10月15日，据国外媒体报道，目前全球顶尖的光刻机生产商ASML正在研发第三款EUV光刻机，并计划于明年年中出货。 从其所公布的信息来看，新款光刻机型号命名为TWINSCAN NXE:3600D
2020-10-17 05:02:00
4299 业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。 工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入E
2021-07-12 10:57:065592 SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:351594 SK海力士在昨天的电邮声明中表示，其全资子公司SK海力士System IC与无锡市政府下属的投资公司无锡产业发展集团合资组建8寸晶圆代工厂，建立的新生产线将生产模拟半导体，预计于今年下半年开工，并于2019年下半年完工，2020年正式启用生产。
2018-07-12 09:53:474946 SK海力士于周三宣布与ASML签订了一项为期5年（截至2025年12月1日）的采购合同，总值约为4.8万亿韩元（43.4亿美元），用于购置EUV光刻机。
2021-02-25 11:57:574816 近日，SK海力士官网发布新闻消息称，公司已于7月初开始量产适用第四代10nm（1a）级工艺的8Gb LPDDR4 移动端DRAM产品。值得注意的是，这是SK海力士首次采用EUV技术进行DRAM量产
2021-07-13 06:36:583394 
光刻机引进中国大陆。 针对EUV光刻机进厂可能延期的问题，在日前的韩国半导体工业协会30周年纪念活动上，SK海力士CEO Seok-hee Lee（李锡熙）表示，正在与美方合作，进展良好，EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用，中国工厂还有充足的时间供斡
2021-11-24 09:28:345812 作为近乎垄断的光刻机巨头，ASML的EUV光刻机已经在全球顶尖的晶圆厂中获得了使用。无论是英特尔、台积电还是三星，EUV光刻机的购置已经是生产支出中很大的一笔，也成了7nm之下不可或缺的制造设备
2021-12-01 10:07:4113656 45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab
2019-07-01 07:22:23
SK海力士也宣布，2018年下半将投资重心集中于NAND Flash，NAND Flash新厂投资进度正在加速，DRAM只会进行小规模补强与转换投资。如何看待这两则新闻？笔者认为这属于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
都已经使用7nm EUV工艺开始生产芯片了，预定今年发布的AMD Zen 3架构第四代锐龙处理器用的就是台积电7nm EUV工艺，Intel现在的10nm工艺还没用上EUV技术，不过预定在7nm工艺
2020-07-07 14:22:55
第四代CSR8670开发板开发步骤Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召开的第十三届中国卫星导航年会（CSNC2022）上，深圳华大北斗科技股份有限公司研发的第四代北斗芯片正式发布。
这是一款拥有完全自主知识产权的国产基带和射频一体化SoC芯片，作为
2023-09-21 09:52:00
第四代移动通信技术是什么？有什么主要特点？第四代移动通信系统有哪些关键技术？
2021-05-26 07:07:28
）新推出的企业和数据中心固态硬盘外形尺寸（EDSFF） E1.S等行业标准，采用体积更小、且支持第四代PCIe的非易失性存储器高速（NVMe）固态硬盘。 这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点
2020-11-23 06:10:45
MIMO-OFDM系统为什么能成为第四代移动通信领域研究的热点和重点？
2021-05-27 06:39:06
据我所知，第五代capsense相比第四代将电容（包括自电容+互电容技术）和电感触摸技术集成到了一起，snr信噪比是上一代的十多倍，同时功耗仅是上一代的十分之一。但是这张图在感应模式上第四代
2024-05-23 06:24:34
总公司提供的，2014年下半年-2015年上半年出国展览计划，从美国迈阿密到巴西圣保罗，从俄罗斯莫斯科到阿联酋迪拜。展会行业包括消费品，礼品，玩具儿童用品，办公用品，美容护肤品，鞋类，家具园林，五金工具，木工机械，服装等众多行业，跨越全球全行业.下载附件即可查看展会信息。
2014-05-19 16:15:24
随着企业计算从第三代串行标准转向第四代串行标准，我们的客户需要一台高精度示波器，支持并可扩展地进行无缝转换。DPO70000SX的最低型号为23或33GHz，其可扩充的结构提供了“升级空间“，在
2016-06-08 15:02:10
接上篇横扫第四代串行测试文章，隔得太久大家可能忘记前排文章的内容了，这里就不重复叙述了，上篇直通车→横扫第四代串行测试一 随着各种重大行业规范不断进化，如PCIe，我们的测试测量工具也必须保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通过对本田第四代混合动力系统IMA的工作特性与主要零部件的分析研究，揭示了其基本的设计思想和工作原理，对于国内轻度混联混合动力汽车的研发具有一定的借鉴作用。
2021-05-12 06:08:11
阶段，可见未来5年工地对第四代强制式干混砂浆罐的需求会越来越大。 那么一款专业的工人专用空气净化施工产品应当是怎样的标准呢？ 第四代强制式干混砂浆罐的产品介绍： 搅拌机开机后，罐内的砂浆通过手动蝶阀或
2017-06-16 11:00:57
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36:46
本文从基本概念、接入系统、关键技术等几个方面全面介绍了第四代移动通信系统，并简单介绍了OFDM 技术在第四代移动通信中的应用。
2009-11-28 11:46:59
42 9294第四代智VCD维修解码板使用说明
第四代智能VCD维修解码板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED数码屏
2009-04-28 15:39:251718 第四代iPhone细节曝光
北京时间2月9日早间消息，美国数码产品维修网站iResQ今天刊文，曝光了苹果第四代iPhone的更多细节及图片，第四代iPhone要比当前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00937 第四代iPhone细节曝光
2010-02-22 10:25:18522 全球DRAM二哥海力士（Hynix）认为，DRAM产业下半年起开始复苏。
2012-03-16 09:00:194669 第四代移动通信技术研究，很好的网络资料，快来下载学习吧。
2016-04-19 11:30:480 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111317 
进入10nm工艺节点之后，EUV光刻机越来越重要，全球能产EUV光刻机的就是荷兰ASML公司了，他们总共卖出18台EUV光刻机，总价值超过20亿欧元，折合每套系统售价超过1亿欧元，可谓价值连城。
2017-01-19 18:22:594096 新一代奔驰G级预计将于今年亮相，最有可能会在今年9月的法兰克福车展上登场。至于G63很可能于明年下半年推出。
2017-07-05 17:06:041552 据外媒报道，从去年下半年至今，SSD/内存的价格就坐上了火箭，而且一点降价的迹象都没有，反而是SSD厂商不断传出不利因素，致使很多用户每天都在提心吊胆。不过现在总算有好消息了，首先是三星即将量产第四代堆叠闪存，还有是SK海力士也在进一步提高产能。
2017-07-07 16:31:36697 乎离DRAM价格稳定还有一段距离。据媒体报道，三星和SK海力士已经向客户发出了涨价通知，明年一季度DRAM将会继续涨8%，并且这个现状会在明年下半年再有好转，那就意味着上半年，DRAM依然是涨价为主旋律。
2017-12-21 10:29:236556 据悉，在今年上半年DRAM价格恐怕很难减下来，还会继续保持上涨趋势。到2018下半年是否增长具体还的看三星、sk海力士的实际增产情况。
2018-01-18 15:24:451011
今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上
2018-06-07 14:49:006864 xx nm就不明了。
三星是第一家量产18nm工艺，也就是第一个进入1X nm节点的，遥遥领先其他公司，美光现在也开始向1X nm工艺转进，下一代的1Y nm工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年
2018-06-08 14:29:076259 
现在也开始向1Xnm工艺转进，下一代的1Ynm工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年问世，1Znm工艺节点在处于工艺优化阶段，1α及1β工艺则是在不同研发阶段。
美光CEO
2018-08-20 17:41:491479 DRAM涨势不断，后遗症逐步显现，通路商表示，因存储器涨幅过大，下游应用端，尤其是笔电和部分智能手机等市场，不堪侵蚀获利，已开始朝降低搭载量抵制，加上部分新产量陆续在2019年产出，研判明年下半年，DRAM涨势将止步，价格有下修压力。
2018-08-28 16:22:491110 LGD广州已正式进入设备订单阶段，得到中国政府审批后，以明年下半年量产为目标有条不紊加速进行工厂筹备。
2018-09-19 09:02:363958 台积电前不久试产了7nm EUV工艺，预计明年大规模量产，三星今天宣布量产7nm EUV工艺，这意味着EUV工艺就要正式商业化了，而全球最大的光刻机公司荷兰ASML为这一天可是拼了20多年。
2018-10-19 10:49:293872 据韩国媒体亚洲经济报道，SK海力士透过子公司SK Hynix System IC向无锡晶圆代工事业出资1，000万美元，资金用途视厂房兴建计划而定，无锡新工厂计划于2019年下半年竣工，从2020年开始正式启动。
2018-11-24 10:39:413369 预计在今年下半年，成品的8GB DDR4模组也在验证中，目标领域是下一代企业级服务器和2020年的高端PC产品。 第三代10nm级工艺即1z nm（在内存制造中，用x/y/z指代级，工艺区间是10
2019-03-29 07:52:01592 SK海力士近日宣布，将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。SK海力士首款
2019-05-14 10:40:003315 继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临制程微缩难度不断增高的DRAM厂也开始评估采用EUV技术量产。三星电子今年第四季将开始利用EUV技术生产1z纳米DRAM，SK海力士及美光预期会在1α纳米或1β纳米评估导入EUV技术。
2019-06-18 17:20:313118 格芯首席技术官Gary Patton表示，如果在5nm的时候没有使用EUV光刻机，那么光刻的步骤将会超过100步，这会让人疯狂。所以所EUV光刻机无疑是未来5nm和3nm芯片的最重要生产工具，未来围绕EUV光刻机的争夺战将会变得异常激烈。因为这是决定这些厂商未来在先进工艺市场竞争的关键。
2019-09-03 17:18:1814886 
除了台积电，三星如今在工艺方面也是十分激进：7nm 7LPP去年十月投产之后，按照官方最新给出的时间表，6nm 6LPP将在今年下半年如期投入量产，5nm 5LPE今年内完成流片、明年上半年量产，4nm 4LPE也会在年内设计完毕。
2019-08-02 15:45:433408 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:321180 存储行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇，近日，根据最新消息显示，美系存储巨头，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，将于明年开始小范围量产。
2019-11-18 15:33:471043 SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。
2019-11-19 11:08:21941 据韩联社报道，投资机构Eugene预测，由于受到新冠肺炎的影响，DRAM价格将在今年下半年下跌，且下修了SK海力士的目标股价。
2020-04-14 16:12:362860 据韩联社报道，投资机构Eugene预测，由于受到新冠肺炎的影响，DRAM价格将在今年下半年下跌，且下修了SK海力士的目标股价。
2020-04-14 16:05:002999 据韩国消息报道，韩国产业通商资源部20日宣布，SK海力士的姊妹公司SKC预计将在今年下半年大规模生产高端掩模坯料，从而帮助SK海力士实现自给自足。
2020-04-21 14:44:562911 ASML的EUV光刻机是目前全球唯一可以满足22nm以下制程芯片生产的设备，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻机必不可缺。一台EUV光刻机的售价为1.48亿欧元，折合人民币高达11.74亿元
2020-10-19 12:02:4910752 
ASML公司的EUV光刻机全球独一份，现在主要是用在7nm及以下的逻辑工艺上，台积电、三星用它生产CPU、GPU等芯片。马上内存芯片也要跟进了，SK海力士宣布明年底量产EUV工艺内存。
2020-10-30 10:54:212202 据报道，台积电3纳米芯片将于2022年下半年开始量产，月产量料达到5.5万片，在2023年月产量将达到10.5万片。
2020-11-25 11:11:4733378 11月25日消息，据国外媒体报道，在今年一季度及二季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家透露他们的3nm工艺进展顺利，计划在2021年风险试产，2022年下半年大规模量产。 而英文媒体
2020-11-25 13:52:562274 。 EUV光刻机参与的将是SK海力士的第四代（1a nm）内存，在内存业内，目前的代际划分是1x、1y、1z和1a。 EUV光刻机的参与可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。 当然，EUV光刻机实在是香饽饽。唯一的制造商ASML（
2020-11-26 18:23:292303 目前，EUV光刻机的部署安装主要在台积电、三星的晶圆代工厂。不过，内存厂商们也开始着手上马了。
2020-11-27 10:37:041610 更多诀窍，领先对手1到2年。 据悉，三星的1z nm DRAM第三代内存已经用上了一层EUV，第四代1a nm将增加到4层。EUV光刻机的参与可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。 尽管SK海力士、美光等也在尝试EUV，但层数过少对
2020-12-04 18:26:542674 1月15日消息，据国外媒体报道，根据台积电公布的计划，他们的3nm工艺，计划在今年风险试产，2022年下半年大规模量产。
2021-01-17 11:32:123561 据etnews报道，SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机，以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM，不过并未透露
2021-01-20 18:19:202943 的出货不及预期的35台，而且他们还宣布了下一代高NA的EUV光刻机要到2025-2026年之间才能规模应用，意味着要延期了。 此前信息显示，ASML下一代EUV光刻机最早是2022年开始出样，大规模量产
2021-01-22 17:55:243621 主要生产DRAM产品，建筑面积为57，000平方米（17，000坪），长336m，宽163m，高105m。它是SK海力士在韩国内外最大的生产基地。 值得一提的是，M16首次引进EUV光刻设备，并从今年下半年开始生产1αnm DRAM产品。 责任编辑：xj
2021-02-01 17:10:462599 存储芯片厂商 SK 海力士 2 月 1 日宣布，其公司位于韩国首尔南部利川市的 M16 新厂已经竣工，SK 海力士将首次使用极紫外辐射（EUV）光刻机在生产存储芯片。 SK 海力士经过两年的时间
2021-02-02 10:10:314335 存储芯片厂商SK海力士今天宣布，其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工，SK海力士将首次使用极紫外辐射（EUV）光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间，花费了3.5万亿韩元（约合
2021-02-02 15:00:152767 购进了极紫外光刻机，用于生产相关的芯片。 SK海力士已购入极紫外光刻机的消息，源自外媒中提到的M16工厂。外媒在报道中表示，SK海力士M16工厂的建设已经完成，极紫外光刻机也已经安装到位，将用于生产DRAM（动态随机存取存储器）。
2021-02-02 18:08:483347 存储芯片厂商SK海力士宣布，其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工，SK海力士将首次使用极紫外辐射（EUV）光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间，花费了3.5万亿韩元（约合31亿
2021-02-03 17:23:412264 台积电董事长刘德音近日受邀于2021年国际固态电路会议（ISSCC 2021）开场线上专题演说时指出，台积电3nm制程依计划推进，甚至比预期还超前了一些。3nm及未来主要制程节点将如期推出并进入生产。台积电3nm制程预计今年下半年试产，明年下半年进入量产。
2021-02-21 10:49:293093 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机。
2021-02-25 09:28:552324 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机
2021-02-25 09:30:232709 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机。
2021-02-25 11:39:092438 日前，ASML产品营销总监Mike Lercel向媒体分享了EUV（极紫外）光刻机的最新进展。
2021-03-19 09:39:405766 台积电董事长刘德音透露 3nm 按计划时程发展，进度甚至较原先预期超前。这意味着 3nm 量产时程可望较原先预计的 2022 年下半年提前。台积电对此消息回应称，不评论市场传闻。
2021-04-01 13:47:052725 AN65--第四代LCD背光技术
2021-04-19 11:43:336 的。台积电、三星、Intel的7nm、5nm，以及未来的3nm、2nm都要依赖EUV光刻机，单台售价超过1亿美元，成本极高。 目前，ASML的EUV光刻机使用的还是第一代，EUV光源波长在13.5nm
2021-06-26 16:55:281795 7nm之下不可或缺的制造设备，我国因为贸易条约被迟迟卡住不放行的也是一台EUV光刻机。 但EUV光刻机的面世靠的不仅仅是ASML一家的努力，还有蔡司和TRUMPF（通快）两家欧洲光学巨头的合作才得以成功。他们的技术分别为EUV光刻机的镜头和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1012038 在电子化程度如此高的现在，人们身边的电子设备比比皆是，而它们又都离不开芯片。现在芯片制程技术也处于飞速发展的阶段，芯片巨头台积电和三星都将在今年下半年开始量产3nm制程芯片，2024或2025年实现
2022-06-22 14:44:162172 EUV光刻机是在2018年开始出现，并在2019年开始大量交付，而台积电也是在2019年推出了7nm EUV工艺。
2022-07-07 09:48:445306 可以生产出纳米尺寸更小、功能更强大的芯片。 小于5 nm的芯片晶片只能由EUV光刻机生产。 EUV光刻机有光源系统、光学镜头、双工作台系统三大核心技术。 目前，最先进的光刻机是荷兰ASML公司的EUV光刻机。预计在光路系统的帮助下，能
2022-07-10 14:35:067941 光刻机和euv光刻机区别是是什么呢？ duv光刻机和euv光刻机区别 1.基本上duv只能做到25nm，而euv能够做到10nm以下晶圆的生产。 2. duv主要使用的是光的折射原理，而euv使用的光的反射原理，内部必须是真空操作。 以上就是duv光刻机和euv光刻机区别了，现在基本都是euv光刻机
2022-07-10 14:53:1087068 euv光刻机原理是什么 芯片生产的工具就是紫外光刻机，是大规模集成电路生产的核心设备，对芯片技术有着决定性的影响。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻机生产。那么euv光刻机原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1018347 服务器客户 韩国首尔2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士12日宣布，公司研发的第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔（Intel®）近期上市的全新第四代Xeon®服务器
2023-01-12 21:32:261496 Sk海力士期望通过在无锡工厂完成第四代D-RAM制造环节中的部分工艺流程，随后将芯片运回韩国总部利川园区进行EUV处理，最后送回无锡工厂进行后续操作。尽管第四代产品仅需一层使用EUV工艺，但公司仍认为增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:582000 趋势，半导体巨头三星电子和SK海力士正考虑增加工厂的半导体晶圆投入量，以加速向更先进的10纳米第四代（1a）和第五代（1b）版本的过渡。
2024-03-06 10:49:491263 SK海力士宣布，计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品，而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议，原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。
2024-05-06 15:10:211338 知情人士透露，由于ASML高数值孔径EUV设备产能有限，每年仅能产出5至6台，因此英特尔将独享初始库存，而竞争对手三星和SK海力士预计需等到明年下半年才能获得此设备。
2024-05-08 10:44:041396 值得注意的是，目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm（第六代10+nm级）制程DRAM内存颗粒。早前报道，三星电子与SK海力士预计今年内实现1c nm DRAM的量产，而美光则需等到明年。新一代颗粒有望在密度和能效方面取得显著进步。
2024-05-14 14:56:271657 近日，三星和SK海力士宣布，将于下半年停止生产并供应DDR3内存，转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
2024-05-17 10:12:211563 据台湾业内人士透露，台积电并未为A16制程配备高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，而选择利用现有的EUV光刻机进行生产。相较之下，英特尔和三星则计划在此阶段使用最新的High-NA EUV光刻机。
2024-05-17 17:21:472030 SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐，计划在其第6代（1c工艺，约10nm）DRAM的生产中，首次采用Inpria的下一代金属氧化物光刻胶（MOR）。这一突破性的应用标志着MOR技术正式进入DRAM量产工艺。
2024-05-30 11:02:581506 SK海力士近日宣布了一项重要计划，即开发采用4F2结构（垂直栅）的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐，标志着SK海力士在DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示，随着极紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 全球半导体巨头SK海力士近日宣布了一项重大人才招募计划，旨在通过下半年的大规模新员工及资深行业人才招聘活动，进一步强化其在高带宽存储器（HBM）领域的领导地位，并积极拥抱人工智能（AI）半导体市场的迅猛增长浪潮。
2024-09-03 16:08:091785 存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。 由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划
2024-12-21 15:16:46915 
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2025-01-09 14:12:250 据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来，每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点（SF4X）进行大规模生产。第四代4nm工艺
2025-03-12 16:07:1713208
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