微半导体于2014年成立，并凭借其面向消费级市场的高集成度的GaN功率芯片产品在市场上快速建立起知名度。由于基于GaN功率器件的前景可期，此前已吸引许多公司进入这个市场，EPC、GaN系统、英飞凌、松下和Transphorm，（包括中国的英诺赛科）已经实现商业化量产，Dialog、恩智浦、安
2019-03-01 17:43:53
6574 100 V GaN FET 在 48 V 汽车和服务器应用以及 USB-C、激光雷达和 LED 照明中很受欢迎。然而，小尺寸和最小的封装寄生效应为动态表征这些功率器件带来了多重挑战。本文回顾了GaN半导体制造商在表征这些器件方面面临的挑战，以及一些有助于应对这些挑战的新技术。
2022-10-19 17:50:341924 
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该LMG3624通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中，简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-24 09:18:47923 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该 LMG3612 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中，简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-24 10:21:011090 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该 LMG3616 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中，简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-24 10:43:28987 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16:322459 随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:001692 Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管）。 这两款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:213627 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）从消费电子电源类产品开始，GaN拉开了巨大市场发展空间的序幕，并逐渐往数据中心、汽车OBC甚至主驱逆变器等领域渗透。主流应用的650V GaN HEMT在充电头、以及
2022-12-13 09:21:003265 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）GaN功率器件的价格在近年持续下跌，部分650V、150V规格的GaN器件价格已经与同规格的硅基器件相近，并且高频性能更强，效率更高。在GaN的成本优势之下，带动
2023-10-14 00:07:003420 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）继去年英飞凌收购GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022年
2024-02-26 06:30:003364 
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
功率密度。得益于此，英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品，这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品，其他组合封装
2018-10-23 16:21:49
集成电路故障机制的指南。尽管AEC为汽车，国防和航空航天应用提供了指南，但它未能解决正在逐渐转向GaN功率器件（例如通信基站）的开发技术。什么是GaN HEMT？GaN HEMT是场效应晶体管（FET），其
2020-09-23 10:46:20
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
地被开发出来。GaN器件的低导通内阻、低寄生电容和高开关速度等特性，使得对应的Class D功放系统能够具有更高的效率，更高的功率密度，同时因为更少的反馈需求所带来的非线性失真度将更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
场景提供高性价比的全国产解决方案。一、功率密度提升的核心逻辑材料特性突破：
GaN（氮化镓）作为宽禁带半导体，电子迁移率（2000cm²/Vs）和饱和漂移速度（2.5×10⁷cm/s）远超传统硅基器件
2025-10-22 09:09:58
GaN技术融入到电源解决方案中，从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识，TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试，并且建立了一个能够实现基于GaN电源
2018-09-10 15:02:53
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
模拟和 GaN 逻辑的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以单开关 v 和半桥 vi 格式推出，如图 2 所示。文章全部详情，请加V获取：hlknch
2021-07-06 09:38:20
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
GaN 应用到移动电话首款GaN 应用是针对大功率军事使用开发的，例如雷达或反IED 干扰机，然后逐渐扩展至商用基站和有线电视转播机。这些应用的典型工作电压范围为28 至48 V。但是，手持式设备的平均
2017-07-28 19:38:38
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
作为一项相对较新的技术，氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说，在知晓了非线性GaN模型的基本概念（非线性模型如何帮助进行
2019-07-31 06:44:26
频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术，由于其相对于硅材料所具有的优势，这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中，我们将比
2019-07-12 12:56:17
您好，有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件，因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时，它只显示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟，我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
`根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体企业受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
650V的MOSFET。根据应用程序的要求，开发人员可以针对最高效率，最大功率密度或两者之间的折衷。 由于其“0反向恢复”行为，GaN晶体管使得一些拓扑实际上可用，例如图腾柱PFC，其需要比传统
2023-02-27 15:53:50
请问一下GaN器件和AMO技术能实现高效率和宽带宽吗？
2021-04-19 09:22:09
600V IGBT3，全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外，该器件的短路能力大幅增强。而600V IGBT3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。650V IGBT4的设计与技术
2018-12-07 10:16:11
2015年3月20日，德国慕尼黑和日本大阪讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）和松下电器公司（TSE代码：6752）宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）硅基板氮化镓（GaN）晶体管结构，与英飞凌的表贴（SMD）封装的GaN器件。
2015-03-20 14:08:392841 Infineon（英飞凌）V2X技术开发平台
2017-03-10 14:23:01
56 EiceDRIVER。籍此我们梳理了一下GaN功率器件在全球市场、产品应用和技术特性方面的信息，以及英飞凌相关业务和此次量产产品的细节。
2018-12-06 18:06:215266 “GaN功率器件正在迅速确立其在电力电子领域的地位。从我们的合作可以看出GaN在电力电子产品领域是多么重要。此次能够与业界知名的技术开发领军企业罗姆共筑合作体制，我感到非常高兴。通过两家公司专业知识
2019-08-22 08:49:473976 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 TP650H070L系列650V，72mΩ 氮化镓（GaN）FET是常关器件。它们结合了最先进的技术高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 15:03:3510 意法半导体 在PCIM Europe 虚拟会议上首次向业界展示了该公司用于汽车应用的集成式 STi 2 GaN系列 GaN 功率器件 。利用台积电的 GaN 技术及其自身独特的设计和封装专业知识
2022-08-03 10:44:571285 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）从消费电子电源类产品开始，GaN拉开了巨大市场发展空间的序幕，并逐渐往数据中心、汽车OBC甚至主驱逆变器等领域渗透。主流应用的650V GaN HEMT在充电头、以及
2022-12-13 07:10:041773 电动汽车中的 GaN 还处于早期阶段。许多功率 GaN 厂商已经开发并通过汽车认证 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的车载充电器和 DC/DC 转换，并且已经与汽车企业建立了无数合作伙伴关系。
2023-01-06 11:11:34948 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封装的 650 V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:496 650 V、50 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:002554 
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这
2023-05-18 16:34:231263 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
2023-05-24 15:19:341314 
非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT *1
2023-05-25 00:25:011084 
功率晶体管与标准门极驱动器兼容，方便集成到现有系统中。 优秀的性能：具备出色的功率损耗特性，显著降低能量损失，提高系统效率。 无需自由轮二极管：由于650V GaN功率晶体管的特性，无需额外添加自由轮二极管，简化了系统设计。 低开关损耗：采用先进的GaN技术，650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:342033 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:181078 
650V硅上GaN增强型功率品体管，采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关，符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:512182 
650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸，增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:174139 
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:252393 
保证了HEMT器件产品在0-850V的电压区间上的安全稳定工作，在国内市场中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可开发出650V、900V、以及1200V HEMT产品，推动氮化镓向更高压、更高功率应用领域迈进。
2023-11-16 11:56:224043 
随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:541870 
近期，英飞凌科技公司宣布与安克创新和盛弘电气两大知名厂商达成合作，共同推动SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）技术在各领域的应用。这些合作将进一步提升功率半导体器件的效率和性能，为行业带来更多
2024-02-02 15:06:341360 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:20:580 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的650V 270mΩ GaN FETLMG3616数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:19:400 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器和电流检测功能的650V 270mΩ GaN FET LMG3626数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:40:130 电子发烧友网站提供《650V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3522R050数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:41:300 电子发烧友网站提供《650V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3526R050数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:40:050 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器和电流检测功能的650V 170mΩ GaN FET LMG3624数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-25 09:50:390 电子发烧友网站提供《650V 30mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3526R030数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-25 11:31:110 电子发烧友网站提供《用于有源钳位反激式转换器的集成650V GaN 半桥LMG2610数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-25 14:46:400 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器、保护和温度报告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-28 10:40:570 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器和电流检测功能的650V 120mΩ GaN FET LMG3622数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-29 09:18:530 德州仪器 (TI) 推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统
2024-06-18 14:24:101634 德州仪器（TI）近日推出了一款具有划时代意义的650V三相氮化镓（GaN）集成电源模块（IPM）——DRV7308，专为250W电机驱动器应用量身打造。这款全新的GaN IPM凭借其卓越的性能，为大型家用电器及加热、通风和空调（HVAC）系统的工程师们带来了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:011457 在半导体技术的浪潮中，韩国8英寸晶圆代工厂SK启方半导体（SK keyfoundry）近日宣布了一项重大技术突破——已确保新一代功率半导体GaN（氮化镓）的关键器件特性。这一里程碑式的进展不仅彰显了公司在半导体领域的深厚实力，也预示着GaN技术的广阔应用前景。
2024-06-25 10:38:551076 电子发烧友网站提供《汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能.pdf》资料免费下载
2024-09-24 11:27:100 垂直和横向氮化镓(GaN)器件的集成可以成为功率电子学领域的一次革命性进展。这种集成能够使驱动和控制横向GaN器件与垂直功率器件紧密相邻。在本文中，我们将总结一种解决横向和垂直器件隔离问题的方法
2025-01-16 10:55:521228 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:431780 
~同时加快车载GaN器件的开发速度，以尽快投入量产~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1
2025-02-13 14:29:18779 
全球知名半导体制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
2025-02-18 10:03:531194 LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-20 16:35:36831 
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-20 16:54:57883 LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中，简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-21 14:37:23728 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.联合开发而成的，在650V GaNHEMT的器件性能指数方面，达到了业界超高水平
2025-03-07 16:45:55748 
Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET设计用于开关模式电源应用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封装中集成了GaN FET和栅极驱动器，从而减少了元器件数量并简化了设计。可编程的导通转换率提供EMI和振铃控制。
2025-07-04 15:50:44658 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级适用于开关模式电源应用。LMG3624将氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 和栅极驱动器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的电阻以及集成式驱动器和保护，适用于开关模式电源应用。 通过将GaN FET和栅极驱动器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
Texas Instruments LMG3612单通道GaN FET提供650V漏源电压和120mΩ漏源电阻，以及专为开关模式电源应用设计的集成驱动器。该 IC 将 GaN FET、栅极驱动器
2025-08-13 15:13:49777 
CoolGaN BDS 650V G5双向开关。这款基于氮化镓（GaN）技术的单片双向开关，凭借其卓越的性能和创新的设计，正在成为高效电力转换领域的明星产品。
2025-08-28 13:52:113434 云镓半导体世界第一！云镓发布650V/150A增强型GaN芯片，向汽车电子进发1.GaN—引领新能源汽车领域的未来随着GaN器件在数据中心及光伏逆变等领域的渗透，其在工业级的应用已日趋成熟。而在全球
2025-11-11 11:46:57624 
探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET的卓越性能与设计要点 在电子设备不断追求高效、小型化的今天，功率半导体器件的性能起着至关重要的作用。今天我们就来详细探讨一下
2025-12-29 10:05:1576 探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN® GaN FET：高效能与可靠性的完美结合 引言 在当今电子技术飞速发展的时代，功率半导体器件的性能和可靠性对于各种电子设备的运行
2025-12-29 10:05:2292 TP65H070G4PS 650 V SuperGaN® GaN FET.pdf 一、产品概述 TP65H070G4PS 是一款 650V、70mΩ 的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），属于常关型器件。它巧妙地将先进的高压 GaN HEM
2025-12-29 14:45:1077
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