业界对GaN功率元件的期待已达到最高峰。实际上这的确是一种非常有前景的材料。但其中还有很多未知的部分，采用还为时尚早。英飞凌科技负责汽车用高压功率半导体和驱动IC等业务的电动动力传动系统部高级总监Mark Muenzer介绍了对GaN功率元件的看法
2014-01-22 09:31:05
1598 。 纳微半导体于2014年成立，并凭借其面向消费级市场的高集成度的GaN功率芯片产品在市场上快速建立起知名度。由于基于GaN功率器件的前景可期，此前已吸引许多公司进入这个市场，EPC、GaN系统、英飞凌、松下和Transphorm，（包括中国的英诺赛科）已经实现商业化量产，Dialog、恩智浦、安
2019-03-01 17:43:535933 近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件/模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件/模块达到其自身的材料性能极限，氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体
2022-08-22 09:44:013651 作为一种新型功率器件，GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。
2023-12-07 09:44:52777 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16:321787 Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管）。 这两款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）从消费电子电源类产品开始，GaN拉开了巨大市场发展空间的序幕，并逐渐往数据中心、汽车OBC甚至主驱逆变器等领域渗透。主流应用的650V GaN HEMT在充电头、以及
2022-12-13 09:21:001800 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）GaN功率器件的价格在近年持续下跌，部分650V、150V规格的GaN器件价格已经与同规格的硅基器件相近，并且高频性能更强，效率更高。在GaN的成本优势之下，带动
2023-10-14 00:07:001549 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年10月，英飞凌以8.3亿美元完成对功率GaN公司GaN Systems的收购，成为了功率GaN领域史上最大规模的一笔收购，这笔收购的价值甚至比2022年整个功率
2023-11-10 00:24:001758 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）继去年英飞凌收购GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
）。另一方面，功率GaN的技术路线从不同的层面看还有非常丰富的种类。 器件模式 功率GaN FET目前有两种主流方向，包括增强型E-Mode和耗尽型D-Mode。其中增强型GaN FET是单芯片常关器件，而耗尽型GaN FET是双芯片常关器件（共源共栅Cascode结构）。 E-
2024-02-28 00:13:001844 功率密度。得益于此，英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品，这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品，其他组合封装
2018-10-23 16:21:49
硅MOSFET功率晶体管多年来一直是电源设计的支柱。虽然它们仍然被广泛使用，但是在一些新设计中，氮化镓（GaN）晶体管正在逐渐替代MOSFET。GaN技术的最新发展，以及改进的GaN器件和驱动器电路
2017-05-03 10:41:53
集成电路故障机制的指南。尽管AEC为汽车，国防和航空航天应用提供了指南，但它未能解决正在逐渐转向GaN功率器件（例如通信基站）的开发技术。什么是GaN HEMT？GaN HEMT是场效应晶体管（FET），其
2020-09-23 10:46:20
、高速驱动和保护机制的功率级器件LMG3410R070（图2），这款产品是行业内首款600V GaN集成功率级器件，采用的是8mm X 8mm QFN封装的多芯片模块（MCM），方便工程师方案设计。导
2019-07-16 00:27:49
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
地被开发出来。GaN器件的低导通内阻、低寄生电容和高开关速度等特性，使得对应的Class D功放系统能够具有更高的效率，更高的功率密度，同时因为更少的反馈需求所带来的非线性失真度将更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
GaN技术的出现让业界放弃TWT放大器，转而使用GaN放大器作为许多系统的输出级。这些系统中的驱动放大器仍然主要使用GaAs，这是因为这种技术已经大量部署并且始终在改进。下一步，我们将寻求如何使用电路设计，从这些宽带功率放大器中提取较大功率、带宽和效率。
2019-09-04 08:07:56
（MOSFET）是在20世纪70年代末开发的，但直到20世纪90年代初，JEDEC才制定了标准。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格认证对GaN晶体管而言意味着什么。 标准滞后于技术的采用，但标准无需使技术可靠
2018-09-10 14:48:19
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
解决方案中，从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识，TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试，并且建立了一个能够实现基于GaN电源设计的生态系统。 GaN将在电源密集
2018-09-11 14:04:25
GaN技术融入到电源解决方案中，从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识，TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试，并且建立了一个能够实现基于GaN电源
2018-09-10 15:02:53
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
模拟和 GaN 逻辑的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以单开关 v 和半桥 vi 格式推出，如图 2 所示。文章全部详情，请加V获取：hlknch
2021-07-06 09:38:20
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
GaN 应用到移动电话首款GaN 应用是针对大功率军事使用开发的，例如雷达或反IED 干扰机，然后逐渐扩展至商用基站和有线电视转播机。这些应用的典型工作电压范围为28 至48 V。但是，手持式设备的平均
2017-07-28 19:38:38
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
，但经过多年的研究、实际验证和 可靠性测试，GaN定会成为解决功率密度问题的最佳技术。德州仪器已经在高于硅材料的工作温度和电压下，对GaN装置进行了2000万小时的加速可靠性测试。在此测试时间内，远程
2019-03-01 09:52:45
作为一项相对较新的技术，氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说，在知晓了非线性GaN模型的基本概念（非线性模型如何帮助进行
2019-07-31 06:44:26
频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术，由于其相对于硅材料所具有的优势，这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中，我们将比
2019-07-12 12:56:17
您好，有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件，因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时，它只显示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟，我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
`根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体企业受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
数据中心应用服务器电源管理的直接转换。 此外，自动驾驶车辆激光雷达驱动器、无线充电和5G基站中的高效功率放大器包络线跟踪等应用可从GaN技术的效率和快速切换中受益。 GaN功率器件的传导损耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
650V的MOSFET。根据应用程序的要求，开发人员可以针对最高效率，最大功率密度或两者之间的折衷。 由于其“0反向恢复”行为，GaN晶体管使得一些拓扑实际上可用，例如图腾柱PFC，其需要比传统
2023-02-27 15:53:50
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
。在这次活动中，剑桥 GaN 器件公司宣布了其集成电路增强氮化镓(ICeGaN)技术，以修改 GaN 基功率晶体管的栅极行为。这种新技术基于增强型 GaN 高电子迁移率晶体管，具有超低比导通电阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
器件的市场营收预计将达到13亿美元，约占3W以上的RF 功率市场的45%。2015-2025年射频功率市场不同技术路线的份额占比资料来源：YOLE境外GaN射频器件产业链重点公司及产品进展：目前微波射频
2019-04-13 22:28:48
本帖最后由 傲壹电子 于 2017-6-16 10:38 编辑
1.GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
请问一下GaN器件和AMO技术能实现高效率和宽带宽吗？
2021-04-19 09:22:09
600V IGBT3，全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外，该器件的短路能力大幅增强。而600V IGBT3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。650V IGBT4的设计与技术
2018-12-07 10:16:11
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2018-08-04 14:55:07
，如图5和图6所示。图5和图6将新一代基于C6技术的650V CFD2器件与英飞凌前代基于C3技术的600V CFD进行对比。 图5Qrr 与通态电阻关系，测量条件为25°C 。将80 mΩ、310 m
2018-12-03 13:43:55
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 2015年3月20日，德国慕尼黑和日本大阪讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）和松下电器公司（TSE代码：6752）宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）硅基板氮化镓（GaN）晶体管结构，与英飞凌的表贴（SMD）封装的GaN器件。
2015-03-20 14:08:391729 Infineon（英飞凌）V2X技术开发平台
2017-03-10 14:23:01
56 EiceDRIVER。籍此我们梳理了一下GaN功率器件在全球市场、产品应用和技术特性方面的信息，以及英飞凌相关业务和此次量产产品的细节。
2018-12-06 18:06:214652 “GaN功率器件正在迅速确立其在电力电子领域的地位。从我们的合作可以看出GaN在电力电子产品领域是多么重要。此次能够与业界知名的技术开发领军企业罗姆共筑合作体制，我感到非常高兴。通过两家公司专业知识
2019-08-22 08:49:473472 目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术路线，另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。
2019-08-01 15:00:037275 
前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功开发出一种基于GaN的超高效功率模块。
2020-04-27 16:46:163692 传统的升压PFC仅使用一个有源开关，通常是650V超结Si MOSFET。当今，大多数常规开关电源都采用升压PFC，从而充分利用其简单性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以减少开关损耗，但是效率的提高并不明显——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636 
TP650H070L系列650V，72mΩ 氮化镓（GaN）FET是常关器件。它们结合了最先进的技术高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 15:03:3510 意法半导体 在PCIM Europe 虚拟会议上首次向业界展示了该公司用于汽车应用的集成式 STi 2 GaN系列 GaN 功率器件 。利用台积电的 GaN 技术及其自身独特的设计和封装专业知识
2022-08-03 10:44:57641 
。与此同时，一种新材料氮化镓 (GaN) 正朝着理论性能边界稳步前进，该边界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍，比当今市场上最好的 GaN 产品好 300 倍（图1）。 图 1：一平方毫米器件的理论导通电阻与基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻断电压能力。第 4 代（紫色圆点）和
2022-08-04 11:17:55587 
650V GaN FET 较低的寄生电容降低了开关损耗。此外，与 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸内具有更低的导通电阻 （R on ），并且 GaN
2022-08-05 08:04:511048 
LP88G24DCD内置650V级联型结构的GaN功率器件，采用QFN8*8封装，进一步减小芯片占板面积，底部采用一体化铜基板设计，具有极佳的散热性能。
2022-11-30 09:41:12628 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）从消费电子电源类产品开始，GaN拉开了巨大市场发展空间的序幕，并逐渐往数据中心、汽车OBC甚至主驱逆变器等领域渗透。主流应用的650V GaN HEMT在充电头、以及
2022-12-13 07:10:04656 GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11425 电动汽车中的 GaN 还处于早期阶段。许多功率 GaN 厂商已经开发并通过汽车认证 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的车载充电器和 DC/DC 转换，并且已经与汽车企业建立了无数合作伙伴关系。
2023-01-06 11:11:34459 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封装的 650 V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 650 V、50 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产
2023-05-18 16:34:23464 功率晶体管与标准门极驱动器兼容，方便集成到现有系统中。 优秀的性能：具备出色的功率损耗特性，显著降低能量损失，提高系统效率。 无需自由轮二极管：由于650V GaN功率晶体管的特性，无需额外添加自由轮二极管，简化了系统设计。 低开关损耗：采用先进的GaN技术，650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:34688 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
650V硅上GaN增强型功率品体管，采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关，符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:51686 
650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸，增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17968 
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:25659 
交割日，GaN Systems现已成为英飞凌的一部分。 英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：“氮化镓技术为支持脱碳的更节能、更节能的二氧化碳解决方案铺平了道路。收购GaN Systems显著加快了我们的GaN路线图，并通过掌握所有相关功率半导体技术，进一步加强了英飞凌在电源系统
2023-10-25 14:51:13479 随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
近期，英飞凌科技公司宣布与安克创新和盛弘电气两大知名厂商达成合作，共同推动SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）技术在各领域的应用。这些合作将进一步提升功率半导体器件的效率和性能，为行业带来更多的创新和价值。
2024-02-02 15:06:34304 近日，全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN™）已被台达电子（Delta Electronics, Inc.，以下简称
2024-03-12 10:42:46123 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:20:580 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的650V 270mΩ GaN FETLMG3616数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:19:400
电子发烧友App
工商网监
评论