减少资本支出。该公司计划在服务器、NAND闪存及DRAM需求和价格下降的情况下灵活应对市场状况。 DRAM价格下降11%，NAND价格下降21% 随着2018下半年内存需求放缓，供应短缺得到解决，内存市场环境迅速变化。因此，SK海力士第四季度合并收入环比下降13％至9.94万
2019-01-27 00:35:00
8617 SK海力士开发的HBM2E DRAM产品具有业界最高的带宽。与之前的HBM2相比，新款HBM2E拥有大约50％的带宽和100％的额外容量。 该公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超过每秒
2019-08-13 09:28:415518 业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。 工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入E
2021-07-12 10:57:064340 SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:351275 SK海力士在昨天的电邮声明中表示，其全资子公司SK海力士System IC与无锡市政府下属的投资公司无锡产业发展集团合资组建8寸晶圆代工厂，建立的新生产线将生产模拟半导体，预计于今年下半年开工，并于2019年下半年完工，2020年正式启用生产。
2018-07-12 09:53:474255 。台积电的3纳米产品研发进展非常顺利，将在今年下半年实现量产，而2纳米产品的量产预计会在2025年实现。8月22日，天风国际证券分析师郭明錤周一推文预测，苹果下半年推出的高级别 14 吋和 16 吋 MacBook Pro 新机将搭载台积电的 5nm技术制造的 M2 芯片，并于 2022 年第四季量产。
2022-08-23 11:04:106122 
日前，据韩国媒体报道，三星电子和SK海力士都将在DRAM生产中导入EUV技术，以建立更高的技术壁垒。对此，美光（Micron）企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用 EUV 计划。
2020-10-09 10:34:452136 SK海力士于周三宣布与ASML签订了一项为期5年（截至2025年12月1日）的采购合同，总值约为4.8万亿韩元（43.4亿美元），用于购置EUV光刻机。
2021-02-25 11:57:573803 极紫外（EUV）光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中，以应对不断增加的工作负载。 SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础
2021-03-29 14:38:436644 近日，SK海力士官网发布新闻消息称，公司已于7月初开始量产适用第四代10nm（1a）级工艺的8Gb LPDDR4 移动端DRAM产品。值得注意的是，这是SK海力士首次采用EUV技术进行DRAM量产
2021-07-13 06:36:582938 
光刻机引进中国大陆。 针对EUV光刻机进厂可能延期的问题，在日前的韩国半导体工业协会30周年纪念活动上，SK海力士CEO Seok-hee Lee（李锡熙）表示，正在与美方合作，进展良好，EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用，中国工厂还有充足的时间供斡
2021-11-24 09:28:344521 作为近乎垄断的光刻机巨头，ASML的EUV光刻机已经在全球顶尖的晶圆厂中获得了使用。无论是英特尔、台积电还是三星，EUV光刻机的购置已经是生产支出中很大的一笔，也成了7nm之下不可或缺的制造设备
2021-12-01 10:07:4110988 45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab
2019-07-01 07:22:23
SK海力士也宣布，2018年下半将投资重心集中于NAND Flash，NAND Flash新厂投资进度正在加速，DRAM只会进行小规模补强与转换投资。如何看待这两则新闻？笔者认为这属于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
ofweek电子工程网讯 国际半导体制造龙头三星、台积电先后宣布将于2018年量产7纳米晶圆制造工艺。这一消息使得业界对半导体制造的关键设备之一极紫外光刻机（EUV）的关注度大幅提升。此后又有媒体
2017-11-14 16:24:44
都已经使用7nm EUV工艺开始生产芯片了，预定今年发布的AMD Zen 3架构第四代锐龙处理器用的就是台积电7nm EUV工艺，Intel现在的10nm工艺还没用上EUV技术，不过预定在7nm工艺
2020-07-07 14:22:55
的要求则反过来，我们要确保影像要绝对清晰，就要将对焦点落在光阻上，并且确保光阻绝对不可落到景深范围之外。那ASML的光刻机景深有多大呢？ 所以我们就是要把光阻移到这个100nm的范围之内，是不是有点
2020-09-02 17:38:07
第四代CSR8670开发板开发步骤Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召开的第十三届中国卫星导航年会（CSNC2022）上，深圳华大北斗科技股份有限公司研发的第四代北斗芯片正式发布。
这是一款拥有完全自主知识产权的国产基带和射频一体化SoC芯片，作为
2023-09-21 09:52:00
第四代移动通信技术是什么？有什么主要特点？第四代移动通信系统有哪些关键技术？
2021-05-26 07:07:28
）新推出的企业和数据中心固态硬盘外形尺寸（EDSFF） E1.S等行业标准，采用体积更小、且支持第四代PCIe的非易失性存储器高速（NVMe）固态硬盘。 这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点
2020-11-23 06:10:45
MIMO-OFDM系统为什么能成为第四代移动通信领域研究的热点和重点？
2021-05-27 06:39:06
两大4G国际标准之一。截至目前，TD-LTE在全球已建设33个试验网，今年下半年基于该制式的终端有望在国内试商用。众所周知，TD-LTE-A是由我国***主导、大唐电 信集团拥有核心基础专利的第四代
2012-02-13 09:10:12
日前，国外数码博主Teme发布推文表示：鸿蒙OS3.0将会是一款面向移动设备的操作系统，而首款搭载鸿蒙操作系统的华为手机将于2021年下半年问世。这可能是近期听到的，有关华为鸿蒙手机最为具体的爆料
2020-09-07 13:52:39
里。有消息称，三星电子要到第四季度才会扩充显存产能，也就是最快10月份，但要想平复市场需求，恐怕还得更长时间。顺便说，SSD这一年多来价格持续走高，不过预计今年下半年会逐渐趋于稳定，甚至小幅下降，主要是SK海力士的新一代闪存工艺已经稳定，产能不是问题。
2017-08-18 10:36:35
总公司提供的，2014年下半年-2015年上半年出国展览计划，从美国迈阿密到巴西圣保罗，从俄罗斯莫斯科到阿联酋迪拜。展会行业包括消费品，礼品，玩具儿童用品，办公用品，美容护肤品，鞋类，家具园林，五金工具，木工机械，服装等众多行业，跨越全球全行业.下载附件即可查看展会信息。
2014-05-19 16:15:24
，第三季度以最快速度提升产能，下半年5nm产能提升速度及幅度有望创下该公司产能新纪录。到了5nm阶段，台积电的投资额进一步攀升，16nm制程下，1万片产能投资约15亿美元，7nm制程下，1万片产能投资估计30
2020-03-09 10:13:54
随着企业计算从第三代串行标准转向第四代串行标准，我们的客户需要一台高精度示波器，支持并可扩展地进行无缝转换。DPO70000SX的最低型号为23或33GHz，其可扩充的结构提供了“升级空间“，在
2016-06-08 15:02:10
接上篇横扫第四代串行测试文章，隔得太久大家可能忘记前排文章的内容了，这里就不重复叙述了，上篇直通车→横扫第四代串行测试一 随着各种重大行业规范不断进化，如PCIe，我们的测试测量工具也必须保持同步
2016-07-07 17:28:56
个月合併营收178.61亿元，较去年同期成长4.7％。华邦电下半年DRAM投片顺利转进3x奈米製程后，位元成长率明显提升，加上价格可望续涨，营收及获利的成长动能将显现出来。华邦电也正加强製程微缩，希望明年上半年2x奈米DRAM製程可顺利完成认证。
2017-06-13 15:03:01
本文通过对本田第四代混合动力系统IMA的工作特性与主要零部件的分析研究，揭示了其基本的设计思想和工作原理，对于国内轻度混联混合动力汽车的研发具有一定的借鉴作用。
2021-05-12 06:08:11
阶段，可见未来5年工地对第四代强制式干混砂浆罐的需求会越来越大。 那么一款专业的工人专用空气净化施工产品应当是怎样的标准呢？ 第四代强制式干混砂浆罐的产品介绍： 搅拌机开机后，罐内的砂浆通过手动蝶阀或
2017-06-16 11:00:57
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36:46
全球DRAM二哥海力士（Hynix）认为，DRAM产业下半年起开始复苏。
2012-03-16 09:00:193141 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111032 
SK 海力士最先进72层3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-28 16:36:11766 据外媒报道，从去年下半年至今，SSD/内存的价格就坐上了火箭，而且一点降价的迹象都没有，反而是SSD厂商不断传出不利因素，致使很多用户每天都在提心吊胆。不过现在总算有好消息了，首先是三星即将量产第四代堆叠闪存，还有是SK海力士也在进一步提高产能。
2017-07-07 16:31:36551 乎离DRAM价格稳定还有一段距离。据媒体报道，三星和SK海力士已经向客户发出了涨价通知，明年一季度DRAM将会继续涨8%，并且这个现状会在明年下半年再有好转，那就意味着上半年，DRAM依然是涨价为主旋律。
2017-12-21 10:29:236013 据悉，在今年上半年DRAM价格恐怕很难减下来，还会继续保持上涨趋势。到2018下半年是否增长具体还的看三星、sk海力士的实际增产情况。
2018-01-18 15:24:45838 据市场分析，GPU业者对绘图DRAM需求料将有增无减，2018年绘图DRAM销量会持续上扬，三星、SK海力士相继量产HBM2，价格比一般DRAM贵5倍。
2018-02-07 14:47:531619 中芯国际联席CEO梁孟松透露，中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺，2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺，并藉此进入AI芯片领域。
2018-05-14 14:52:005009 今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV
2018-06-07 14:49:006059 DRAM涨势不断，后遗症逐步显现，通路商表示，因存储器涨幅过大，下游应用端，尤其是笔电和部分智能手机等市场，不堪侵蚀获利，已开始朝降低搭载量抵制，加上部分新产量陆续在2019年产出，研判明年下半年，DRAM涨势将止步，价格有下修压力。
2018-08-28 16:22:49786 SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043196 LGD广州已正式进入设备订单阶段，得到中国政府审批后，以明年下半年量产为目标有条不紊加速进行工厂筹备。
2018-09-19 09:02:363389 台积电前不久试产了7nm EUV工艺，预计明年大规模量产，三星今天宣布量产7nm EUV工艺，这意味着EUV工艺就要正式商业化了，而全球最大的光刻机公司荷兰ASML为这一天可是拼了20多年。
2018-10-19 10:49:293306 存储器大厂SK海力士（Hynix）也传出消息，正在研发EUV技术来生产DRAM存储器，未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:243560 据韩国媒体亚洲经济报道，SK海力士透过子公司SK Hynix System IC向无锡晶圆代工事业出资1，000万美元，资金用途视厂房兴建计划而定，无锡新工厂计划于2019年下半年竣工，从2020年开始正式启动。
2018-11-24 10:39:412756 此前，光刻机霸主艾司摩尔（ASML）中国区总裁沈波在中国集成电路制造年会上表示，今年下半年艾司摩尔已开始出货家族最先进的NXT2000i，很快会在中国市场上也见到。如今，该消息正式被证实。12月19日晚间，中国首台艾司摩尔NXT2000i正式搬入SK海力士位于无锡的工厂。
2018-12-21 14:16:105180 从去年下半年开始，不断有消息称，中芯国际将在2019年上半年大规模量产14nm工艺，虽然相比世界最先进水平还有一定差距，但追赶势头已经非常快了。
2019-02-28 09:41:232616 预计在今年下半年，成品的8GB DDR4模组也在验证中，目标领域是下一代企业级服务器和2020年的高端PC产品。 第三代10nm级工艺即1z nm（在内存制造中，用x/y/z指代级，工艺区间是10
2019-03-29 07:52:01215 随着晶圆代工厂的投片量回升，加上韩国SK海力士无锡厂第二期自4月开始进入量产阶段，硅晶圆第二季需求明显止稳，下半年将进入成长复甦阶段。
2019-04-08 17:12:322601 SK海力士近日宣布，将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。SK海力士
2019-05-14 10:40:002651 继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临制程微缩难度不断增高的DRAM厂也开始评估采用EUV技术量产。三星电子今年第四季将开始利用EUV技术生产1z纳米DRAM，SK海力士及美光预期会在1α纳米或1β纳米评估导入EUV技术。
2019-06-18 17:20:312438 除了台积电，三星如今在工艺方面也是十分激进：7nm 7LPP去年十月投产之后，按照官方最新给出的时间表，6nm 6LPP将在今年下半年如期投入量产，5nm 5LPE今年内完成流片、明年上半年量产，4nm 4LPE也会在年内设计完毕。
2019-08-02 15:45:432671 SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。
2019-11-19 11:08:21649 天风国际证券分析师郭明錤在其最新的研报报告中表示，苹果将在明年发布5款新iPhone。其中，上半年发布1款，下半年发布4款，而支持5G是明年下半年新款iPhone最重要的技术升级。
2019-12-06 08:53:07760 本月DRAM现货价格急涨，以DRAM为主力商品的三星电子、SK海力士等半导体企业有望改善营收。
2019-12-18 16:36:542729 据韩联社报道，投资机构Eugene预测，由于受到新冠肺炎的影响，DRAM价格将在今年下半年下跌，且下修了SK海力士的目标股价。
2020-04-14 16:12:362298 据韩联社报道，投资机构Eugene预测，由于受到新冠肺炎的影响，DRAM价格将在今年下半年下跌，且下修了SK海力士的目标股价。
2020-04-14 16:05:002411 据韩国消息报道，韩国产业通商资源部20日宣布，SK海力士的姊妹公司SKC预计将在今年下半年大规模生产高端掩模坯料，从而帮助SK海力士实现自给自足。
2020-04-21 14:44:562331 ASML的EUV光刻机是目前全球唯一可以满足22nm以下制程芯片生产的设备，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻机必不可缺。一台EUV光刻机的售价为1.48亿欧元，折合人民币高达11.74亿元
2020-10-19 12:02:499648 
ASML公司的EUV光刻机全球独一份，现在主要是用在7nm及以下的逻辑工艺上，台积电、三星用它生产CPU、GPU等芯片。马上内存芯片也要跟进了，SK海力士宣布明年底量产EUV工艺内存。
2020-10-30 10:54:211646 据报道，台积电3纳米芯片将于2022年下半年开始量产，月产量料达到5.5万片，在2023年月产量将达到10.5万片。
2020-11-25 11:11:4732599 11月25日消息，据国外媒体报道，在今年一季度及二季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家透露他们的3nm工艺进展顺利，计划在2021年风险试产，2022年下半年大规模量产。 而英文媒体
2020-11-25 13:52:561646 。 EUV光刻机参与的将是SK海力士的第四代（1a nm）内存，在内存业内，目前的代际划分是1x、1y、1z和1a。 EUV光刻机的参与可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。 当然，EUV光刻机实在是香饽饽。唯一的制造商ASML（
2020-11-26 18:23:291761 目前，EUV光刻机的部署安装主要在台积电、三星的晶圆代工厂。不过，内存厂商们也开始着手上马了。
2020-11-27 10:37:041110 11月25日消息据彭博报道，台积电将于2022年下半年开始量产3纳米芯片，单月产能5.5万片起。报道援引台积电董事长刘德音称，3纳米芯片开始量产时公司在台南科学园的雇员数将达到约2万人，目前为1.5万人。
2020-11-30 10:42:032087 在无缘为iPhone 12供应OLED屏幕之后，外媒在9月份的报道中又表示，京东方仍有望在明年进入苹果的供应链，在明年下半年为iPhone 13供应OLED屏幕。
2020-11-30 14:34:401403 
SK海力士半导体（重庆）有限公司是SK海力士在重庆投资建设的封装测试工厂，位于重庆西永综合保税区B区，累计注册资本已达4亿美元。该工厂2014年下半年投产，主要产能为NAND Flash封测产线，一期工程进行测试、二期则是专门进行封装。
2020-12-04 17:58:292041 
更多诀窍，领先对手1到2年。 据悉，三星的1z nm DRAM第三代内存已经用上了一层EUV，第四代1a nm将增加到4层。EUV光刻机的参与可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。 尽管SK海力士、美光等也在尝试EUV，但层数过少对
2020-12-04 18:26:542201 继SK海力士日前宣布在M14和建设中的M16工厂均引入EUV光刻机后，三星也坐不住了。
2020-12-05 09:14:061454 12月11日消息，业内人士@Ross Young在推特爆料，明年下半年折叠屏手机将会迎来一波热潮。
2020-12-11 11:08:01479 1月15日消息，据国外媒体报道，根据台积电公布的计划，他们的3nm工艺，计划在今年风险试产，2022年下半年大规模量产。
2021-01-17 11:32:122840 据etnews报道，SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机，以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM，不过并未透露
2021-01-20 18:19:202146 在1月15日举行的法人说明会上，台积电透露了公司3nm工艺的研发情况。在今年下半年，台积电3nm工艺将进行风险试产，并在2022年下半年开始批量生产。
2021-01-24 11:06:062146 主要生产DRAM产品，建筑面积为57，000平方米（17，000坪），长336m，宽163m，高105m。它是SK海力士在韩国内外最大的生产基地。 值得一提的是，M16首次引进EUV光刻设备，并从今年下半年开始生产1αnm DRAM产品。 责任编辑：xj
2021-02-01 17:10:461921 存储芯片厂商 SK 海力士 2 月 1 日宣布，其公司位于韩国首尔南部利川市的 M16 新厂已经竣工，SK 海力士将首次使用极紫外辐射（EUV）光刻机在生产存储芯片。 SK 海力士经过两年的时间
2021-02-02 10:10:312824 存储芯片厂商SK海力士今天宣布，其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工，SK海力士将首次使用极紫外辐射（EUV）光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间，花费了3.5万亿韩元
2021-02-02 15:00:152112 ，也购进了极紫外光刻机，用于生产相关的芯片。 SK海力士已购入极紫外光刻机的消息，源自外媒中提到的M16工厂。外媒在报道中表示，SK海力士M16工厂的建设已经完成，极紫外光刻机也已经安装到位，将用于生产DRAM（动态随机存取存储器）。
2021-02-02 18:08:482632 存储芯片厂商SK海力士宣布，其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工，SK海力士将首次使用极紫外辐射（EUV）光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间，花费了3.5万亿韩元（约合31
2021-02-03 17:23:411715 台积电董事长刘德音近日受邀于2021年国际固态电路会议（ISSCC 2021）开场线上专题演说时指出，台积电3nm制程依计划推进，甚至比预期还超前了一些。3nm及未来主要制程节点将如期推出并进入生产。台积电3nm制程预计今年下半年试产，明年下半年进入量产。
2021-02-21 10:49:292345 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机。
2021-02-25 09:28:551644 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机
2021-02-25 09:30:232047 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机。
2021-02-25 11:39:091844 近日，有消息称，台积电将于今年下半年提前投产3nm工艺，并可能于明年进行量产，这对于芯片行业有重要意义。 据悉，3nm将继续使用FinFET晶体管，但是相较于5nm晶体管密度增加70％，性能可提升
2021-03-04 12:01:071566 台积电董事长刘德音透露 3nm 按计划时程发展，进度甚至较原先预期超前。这意味着 3nm 量产时程可望较原先预计的 2022 年下半年提前。台积电对此消息回应称，不评论市场传闻。
2021-04-01 13:47:052158 在电子化程度如此高的现在，人们身边的电子设备比比皆是，而它们又都离不开芯片。现在芯片制程技术也处于飞速发展的阶段，芯片巨头台积电和三星都将在今年下半年开始量产3nm制程芯片，2024或2025年实现
2022-06-22 14:44:161183 光刻机和euv光刻机区别是是什么呢？ duv光刻机和euv光刻机区别 1.基本上duv只能做到25nm，而euv能够做到10nm以下晶圆的生产。 2. duv主要使用的是光的折射原理，而euv使用的光的反射原理，内部必须是真空操作。 以上就是duv光刻机和euv光刻机区别了，现在基本都是euv光刻机
2022-07-10 14:53:1078127 euv光刻机原理是什么 芯片生产的工具就是紫外光刻机，是大规模集成电路生产的核心设备，对芯片技术有着决定性的影响。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻机生产。那么euv光刻机原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1015099 服务器客户 韩国首尔2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士12日宣布，公司研发的第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔（Intel®）近期上市的全新第四代Xeon®服务器
2023-01-12 21:32:26610 同期下降了 31.7% 至 23 亿美元。 去年第四季度，SK 海力士以 27.6% 的份额保持在 DRAM 市场的第二位，而
2023-06-01 08:46:06550 Sk海力士期望通过在无锡工厂完成第四代D-RAM制造环节中的部分工艺流程，随后将芯片运回韩国总部利川园区进行EUV处理，最后送回无锡工厂进行后续操作。尽管第四代产品仅需一层使用EUV工艺，但公司仍认为增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:58418 在全球存储半导体市场的激烈竞争中，SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器（HBM3E）的开发工作，并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品，并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
2024-02-21 11:14:08612 趋势，半导体巨头三星电子和SK海力士正考虑增加工厂的半导体晶圆投入量，以加速向更先进的10纳米第四代（1a）和第五代（1b）版本的过渡。
2024-03-06 10:49:49261
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