三星拟率先使用3nm，比较5nm性能提升30%能耗降低一半

1 月 3 日消息，据国外媒体报道，在芯片制造工艺方面，为苹果、华为等制造芯片的台积电近几年走在行业的前列，率先量产了 7nm 工艺，更先进的 5nm 工艺预计在今年一季度投产。

但在下一代的 3nm 芯片制造工艺方面，台积电可能会有来自三星的挑战，后者拟率先使用这一先进的工艺制造芯片。

外媒是在三星电子实际领导人李在镕参观韩国京畿道华城的半导体研发中心的报道中，透露三星拟率先量产 3nm 工艺的，在当地时间周四的这一次参观中，李在镕他们讨论了成为全球首个利用 3nm 工艺制造芯片的战略。

从外媒的报道来看，三星电子的 3nm 制程工艺，将采用 GAA 架构，这一架构也是目前 FinFET 技术的继任者，能使芯片制造商发展到微芯片的工艺范围。

在 3nm 的工艺量产之前，三星还需要量产 5nm 工艺，三星在去年 4 月份完成了基于 EUV 技术的 5nm FinFET 制程技术的研发，预计在今年上半年能够大规模量产。

三星方面表示，同 5nm 制程工艺相比，3nm GAA 技术能使芯片的理论面积缩小 35%，能耗则能降低 50%，性能则会提高 30%。

周四参观华城的半导体研发中心，是三星电子披露的李在镕在 2020 年的首个官方行程，三星的发言人表示，李在镕再次参观华城的报道体研发中心，凸显了三星电子成为顶级非存储芯片制造的决心。

亚马逊、Facebook 等没有芯片制造能力的科技巨头们都已开始自研 AI 芯片和数据中心芯片，以更好的适应自身业务的发展，这也将导致对芯片制造需求的增加，三星已看好这一领域的发展，准备增加在芯片制造方面的投资，去年年底，三星电子已宣布计划未来 10 年投资 133 万亿韩元，折合约 1147 亿美元，用于发展芯片制造业务。