0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

回顾GaN Systems公司与罗姆联手致力于GaN功率器件的普及的相关事件

罗姆半导体集团 来源:djl 作者:罗姆半导体 2019-08-22 08:49 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

GaN(氮化镓)功率器件的全球领军企业GaN Systems Inc.(以下简称“GaN Systems公司”)和功率半导体的领军企业ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)为促进电力电子市场的创新与发展,开始就GaN功率器件事业展开合作。

此次合作将充分发挥GaN Systems公司GaN功率晶体管的业界顶级性能与罗姆的GaN功率器件技术优势及丰富的电子元器件设计/制造综合实力。双方将利用GaN Systems公司的GaNPXTM封装技术和罗姆的功率元器件传统封装技术,联合开发最适合GaN器件的产品。这将能够最大限度地挖掘并发挥GaN器件的潜力。另外,双方通过提供兼容产品,将能够为双方的客户稳定地供应GaN器件。

以GaN市场增长最快的的地区之一-亚洲为中心,两家公司全球范围内的客户均可共享其GaN产品及其相应的技术支持。此外,双方还将共同推进GaN功率器件的研发活动,并面向工业设备、汽车及家电领域推出具有突破性的产品。

双方将通过合作来扩充GaN产品的阵容,拓宽客户的解决方案选择范围,为电力电子市场的节能化和小型化贡献力量。

GaN Systems Inc.

CEO Mr. Jim Witham

“GaN功率器件正在迅速确立其在电力电子领域的地位。从我们的合作可以看出GaN在电力电子产品领域是多么重要。此次能够与业界知名的技术开发领军企业罗姆共筑合作体制,我感到非常高兴。通过两家公司专业知识与能力的强强联合,我相信,将会有越来越多的企业能够实际体验到高输出、高效率、小型且轻量化的GaN带来的优势。”

ROHM Co., Ltd.

专务董事东 克己

“罗姆已将功率元器件事业确立为发展战略之一,一直以来,罗姆以行业领先的SiC(碳化硅)功率元器件为核心,为市场提供最尖端的元器件,同时还提供与最大限度地发挥元器件性能的栅极驱动器等控制技术相结合的电源解决方案。另外,为进一步壮大产品阵容,罗姆一直在推动GaN的开发。未来,我们将融合两家公司的优势技术和知识,加速开发新一代功率元器件,以提供更多满足市场需求的电源解决方案。”

<什么是GaN功率器件>

GaN(氮化镓)是用于新一代功率元器件的半导体材料。物理性能优异,其高频特性使其在低耐压领域的应用日益广泛。例如,将GaN功率器件搭载于DC/DC转换器逆变器等电源装置时,可提高功率转换效率并实现装置的小型化等。作为已经实现量产的SiC(碳化硅)功率元器件的补充产品,未来有望得到进一步普及。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    339

    文章

    31236

    浏览量

    266498
  • 电子
    +关注

    关注

    32

    文章

    2038

    浏览量

    93836
  • 功率
    +关注

    关注

    14

    文章

    2130

    浏览量

    76002
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    CHA8107-QCB两级氮化镓(GaN)高功率放大器

    )兼容性。技术优势GaN 材料特性:高功率密度:GaN 的宽带隙特性使其在相同尺寸下输出功率远高于 GaAs 或硅基器件。高频性能优异:在
    发表于 12-12 09:40

    小巧、轻便、高效,安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能

    在传统横向结构的GaN器件中,电流沿芯片表面流动。而垂直GaNGaN层生长在氮化镓衬底上,其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部,而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让
    的头像 发表于 12-04 17:13 736次阅读
    小巧、轻便、高效,安森美垂直<b class='flag-5'>GaN</b>解锁<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>应用更多可能

    安森美垂直GaN技术赋能功率器件应用未来

    在传统横向结构的GaN器件中,电流沿芯片表面流动。而垂直 GaNGaN 层生长在氮化镓衬底上,其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部,而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让
    的头像 发表于 12-04 09:28 2066次阅读
    安森美垂直<b class='flag-5'>GaN</b>技术赋能<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>应用未来

    LMG3410R070RWHR 高性能 GaN 功率器件

    LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件产品型号:LMG3410R070RWHR产品品牌:TI/德州仪器产品封装:VQFN32产品功能:高性能GaN
    的头像 发表于 11-29 11:25 393次阅读
    LMG3410R070RWHR   高性能 <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>

    应用指导 | CGAN003: GaN switching behavior analysis

    云镓半导体应用指导CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的
    的头像 发表于 11-11 13:45 420次阅读
    应用指导 | CGAN003: <b class='flag-5'>GaN</b> switching behavior analysis

    应用指导 | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation

    云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可
    的头像 发表于 11-11 13:44 582次阅读
    应用指导 | CGAN005: <b class='flag-5'>GaN</b> FET SPICE model  simulation

    “芯”品发布 | 高可靠GaN专用驱动器,便捷GaN电源设计

    芯品发布高可靠GaN专用驱动器,便捷GaN电源设计GaN功率器件因为其高工作频率和高转化效率的优势,逐渐得到电源工程师的青睐。然而增强型
    的头像 发表于 11-11 11:46 1131次阅读
    “芯”品发布 | 高可靠<b class='flag-5'>GaN</b>专用驱动器,便捷<b class='flag-5'>GaN</b>电源设计

    安森美入局垂直GaNGaN进入高压时代

    的标杆。   在全球 AI 数据中心、电动汽车等高能耗应用推动能源需求激增的背景下,功率半导体的能效与功率密度已成为技术升级的核心瓶颈。而垂直GaN与目前市面上主流的横向 GaN
    的头像 发表于 11-10 03:12 7806次阅读

    Leadway GaN系列模块的功率密度

    场景提供高性价比的全国产解决方案。一、功率密度提升的核心逻辑材料特性突破: GaN(氮化镓)作为宽禁带半导体,电子迁移率(2000cm²/Vs)和饱和漂移速度(2.5×10⁷cm/s)远超传统硅基器件
    发表于 10-22 09:09

    芯干线GaN器件在电源系统的应用优势

    自从氮化镓(GaN器件问世以来,凭借其相较传统硅基半导体的多项关键优势,GaN 被广泛认为是快速充电与工业电源应用领域中的变革性技术。
    的头像 发表于 10-21 14:56 2921次阅读
    芯干线<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>器件</b>在电源系统的应用优势

    互通有无扩展生态,英飞凌与达成碳化硅功率器件封装合作

    9 月 28 日消息,两家重要功率半导体企业德国英飞凌 Infineon 和日本 ROHM 本月 25 宣布双方就建立碳化硅 (SiC) 功率
    的头像 发表于 09-29 18:24 2079次阅读
    互通有无扩展生态,英飞凌与<b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>达成碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>封装合作

    邀您相约PCIM Asia Shanghai 2025

    设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。同时,还将在现场举办技术研讨会,分享其最新的电力电子解决方案。
    的头像 发表于 09-10 14:34 1241次阅读

    GAN功率器件在机器人上的应用实践

    GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管),此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中,如全控型电力开关、高频放大器或振荡器。与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比
    的头像 发表于 07-09 11:13 4172次阅读
    <b class='flag-5'>GAN</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>在机器人上的应用实践

    基于德州仪器TOLL封装GaN器件优化电源设计

    当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此,设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。
    的头像 发表于 05-19 09:29 2625次阅读
    基于德州仪器TOLL封装<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>器件</b>优化电源设计

    GaN与SiC功率器件深度解析

    本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC
    的头像 发表于 05-15 15:28 2475次阅读
    <b class='flag-5'>GaN</b>与SiC<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>深度解析