SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产

据5月14日消息，韩国SK海力士在IEEE IMW国际存储研讨会上宣布HBM4E内存的开发周期有望缩短至一年，并进一步透露相关细节。公司技术专家Kim Kwi Wook表示，计划采用1c nm制程的32Gb DRAM裸片来制造HBM4E内存。

值得注意的是，目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm（第六代10+nm级）制程DRAM内存颗粒。早前报道，三星电子与SK海力士预计今年内实现1c nm DRAM的量产，而美光则需等到明年。新一代颗粒有望在密度和能效方面取得显著进步。

关于SK海力士是否会在HBM4上更新DRAM裸片制程，目前尚无确切消息。韩媒The Elec近期报道指出，鉴于SK海力士已将HBM4量产时间提前至2025年下半年，继续沿用1b nm颗粒更为合理。

当前市场主流的HBM3E产品均采用24Gb DRAM颗粒，使其在8层堆叠下可达24GB单堆栈容量；若采用12层堆叠，HBM3E堆栈容量可增至36GB。

而未来的HBM4E内存升级至32Gb DRAM裸片后，12层堆叠版将实现48GB单颗容量，16层版甚至可达到64GB的惊人规模，为AI应用提供更大空间。

Kim Kwi Wook预测，HBM4E内存相较于HBM4，带宽将提升40%，密度增加30%，能效亦提高30%。对于键合技术路线，他表示混合键合存在良率问题，SK海力士在下一代HBM4产品中采用此技术的可能性较小。