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电子发烧友网>存储技术>用上EUV光刻机 SK海力士将于明年下半年量产第四代(1a nm)DRAM

用上EUV光刻机 SK海力士将于明年下半年量产第四代(1a nm)DRAM

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2020-12-04 17:58:292041

三星扩大部署EUV光刻工艺

更多诀窍,领先对手1到2年。 据悉,三星的1z nm DRAM第三代内存已经用上了一层EUV第四代1a nm将增加到4层。EUV光刻机的参与可以减少多重曝光工艺,提供工艺精度,从而可以减少生产时间、降低成本,并提高性能。 尽管SK海力士、美光等也在尝试EUV,但层数过少对
2020-12-04 18:26:542201

三星部署扩展EUV光刻工艺,争取提高性能

SK海力士日前宣布在M14和建设中的M16工厂均引入EUV光刻机后,三星也坐不住了。
2020-12-05 09:14:061454

曝小米将在明年下半年推高性价比折叠屏手机

12月11日消息,业内人士@Ross Young在推特爆料,明年下半年折叠屏手机将会迎来一波热潮。
2020-12-11 11:08:01479

台积电的3nm工艺将在2022年下半年大规模量产

1月15日消息,据国外媒体报道,根据台积电公布的计划,他们的3nm工艺,计划在今年风险试产,2022年下半年大规模量产
2021-01-17 11:32:122840

SK海力士已开始安装EUV光刻机,以量产10nm 1a DRAM

据etnews报道,SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机,以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM,不过并未透露
2021-01-20 18:19:202146

台积电3nm工艺将在2022年下半年批量生产

在1月15日举行的法人说明会上,台积电透露了公司3nm工艺的研发情况。在今年下半年,台积电3nm工艺将进行风险试产,并在2022年下半年开始批量生产。
2021-01-24 11:06:062146

SK海力士M16工厂在韩国京畿道利川总部举行竣工仪式

主要生产DRAM产品,建筑面积为57,000平方米(17,000坪),长336m,宽163m,高105m。它是SK海力士在韩国内外最大的生产基地。 值得一提的是,M16首次引进EUV光刻设备,并从今年下半年开始生产1αnm DRAM产品。 责任编辑:xj
2021-02-01 17:10:461921

SK 海力士 M16 新厂已竣工:首次使用极紫外辐射(EUV光刻机在生产存储芯片

存储芯片厂商 SK 海力士 2 月 1 日宣布,其公司位于韩国首尔南部利川市的 M16 新厂已经竣工,SK 海力士将首次使用极紫外辐射(EUV光刻机在生产存储芯片。 SK 海力士经过两年的时间
2021-02-02 10:10:312824

SK海力士将首次使用EUV光刻机生产芯片

存储芯片厂商SK海力士今天宣布,其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工,SK海力士将首次使用极紫外辐射(EUV光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间,花费了3.5万亿韩元
2021-02-02 15:00:152112

SK海力士M16工厂已安装极紫外光刻机 开始试生产1anm DRAM

,也购进了极紫外光刻机,用于生产相关的芯片。 SK海力士已购入极紫外光刻机的消息,源自外媒中提到的M16工厂。外媒在报道中表示,SK海力士M16工厂的建设已经完成,极紫外光刻机也已经安装到位,将用于生产DRAM(动态随机存取存储器)。
2021-02-02 18:08:482632

SK海力士M16新厂竣工 将首次使用EUV光刻机生产

存储芯片厂商SK海力士宣布,其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工,SK海力士将首次使用极紫外辐射(EUV光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间,花费了3.5万亿韩元(约合31
2021-02-03 17:23:411715

台积电3nm制程预计下半年试产量产

台积电董事长刘德音近日受邀于2021年国际固态电路会议(ISSCC 2021)开场线上专题演说时指出,台积电3nm制程依计划推进,甚至比预期还超前了一些。3nm及未来主要制程节点将如期推出并进入生产。台积电3nm制程预计今年下半年试产,明年下半年进入量产
2021-02-21 10:49:292345

SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机

随着半导体工艺进入10nm节点以下,EUV光刻机成为制高点,之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机,率先量产7nm、5nm工艺,现在内存厂商也要入场了,SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机
2021-02-25 09:28:551644

SK海力士与ASML签合同:SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机

随着半导体工艺进入10nm节点以下,EUV光刻机成为制高点,之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机,率先量产7nm、5nm工艺,现在内存厂商也要入场了,SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机
2021-02-25 09:30:232047

SK海力士砸4.8万亿韩元买EUV光刻机

随着半导体工艺进入10nm节点以下,EUV光刻机成为制高点,之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机,率先量产7nm、5nm工艺,现在内存厂商也要入场了,SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机
2021-02-25 11:39:091844

消息称台积电将于今年下半年提前投产3nm工艺

近日,有消息称,台积电将于今年下半年提前投产3nm工艺,并可能于明年进行量产,这对于芯片行业有重要意义。 据悉,3nm将继续使用FinFET晶体管,但是相较于5nm晶体管密度增加70%,性能可提升
2021-03-04 12:01:071566

台积电3nm预计2021年试产,将于2022年下半年量产

台积电董事长刘德音透露 3nm 按计划时程发展,进度甚至较原先预期超前。这意味着 3nm 量产时程可望较原先预计的 2022 年下半年提前。台积电对此消息回应称,不评论市场传闻。
2021-04-01 13:47:052158

ASML的High-NA光刻机居然只卖出5台,大多芯片厂商不为所动

在电子化程度如此高的现在,人们身边的电子设备比比皆是,而它们又都离不开芯片。现在芯片制程技术也处于飞速发展的阶段,芯片巨头台积电和三星都将在今年下半年开始量产3nm制程芯片,2024或2025年实现
2022-06-22 14:44:161183

duv光刻机euv光刻机区别是什么

光刻机euv光刻机区别是是什么呢? duv光刻机euv光刻机区别 1.基本上duv只能做到25nm,而euv能够做到10nm以下晶圆的生产。 2. duv主要使用的是光的折射原理,而euv使用的光的反射原理,内部必须是真空操作。 以上就是duv光刻机euv光刻机区别了,现在基本都是euv光刻机
2022-07-10 14:53:1078127

euv光刻机原理是什么

euv光刻机原理是什么 芯片生产的工具就是紫外光刻机,是大规模集成电路生产的核心设备,对芯片技术有着决定性的影响。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻机生产。那么euv光刻机原理是什么呢? EUV
2022-07-10 15:28:1015099

SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证

服务器客户 韩国首尔2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士12日宣布,公司研发的第四代10纳米级(1a)DDR5服务器DRAM获得了英特尔(Intel®)近期上市的全新第四代Xeon®服务器
2023-01-12 21:32:26610

反超SK海力士,美光跃居第二大DRAM供应商

同期下降了 31.7% 至 23 亿美元。 去年第四季度,SK 海力士以 27.6% 的份额保持在 DRAM 市场的第二位,而
2023-06-01 08:46:06550

SK海力士拟将无锡C2工厂升级为第四代D-ram工艺,并引进EUV技术

Sk海力士期望通过在无锡工厂完成第四代D-RAM制造环节中的部分工艺流程,随后将芯片运回韩国总部利川园区进行EUV处理,最后送回无锡工厂进行后续操作。尽管第四代产品仅需一层使用EUV工艺,但公司仍认为增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:58418

SK海力士将于3月量产HBM3E存储器

在全球存储半导体市场的激烈竞争中,SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器(HBM3E)的开发工作,并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品,并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
2024-02-21 11:14:08612

AI需求激增,三星与SK海力士计划增产高价值DRAM

趋势,半导体巨头三星电子和SK海力士正考虑增加工厂的半导体晶圆投入量,以加速向更先进的10纳米第四代1a)和第五代(1b)版本的过渡。
2024-03-06 10:49:49261

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