台积电A16制程采用EUV光刻机，2026年下半年量产

台积电日前表态，其A16（1.6nm）制程技术有望于2026年下半年实现量产，且该工艺将搭载高效的背面供电（即“超级供电轨”）技术以提高芯片性能。

据台湾业内人士透露，台积电并未为A16制程配备高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，而选择利用现有的EUV光刻机进行生产。相较之下，英特尔和三星则计划在此阶段使用最新的High-NA EUV光刻机。

至于背面供电技术，英特尔原定于20A（2nm）制程引入，后决定推迟至14A制程采用；三星亦研发出相似的BSPDN技术，据报道，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾表示，将于2027年将此技术应用于1.4nm制程。

值得注意的是，英特尔已收到ASML首台High-NA EUV光刻机，并已完成组装。尽管如此，业界普遍认为，台积电此时推出A16制程，无疑会给英特尔和三星带来竞争压力。尽管英特尔在High-NA EUV设备方面领先，但能否跟上台积电的商业化步伐仍需观察。

此外，台积电决定在A16制程中继续使用常规EUV光刻机，充分展示了其强大的技术实力——无需最新设备即可将现有EUV设备的分辨率推向1.3nm以下。实际上，去年台积电已通过调整光刻胶材料及光掩模制程等手段，成功提升先进制程的临界尺寸和图形精度，同时降低了缺陷密度。

台湾分析师指出，台积电、英特尔、三星间的激烈竞争将进一步推动EUV光刻机市场需求，特别是对独家供应商ASML而言。鉴于High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头间合理分配资源，无疑将成为一项重大挑战。