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低成本垂直GaN功率器件研究

第三代半导体产业 来源:第三代半导体产业 2023-12-27 09:32 次阅读

随着半导体技术的发展,垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。近年来,随着高质量单晶GaN衬底的商业化,与垂直型Si或SiC电力电子器件结构相近的垂直型GaN(GaN-on-GaN)器件得到快速发展,并逐步由实验室研究迈向产业化,将具有更大的潜力发挥GaN材料的优势并提升器件性能。

近日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)在厦门国际会议中心召开。期间,“氮化镓功率电子器件”技术分会上,深圳大学刘新科研究员做了“低成本垂直GaN功率器件”的主题报告,分享了最新技术进展,涉及闸门工程技术、边缘终端技术、N极欧姆接触技术、垂直GaN功率晶体管、GaN基功率器件等内容。

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GaN基功率器件具有高频、高功率、高压等特点,GaN在GaN技术道路上具有极低的缺陷密度(~103cm-2);横向和垂直装置;在给定的器件面积下,更大的电流和更高的耐受电压;超高器件可靠性,无电流崩溃等等独特特性。报告中介绍了GaN上GaN的全HVPE生长(漂移层>20µm),O2处理的低开启电压,He注入的高击穿电压,2kV雪崩击穿GaN on GaN JBS,通过N面欧姆工程实现创纪录的FOM,深圳大学GaN-on-GaN器件的发展。其中,研究显示,Kelvin探针力显微镜(KPFM)的结果显示了OPT后电势的降低,表明功函数的增加,这意味着电子很容易穿过金属-半导体接触的势垒。







审核编辑:刘清

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原文标题:深圳大学刘新科研究员:低成本垂直GaN功率器件

文章出处:【微信号:第三代半导体产业,微信公众号:第三代半导体产业】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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