投资 120 万亿韩元建设生产设施。该公司计划于 2025 年 3 月破土动工，计划于 2027 年初竣工。还将建设一座小型晶圆厂，配备 300 毫米晶圆加工设备，用于测试半导体材料、组件和设备。

审核编辑 黄宇