表示其HBM2E是第四个工业时代的最佳内存解决方案，支持需要最高内存性能的高端GPU，超级计算机，机器学习和人工智能系统
2019-08-13 09:28:41
6584 提供的HBM2E内存达到了3.6Gbps的数据传输速率，而在和他们的合作过程中我们将速率进一步地推进到了4.0 Gbps。” Rambus IP核产品营销高级总监Frank Ferro分享说，“此次
2020-10-23 09:38:098976 12月9日，Rambus线上设计峰会召开，针对数据中心的存储挑战、5G边缘计算，以及内存接口方案如何提高人工智能和训练推理应用程序的性能，Rambus中国区总经理苏雷和Rambus高速接口资深应用工程师曹汪洋，数据安全资深应用工程师张岩带来最新的产业观察和技术分享。
2020-12-21 22:15:277695 。 过往，三星和SK海力士在HBM内存领域占据领先地位。目前，各大内存厂商在HBM2E层面已经开始铺货。就以SK海力士的节点来看，2020年
2021-08-23 10:03:282441 近年来，随着内存带宽逐渐成为影响人工智能持续增长的关键焦点领域之一，以高带宽内存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR开始逐渐显露头角，成为搭配新一代AI/ML加速器和专用芯片的新型内存解决方案
2020-10-23 15:20:176429 
在旧金山举办的AI Day活动上，高通正式发布了两款新的中端移动处理器，分别是骁龙665、骁龙730。骁龙665是前年推出的主流手机明星级平台骁龙660的升级版，采用三星11nm LPP工艺制造。
2019-04-13 11:26:132832 三星电子宣布推出了业界首款符合HBM2E规范的内存。它是第二代Aquabolt的后继产品，具有16GB的两倍容量和3.2Gbps的更高稳定传输速度。
2020-02-05 13:40:231654 在雷打不动的GDDR6和GDDR6X上。虽然三星已经表示GDDR7已经在研发中，但很明显没个几年时间是出不来的。 GPU 市场的显存选择 我们再开看看目前GPU市场对于显存的选择，AMD在消费级、工作站级、半定制级的GPU上都选择了GDDR6，而在高端的数据中心加速器上选择了HBM2E；英伟达则在
2022-12-02 01:16:003484 五代产品。对于HBM3E，SK海力士预计2023年底前供应HBM3E样品，2024年开始量产。8层堆叠，容量达24GB，带宽为1.15TB/s。 近日，三星电子也更新了HBM3E的进展。据韩媒报道
2023-10-25 18:25:244378 
技术的独家供应商。 由于汽车对车用芯片更严格的品质要求，SK海力士已单独生产专门用于汽车用途的HBM2E，这也是目前唯一一家将HBM用于汽车的公司。 我们知道HBM芯片对于现今AI拉动的高性能计算和数据中心已成为必须，随着HBM2E开始用于汽车，满足智能驾驶不断产生的计算需求，这
2024-08-23 00:10:007956 产品组合 图1：Rambus HBM4控制器 中国北京，2024年11月13日 —— 作为业界领先的芯片和半导体IP供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布推出业界首款HBM4内存控制器IP，凭借广泛的生态系统支持，扩展了其在HBM IP领域
2024-11-13 15:36:401109 
，其性能表现处于顶级水准。 友坚恒天科技专注于三星平台产品的研发，是三星在中国最具实力的方案公司。公司主 打的三 星平板电脑方案销量，连续多年稳居第一。公司定位于中高端产品的研发，具有多年 的嵌入式产
2017-06-30 11:00:32
4800 MT/s解决方案，Rambus 第三代6400 MT/s DDR5 RCD的数据传输速率和带宽提高了33%，使数据中心服务器的主内存性能达到了一个新的水平。该产品的延迟和功耗均达到业内
2023-02-22 10:50:46
较为激进的技术路线，以挽回局面。
4 月 18 日消息，据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率，这高于
2025-04-18 10:52:53
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
三星打破上网本既有模式 性能尺寸接近传统笔记本CNET科技资讯网7月1日国际报道 Nvidia证实，三星将推出一款采用其Ion芯片组的上网本，打破这类产品既有的模式。 Nvidia笔记本电脑产品部门
2009-07-01 21:47:27
Altera公司近期宣布，开始交付业界第一款高性能28-nm FPGA量产芯片。Stratix V FPGA是唯一使用TSMC 28HP工艺制造的FPGA，比竞争解决方案高出一个速率等级
2012-05-14 12:38:53
`S5P6818 开发板是三星 2015 年推出的八核处理器，其集成了高性能的八核 ARMcortex-A53 处理器，既有超强的性能，同时兼顾了低功耗的设计，外加强大的 3D 性能及视频处理能力
2017-12-04 11:27:25
SoC和MCU，NXP也由此成为三星MCU代工的首个客户。 2019年，在三星推出首款商用eMRAM的同时即表示，MCU将是eMRAM的主要应用方向之一，未来将继续扩大其嵌入式非易失性内存产品，其中
2023-03-21 15:03:00
级产品。 2、友坚是三星AP事业部国内重要合作伙伴,是三星指定平板产品的IDH 3、CPU:S5P4418 三星四核 4、内存：1G RAM+4G eMMC 5、安卓4.4系统本批次开发板将新增四大
2016-07-01 14:04:09
，收购原装字库，回收三星CPU,收购三星拆机字库，回收三星原装IC,有货速联系，型号如下：KMK2U000VM-B604、KMK1U000VM-BA04、KAT007012B-BRTT
2021-08-20 19:11:25
：提供带有自主设计外壳的整体解决方案，外壳设计时尚美观； 三星Cortex-A8处理器核心，性能强、速度快、功耗低； Android智能操作系统，上万种软件无限下载及应用；同时具备内置Wi-fi和内置3G
2011-03-30 14:30:37
如何实现高性能的射频测试解决方案NI软硬件的关键作用是什么
2021-05-06 07:24:55
北京时间11月8日晚间MAX3232EUE+T消息，展讯通信(Nasdaq:SPRD)今日宣布，基于展讯通信40纳米2.5G基带芯片SC6530的两款三星手机E1282(GT-E
2012-11-09 15:43:30
`S5P6818 开发板是三星 2015 年推出的八核处理器，其集成了高性能的八核 ARMcortex-A53 处理器，既有超强的性能，同时兼顾了低功耗的设计，外加强大的 3D 性能及视频处理能力
2017-11-17 11:33:00
全球范围内成为可靠创新的技术伙伴，也促使三星更好得在中国以及全球市场推广其AP方案。 ***友尚股份作为三星AP的代理商，目前已经完成在三星AP V210与5250的平台上对FIBOCOM H330
2012-12-21 19:36:06
全球范围内成为可靠创新的技术伙伴，也促使三星更好得在中国以及全球市场推广其AP方案。 ***友尚股份作为三星AP的代理商，目前已经完成在三星AP V210与5250的平台上对FIBOCOM H330
2012-12-21 19:38:20
全球范围内成为可靠创新的技术伙伴，也促使三星更好得在中国以及全球市场推广其AP方案。***友尚股份作为三星AP的代理商，目前已经完成在三星AP V210与5250的平台上对FIBOCOM H330
2012-12-21 19:32:32
全球范围内成为可靠创新的技术伙伴，也促使三星更好得在中国以及全球市场推广其AP方案。***友尚股份作为三星AP的代理商，目前已经完成在三星AP V210与5250的平台上对FIBOCOM H330（3G模块）的整合，预计明年1月将可以向整个亚太地区进行三星AP的平板电脑方案的推广。
2012-12-21 19:28:08
我们正在调试基于三星4412的MFC（视频硬解码）但是移植调试不出来如果哪位大侠成功调试过类似的产品（210或4412） 可以一起探讨一下
2014-01-16 10:21:24
苹果/三星高端智能手机快充识别IC-MA5887.MA5887是一个高性能的解决方案“快速充电”机制,加快充电时间.MA5887嵌入式自动充电器检测其符合USB电池充电规格（BC）版本1.2,和苹果
2016-10-13 14:25:00
随着网络和数据中心带宽需求的日益提升，针对高性能内存解决方案的需求也是水涨船高。对于超过 400 Gbps 的系统开发，以经济高效的方式实现内存方案的性能和效率已经成为项目中的重要挑战之一。
2020-12-03 07:14:31
随着HarmonyOS NEXT的正式推出，鸿蒙原生应用开发热度高涨，数量激增。但在三方应用鸿蒙化进程中，性能问题频出。为此，HarmonyOS NEXT推出了一整套原生页面高性能解决方案，包括
2025-01-02 18:00:13
三星将向Rambus支付9亿内存专利授权费以达成和解
韩国三星公司与Rambus公司本周二宣布就两家之间的专利权官司达成和解协议，三星公司将在五年之内逐步向Rambus公司
2010-01-21 10:55:361015 作为先进内存技术的世界领导者（三星官方用语），三星电子在2017年7月18日宣布，它正在增加其8G版的高带宽Memory-2（HBM2）的产量来满足日益增长的市场需求，为人工智能、HPC（高性能计算）、更先进的图形处理、网络系统和企业服务器等应用层面提供支持。
2017-07-23 04:47:281018 三星宣布推出基于10nm级（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM内存模组，用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条，频率2666MHz，结构上是由16个16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 12月21日，IBM宣布，将选用三星7nm EUV代工其Power11处理器，后者将用于蓝色巨人的Power系统、IBM Z、LinuxOne、高性能计算以及云服务解决方案中。
2018-12-24 10:22:135560 虽然封装不易，但 HBM 存储器依旧会被 AMD 或者是 NVIDIA 导入。SK海力士宣布推出 HBM2E 标准存储器，而这也是接续 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 日前，三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。
2020-02-05 13:49:114064 三星近日发布了代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片，HBM2E单颗最大容量为16GB，由8颗16Gb的DRAM颗粒堆迭而成，单个封装可实现16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 最近，JEDEC固态存储协会正式公布了HBM技术第三版存储标准HBM2E，针脚带宽、总容量继续大幅提升。对于一些大企业，集成这些技术可以说不费吹灰之力，但不是谁都有这个实力。
2020-03-08 19:43:564565 相比GDDR显存，HBM技术的显存在带宽、性能及能效上遥遥领先，前不久JEDEC又推出了HBM2e规范，三星抢先推出容量可达96GB的HBM2e显存。
2020-03-27 09:11:319503 全高清（FHD）电影（每部3.7GB），是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技术将8个16Gb DRAM垂直连接，其容量达到了16GB，是前一代HBM2容量的两倍以上。
2020-07-03 08:42:19870 7月2日消息，据外媒报道，SK 海力士宣布，其已能够大规模批量生产新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275 显卡的显存这一路走来都是GDDR，但是这两年HBM成了大明星，最新的HBM2E显存也在去年8月首次提出规格。 由于三星等公司的努力，HBM在过去几年来逐渐展现稳步成长。例如三星上半年发布了称为
2020-08-19 14:38:051440 Alchip 5nm设计将利用高性能计算IP产品组合，其中包括一级供应商提供的“同类最佳” DDR5，GDDR6，HBM2E，HBM3，D2D，PCIe5和112G serdes IP
2020-08-23 11:24:552763 瓴盛科技首席营销官成飞介绍，此次推出的芯片是基于世界顶尖的晶圆厂Samsung Foundry 11nm FinFET的工业制造，具备低功耗、高能效的领先竞争优势；同时基于异构处理器设计，丰富式架构让软件工程师在系统软件实施层面可以做到更好的功耗优化。
2020-09-04 16:26:362613 16GB/stack的容量。 HBM2E对HBM2标准型进行了一些更新来提升性能，作为中代产品，能提供更高的时钟速度，更高的密度（12层，最高可达24GB）。三星是第一个将16GB/satck
2020-09-10 14:39:012830 为了给人工智能和机器学习等新兴应用提供足够的内存带宽，HBM2E和GDDR6已经成为了设计者的两个首选方案。
2020-10-26 15:41:133266 
DesignWare HBM2E PHY IP 可提供每秒 460 GB 的聚合带宽，能够满足先进 FinFET 工艺 SoC 对海量计算性能的要求。HBM2E IP 是新思科技全面内存接口 IP
2021-02-14 09:22:001151 三星昨日宣布了一项新的突破，面向 AI 人工智能市场首次推出了 HBM-PIM 技术，据介绍，新架构可提供两倍多的系统性能，并将功耗降低 71%。 在此前，行业内性能最强运用最广泛的是 HBM
2021-02-18 09:12:322714 三星宣布新的HBM2内存集成了AI处理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 官方发布 近日，三星推出了专为下一代自动驾驶电动汽车应用的高端车用内存系列解决方案。新产品阵容包括了适用于高性能车载信息娱乐系统的256GB PCIe Gen3 NVMe球栅阵列(BGA)封装
2021-12-21 11:43:222358 近日，据韩媒报道称，三星的研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令，要求直接研发1c工艺DRAM芯片，也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。 在此之前，三星也做出过类似的决定。曾经各大
2022-04-18 18:21:582244 随着台积电曝光2nm制程的进展后，三星紧追其后也宣布了关于2nm制程的最新消息，三星2nm的量产时间也定在了2025年，跟台积电的差不多。这次2nm制程是三星这些年来首次追上了台积电，比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085174 SoC 设计人员和系统工程师在内存带宽、容量和内存使用均衡方面面临着与深度学习计算元素相关的巨大挑战。 下一代 AI 应用面临的挑战包括是选择高带宽内存第 2 代增强型 (HBM2e) 还是图形双倍数据速率 6 (GDDR6) DRAM。对于某些 AI 应用程序，每种应用程序都有其自身的优点，但
2022-07-30 11:53:503296 在雷打不动的GDDR6和GDDR6X上。 虽然三星已经表示GDDR7已经在研发中，但很明显没个几年时间是出不来的。 GPU市场的显存选择 我们再看看目前GPU市场对于显存的选择，AMD在消费级、工作站级、半定制级的GPU上都选择了GDDR6，而在高端的数据中心加速器上选择了HBM2E；英伟达则在部分
2022-12-02 07:15:031989 HBM2E（高带宽内存）是一种高性能 3D 堆叠 DRAM，用于高性能计算和图形加速器。它使用更少的功率，但比依赖DDR4或GDDR5内存的显卡提供更高的带宽。由于 SoC 及其附属子系统（如内存子系统、互连总线和处理器）结构复杂，验证内存的性能和利用率对用户来说是一个巨大的挑战。
2023-05-26 10:24:381416 
据韩媒报道，韩国三星电子公司正在加紧努力，更深入地渗透到HBM3市场，由于其在整个内存芯片市场中所占的份额很小，因此相对于其他高性能芯片来说，该公司一直忽视了这一领域。
2023-06-27 17:13:031257 7月5日，在三星每周三举行的员工内部沟通活动期间，三星电子负责半导体业务的 DS 部门总裁 Kyung Kye-hyun 表示，“三星高带宽内存 (HBM) 产品的市场份额仍超过 50%”，他驳斥了有关该公司内存竞争力正在下降的担忧。
2023-07-10 10:56:031421 HBM3E内存（也可以说是显存）主要面向AI应用，是HBM3规范的扩展，它有着当前最好的性能，而且在容量、散热及用户友好性上全面针对AI优化。
2023-08-22 16:28:071670 FinFET立体晶体管技术是Intel 22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在Intel 20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。
2023-10-23 11:15:081635 
为增强AI/ML及其他高级数据中心工作负载打造的 Rambus 高性能内存 IP产品组合 高达9.6 Gbps的数据速率，支持HBM3内存标准的未来演进 实现业界领先的1.2 TB/s以上内存吞吐量
2023-12-07 11:01:13579 
Gbps 的性能，可支持 HBM3 标准的持续演进。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的数据速率，Rambus HBM3 内存控制器的数据速率提高了 50%，总内存吞吐量超过 1.2 TB/s，适用于推荐系统的训练、生成式 AI 以及其他要求苛刻的数据中心工作负载。
2023-12-07 14:16:061362 “随着AI行业对大容量HBM的需求日益增大，我们的新产品HBM3E 12H应运而生，”三星电子内存规划部门Yongcheol Bae解释道，“这个存储方案是我们在人人工智能时代所推崇的HBM核心技术、以及创新堆叠技术的成果展示。”
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星电子宣布，已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存（HBM3E）产品——HBM3E 12H，再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解，HBM3E 12H不仅是三星迄今为止容量最大的HBM产品，其性能也实现了质的飞跃。
2024-02-27 14:28:211820 三星电子近日宣布，公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升，这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化，以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
2024-03-20 14:12:374681 
提及此前有人预测英伟达可能向三星购买HBM3或HBM3E等内存，黄仁勋在会上直接认可三星实力，称其为“极具价值的公司”。他透露目前已对三星HBM内存进行测试，未来可能增加采购量。
2024-03-20 16:17:241406 英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系，计划从后者采购高带宽存储（HBM）芯片。HBM作为人工智能（AI）芯片的核心组件，其重要性不言而喻。与此同时，三星正努力追赶业内领头羊SK海力士，后者已率先实现下一代HBM3E芯片的大规模量产。
2024-03-25 11:42:041287 据最新消息透露，英伟达即将从今年9月开始大规模采购12层HBM3E内存，而这次供货的重任将完全由三星电子承担。这一消息无疑为业内带来了不小的震动。
2024-03-26 10:59:061180 据业内透露，三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司，有能力在2024年9月实现对英伟达的替代，这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而，三星方面不愿透露具体客户信息。
2024-03-27 09:30:091917 庆桂显此行主要推广三星的HBM内存，并探索AI合作可能性。然而，由于此前在HBM策略上出现失误，三星已被竞争对手SK海力士超越；位于第三位的美光近年来也在HBM3芯片上取得突破，成功获得英伟达H200订单。
2024-04-16 16:46:051044 三星方面表示，预计今年上半年将正式生产出HBM3E 12H内存，而AMD则计划于下半年开始生产相应的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H内存的全天候最大带宽可达到惊人的1280GB/s，产品容量更是高达36GB。
2024-04-24 14:44:381196 业内评论指出，三星HBM之所以出现问题，主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8层HBM3E的生产方式与三星有所差异，导致三星产品未能顺利通过验证。
2024-05-16 17:56:201863 三星电子近期正积极投入验证工作，以确保其HBM3E产品能够顺利供应给英伟达。然而，业界传出消息，因台积电在采用标准上存在的某些问题，导致8层HBM3E产品目前仍需要进一步的检验。
2024-05-17 11:10:13918 近日，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片在英伟达测试中遭遇挫折。据知情人士透露，芯片因发热和功耗问题未能达标，影响到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 三星电子近期宣布，其与全球多家合作伙伴在高带宽内存（HBM）产品的供应测试上进展顺利。该公司表示，将继续致力于提升所有产品的质量和可靠性，确保为客户提供最优质的解决方案。
2024-05-28 09:46:40766 英伟达公司CEO黄仁勋近日就有关三星HBM（高带宽内存）的传闻进行了澄清。他明确表示，英伟达仍在认证三星提供的HBM内存，并否认了三星HBM未通过英伟达任何测试的传闻。
2024-06-06 10:06:531101 在科技界的密切关注下，三星电子与英伟达之间的合作再次传来振奋人心的消息。据韩国主流媒体NewDaily最新报道，三星电子已成功通过英伟达的HBM3e（高带宽内存）质量测试，标志着这家科技巨头在高端
2024-07-04 15:24:561151 近期，有媒体报道称三星电子已成功通过英伟达（NVIDIA）的HBM3E（高带宽内存）质量测试，并预计很快将启动量产流程，以满足市场对高性能存储解决方案的迫切需求。然而，这一消息迅速遭到了三星电子的官方否认。
2024-07-05 15:08:181268 近日，三星电子在半导体领域再传捷报，其高频宽内存（HBM）产品HBM3e已成功通过全球图形处理与AI计算巨头英伟达（NVIDIA）的严格认证，标志着该产品即将进入规模化生产阶段，预计在本季度内正式向
2024-07-18 09:36:591401 三星电子公司近日宣布了一项重要计划，即今年将全面启动其第五代高带宽存储器（HBM）芯片HBM3e的量产工作，并预期这一先进产品将显著提升公司的营收贡献。据三星电子透露，随着HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 近日，有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而，三星电子迅速对此传闻进行了回应，明确表示该报道并不属实。
2024-08-08 10:06:021161 进入八月，市场传言四起，韩国存储芯片巨头三星电子（简称“三星”）的8层HBM3E内存（新一代高带宽内存产品）已顺利通过英伟达严格测试。然而，三星迅速澄清，表示这一报道与事实相去甚远，强调目前质量测试
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新资讯，据TrendForce集邦咨询的最新报告透露，三星电子已成功完成其HBM3E内存产品的验证流程，并正式启动了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出货，该产品主要面向英伟达H200系列应用。同时，三星电子还积极推进Blackwell系列的验证工作，预示着更先进技术的稳步前行。
2024-09-04 15:57:091772 近日，知名市场研究机构TrendForce在最新发布的报告中宣布了一项重要进展：三星电子的HBM3E内存产品已成功通过英伟达验证，并正式开启出货流程。具体而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被确认
2024-09-05 17:15:281404 三星电子近期发布预测，指出全球HBM（高带宽内存）需求正迎来爆发式增长。据三星估算，到2025年，全球HBM需求量将跃升至250亿GB，较今年预测的120亿GB实现翻番，这主要得益于人工智能技术的迅猛发展对高性能内存的迫切需求。
2024-09-27 14:44:291023 近日，三星电子因向英伟达供应HBM3E内存的延迟，对其HBM内存的产能规划进行了调整。据韩媒报道，三星已将2025年底的产能预估下调至每月17万片晶圆，这一调整反映了半导体行业当前紧张的供需关系和激烈的市场竞争。
2024-10-11 17:37:121554 方式获得三星显示的一座大楼，并计划在三年内完成该建筑的半导体后端加工设备导入。 此次扩建工厂的背景是，三星正在为微软和Meta等科技巨头供应量身定制的HBM4内存。微软和Meta分别推出了Mia100和Artemis人工智能芯片，对高性能内存有着迫切需求，而三星的定制化HBM4内
2024-11-13 11:36:161756 三星电子计划在韩国天安市新建一座半导体封装工厂，以扩大HBM内存等产品的后端产能。该工厂将依托现有封装设施，进一步提升三星电子在半导体领域的生产能力。
2024-11-14 16:44:351203 近日，英伟达公司正在积极推进对三星AI内存芯片的认证工作。据英伟达CEO透露，他们正在不遗余力地加速这一进程，旨在尽快将三星的内存解决方案融入其产品中。 此次认证工作的焦点在于三星的HBM3E内存
2024-11-25 14:34:171028 三星电子在近期举行的业绩电话会议中，透露了其高带宽内存（HBM）的最新发展动态。据悉，该公司的第五代HBM3E产品已在2024年第三季度实现大规模生产和销售，并在第四季度成功向多家GPU厂商及数据中心供货。与上一代HBM3相比，HBM3E的销售额实现了显著增长。
2025-02-06 17:59:001106 其高带宽存储器HBM3E产品中的初始缺陷问题，并就三星第五代HBM3E产品向英伟达供应的相关事宜进行了深入讨论。 此次高层会晤引发了外界的广泛关注。据推测，三星8层HBM3E产品的质量认证工作已接近尾声，这标志着三星即将正式迈入英伟达的HBM供应链。对于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 需求。Cadence HBM4 解决方案符合 JEDEC 的内存规范 JESD270-4，与前一代 HBM3E IP 产品相比，内存带宽翻了一番。Cadence HBM4 PHY 和控制器 IP 现已
2025-05-26 10:45:261307 电子发烧友网报道（文/吴子鹏）根据韩媒sedaily 的最新报道，三星华城17号产线已开始量产并向英伟达供应HBM3内存。同时，美光已经为英伟达供应HBM3E。至此，高端HBM内存的供应由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534
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