台积电日前表态,其A16(1.6nm)制程技术有望于2026年下半年实现量产,且该工艺将搭载高效的背面供电(即“超级供电轨”)技术以提高芯片性能。
据台湾业内人士透露,台积电并未为A16制程配备高数值孔径(High-NA)EUV光刻机,而选择利用现有的EUV光刻机进行生产。相较之下,英特尔和三星则计划在此阶段使用最新的High-NA EUV光刻机。
至于背面供电技术,英特尔原定于20A(2nm)制程引入,后决定推迟至14A制程采用;三星亦研发出相似的BSPDN技术,据报道,三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾表示,将于2027年将此技术应用于1.4nm制程。
值得注意的是,英特尔已收到ASML首台High-NA EUV光刻机,并已完成组装。尽管如此,业界普遍认为,台积电此时推出A16制程,无疑会给英特尔和三星带来竞争压力。尽管英特尔在High-NA EUV设备方面领先,但能否跟上台积电的商业化步伐仍需观察。
此外,台积电决定在A16制程中继续使用常规EUV光刻机,充分展示了其强大的技术实力——无需最新设备即可将现有EUV设备的分辨率推向1.3nm以下。实际上,去年台积电已通过调整光刻胶材料及光掩模制程等手段,成功提升先进制程的临界尺寸和图形精度,同时降低了缺陷密度。
台湾分析师指出,台积电、英特尔、三星间的激烈竞争将进一步推动EUV光刻机市场需求,特别是对独家供应商ASML而言。鉴于High-NA EUV设备产能有限,如何在三大晶圆代工巨头间合理分配资源,无疑将成为一项重大挑战。
-
英特尔
+关注
关注
61文章
9922浏览量
171599 -
台积电
+关注
关注
44文章
5615浏览量
166261 -
EUV
+关注
关注
8文章
604浏览量
85987
发布评论请先 登录
相关推荐
评论