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ASML分享未来四代EUV光刻机的最新进展

中国半导体论坛 来源:驱动之家 作者:驱动之家 2021-03-19 09:39 次阅读

日前,ASML产品营销总监Mike Lercel向媒体分享了EUV(极紫外)光刻机的最新进展。

ASML现在主力出货的EUV光刻机分别是NXE:3400B和3400C,它们的数值孔径(NA)均为0.33,日期更近的3400C目前的可用性已经达到90%左右。

预计今年年底前,NXE:3600D将开始交付,30mJ/cm2下的晶圆通量是160片,比3400C提高了18%,机器匹配套准精度也增加了,它预计会是未来台积电、三星3nm制程的主要依托。

在3600D之后,ASML规划的三代光刻机分别是NEXT、EXE:5000和EXE:5200,其中从EXE:5000开始,数值孔径提高到0.55,但要等待2022年晚些时候发货了。

由于光刻机从发货到配置/培训完成需要长达两年时间,0.55NA的大规模应用要等到2025~2026年了,服务的应该是台积电2nm甚至1nm等工艺。

0.55NA比0.33NA有着太多优势,包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。

当然,硅片、曝光洁净室逼近物理极限,也是不容小觑的挑战。现今5nm/7nm光刻机已然需要10万+零件、40个集装箱,而1nm时代光刻机要比3nm还大一倍左右,可想而知了。
编辑:lyn

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