美光科技（Micron）16日宣布进一步推动DRAM产品的革新，其开始采用业界首个1z nm的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。 与上一代1Y nm相比，该公司将使用1z nm节点来改善
2019-08-20 10:22:36
7258 DRAM制造商正在进入下一阶段的扩展，但是随着存储技术接近其物理极限，他们面临着一些挑战。 DRAM用于系统中的主存储器，当今最先进的设备基于大约18nm至15nm的工艺。DRAM的物理极限约为
2019-11-25 11:33:185883 币从台积电（TSMC）采样的首批测试级5nm产品，而Canaan预计将于2020年第一季度接收其首批5nm芯片。 比特大陆已经收到了其首批5nm芯片，Canaan预计将在明年第一季度接收其5nm芯片
2020-01-03 15:12:554948 有消息称，这款苹果A8芯片将会采用台积电的20nm制程工艺。出于货源稳定性的考虑，不会采用年底更为超前的16nm。尽管16nm的芯片会在明年正式量产，但是产能和技术上仍不慎稳定。
2013-12-16 08:56:431870 昨日台积电官方宣布，16nm FinFET Plus（简称16FF+）工艺已经开始风险性试产。16FF+是标准的16nm FinFET的增强版本，同样有立体晶体管技术在内，号称可比20nm SoC平面工艺性能提升最多40％，或者同频功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在率先量产20nm UltraScale系列产品之后，全球领先的All Programmable解决方案提供商赛灵思最近又推出了全新的16nm UltraScale+系列FPGA、3D IC和MPSoC产品。再次实现了遥遥领先一代的优势。
2015-03-04 09:47:261887 Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒，成为业界领先。
2016-04-06 09:04:56673 华为日前正式发布麒麟家族新成员麒麟650芯片。麒麟650采用了领先的16nm FinFET plus工艺，是全球第三款采用此尖端工艺的手机芯片，也是第二款16nm FinFET plus工艺量产
2016-04-30 00:22:0031747 在目前市面上常见的SoC中，主要以28nm、20nm、16nm和14nm这4种制程为主，每种制程根据生产工艺不同还衍生出很多版本，比如28nm工艺，先后就有LP、HPM、HPC、HPC+四种版本。
2016-05-18 10:52:364402 据三星官网新闻，韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒，10nm级（10nm~20nm之间）工艺制造，可实现与20nm级4GB
2016-10-20 10:55:481662 著称，三星为了赶超台积电选择直接跳过20nm工艺而直接开发14nmFinFET工艺，台积电虽然首先开发出16nm工艺不过由于能效不佳甚至不如20nm工艺只好进行改进引入FinFET工艺，就此三星成功实现了领先。
2017-03-02 01:04:491675 业界消息指出，记忆体大厂三星电子自2月中旬起，陆续召回部分序号的18奈米制程DRAM模组，原因在于这些18奈米DRAM会导致电脑系统出错及出现蓝幕当机。
2017-03-06 09:18:32753 ASML公司的EUV光刻机全球独一份，现在主要是用在7nm及以下的逻辑工艺上，台积电、三星用它生产CPU、GPU等芯片。马上内存芯片也要跟进了，SK海力士宣布明年底量产EUV工艺内存。 据报道，SK
2020-10-31 06:47:001341 1. 传三星3 纳米工艺平台第三款产品投片 外媒报道，尽管受NAND和DRAM市场拖累，三星电子业绩暴跌，但该公司已开始生产其第三个3nm芯片设计，产量稳定。根据该公司二季度报告，当季三星
2023-07-31 10:56:44482 英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许
2019-07-01 07:22:23
工艺已经是10nm+了，第一版10nm工艺由于最终性能和功耗等问题，已经被英特尔彻底放弃。因此我们将在2020年和2021年分别看到10nm的第二个改进版本10nm++和第三个改进版本10nm
2020-07-07 11:38:14
某16K x 4的存储体由16个字长为1的 DRAM芯片在位方向和字方向同时扩展而成，DRAM芯片中所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵。分析：由题得，16个DRAM芯片需要先在位方向扩展为4位得
2022-03-02 06:18:45
，DRAM可以远远超过SRAM;就相同容量的芯片而言，DRAM的价格也大大低于SRAM。这两个优点使DRAM成为计算机内存的主要角色。DRAM的行列地址分时复用控制和需要刷新控制，使得它比SRAM的接口要
2020-12-10 15:49:11
`这几年以来，国内巨头都在花大力气研发内存，以期打破垄断，尤其是三星的垄断。就移动DRAM而言，三星占了全球80%的份额，成为全球半导体领域的焦点。日前，三星一反常态，放缓了存储器半导体业务的扩张
2018-10-12 14:46:09
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
的商机仍然畅旺，在供给端仅有三星、SK海力士、美光，加上新技术量产困难，在这些现实下，2019年对存储器厂商而言仍会是个丰收的年度。如果要考虑供过于求的变量，可能是第二代10nm等级的DRAM技术
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
的话，英特尔预计在2017年二季度将实现144亿美元的销售额，而三星电子的销售额预计将达到146亿美元。因此如果存储芯片的市场价格在二季度及余下时间里都能持续增长，三星电子将会取代英特尔成为全球最大
2019-04-24 17:17:53
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工艺从目前的7nm升级到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
市场的35%。明年，至少两家中国集成电路供应商（睿力集成电路和晋华集成电路）将成功进入DRAM市场。尽管国产厂商的产能和制造流程最初不会与三星、SK 海力士或美光等公司匹敌，但看看中国的初创企业表现如何，将是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
%提高到70%以上。三星此前表示，已确保4nm第二代和第三代的稳定良率，准备于2023年上半年量产。
此外，三星计划在2023年4月、8月、12月提供4nm的多项目晶圆(MPW)服务。这是2019年三星
2023-05-10 10:54:09
XX nm制造工艺是什么概念？为什么说7nm是物理极限？
2021-10-20 07:15:43
描述PMP10555 参考设计提供为移动无线基站应用中的 Xilinx® Ultrascale® 16nm 系列 FPGA/SoC 供电所需的所有电源轨。此设计对内核及两个多输出降压型稳压器 IC
2018-11-19 14:58:25
内建封装（PoP）技术。 台积电明年靠着16纳米FinFET Plus及InFO WLP等两大武器，不仅可以有效对抗三星及GlobalFoundries的14纳米FinFET制程联军，还可回防全球最大
2014-05-07 15:30:16
、DRAM芯片针脚的作用Intel在1979年发布的2188DRAM芯片，采用16Kx1 DRAM 18线DIP封装。是最早出现的一款DRAM芯片。我们现在来解读一下它所代表的意义：“16K x 1”是指
2010-07-15 11:40:15
2015年发生的iPhone 6芯片门事件，每个苹果(Apple)产品的消费者一拿到手机时，都迫不及待地想要知道自己的手机采用的是台积电(TSMC，16nm)或是三星(SAMSUNG，14nm)的芯片
2018-06-14 14:25:19
的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF（格罗方德），在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm制程才刚刚应用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
为什么说三星16nm MCU的关键在于MRAM技术，一半是进入20nm以下领域，除了eMRAM暂无他法。另一半则在于，三星在MRAM技术上的布局由来已久，而以eMRAM抢下MCU代工订单的图谋，也有
2023-03-21 15:03:00
与DDR2供给吃紧带动整体平均售价上扬。而在整体DRAM厂DRAM营收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高达24.8%，其次为由英飞凌(Infineon)所独立出来
2008-05-26 14:43:30
全球进入5nm时代目前的5nm制造玩家，只有台积电和三星这两家了。而三星要到明年才能实现量产，就今年来看，台积电将统治全球的5nm产业链。在过去的一年里，台积电的5nm研发节奏很快，该公司在2019
2020-03-09 10:13:54
对DRAM芯片的强劲需求将继续超过供应，因三星和第二大记忆体芯片厂商SK海力士的新厂料在2019年前不会投产；此外，截至9月NAND闪存的需求则连续第六季超过供应。供苹果新手机使用的有机发光二极体（OLED）面板的销售增长，也支撑了第四季获利创纪录新高的预期。
2017-10-13 16:56:04
/5nm等逻辑工艺，还会用在DRAM内存芯片生产上。 早前，三星还宣布，其位于华城的V1工厂已经开始量产。据悉，V1厂为三星第一条专门生产EUV技术的生产线，该工厂已经开始量产的产品为7nm 7LPP
2020-02-27 10:42:16
年收购电子芯片，收购电子IC，收购DDR ,收购集成电路芯片，收购内存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR内存芯片系列，三星，现代，闪迪，金士顿，镁光，东芝，南亚，尔必达，华邦等各原装品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
并没有：双模式的布板虽然昂贵而且有局限，但是满足了高分辨率掩膜层的需求。在节点是否需要finFET晶体管上也有争论。Intel、IBM和UMC持赞成态度；三星、TSMC和GLOBALFOUNDRIES则
2014-09-01 17:26:49
和14nm芯片。当时台积电和三星各占40%、60%左右的订单。台积电独得订单，恐怕与去年的“芯片门事件”有关。去年刚上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由台积电（16nm制程工艺）和三星（14nm
2016-07-21 17:07:54
3GB-8GB+64GB-256GB范围的八种不同配置。三星和美光所推出的多芯片封装uMCP解决方案有望替代eMCP成为5G手机向中低端市场普及的最佳解决方案，将可满足移动市场不断增长的性能和容量的需求
2019-12-25 14:38:44
2023年1月13日，知名物理IP提供商 锐成芯微（Actt） 宣布在22nm工艺上推出双模蓝牙射频IP。近年来，随着蓝牙芯片各类应用对功耗、灵敏度、计算性能、协议支持、成本的要求越来越高，22nm
2023-02-15 17:09:56
。 1989年486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺。 1990年三星推出16MbDRAM。 1991年华邦成功开发首颗64KSRAM。 1992年64M
2018-05-10 09:57:19
017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流，这对我们设计业、制造业是一个很大的启示：我们怎么样适应全球先进工艺。
2013-12-16 09:40:211925 联发科、展讯通信在 16nm 工艺芯片上较劲，纷纷推出八核 A53 架构 4G 芯片。展讯 SC9860 现在已经量产供货，而联发科 Helio P20 需要等到下半年才能实现量产，展讯首次在产品导入时间上走在了联发科前面。
2016-05-20 10:53:091104 2016年半导体的主流工艺是14/16nm FinFET工艺，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格罗方德）三大阵营，下一个节点是10nm，三方都会在明年量产，不过
2016-05-30 11:53:53858 ，拉开了下下代半导体工艺竞争的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC会议上公布了自家的7nm工艺进展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工艺的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工艺
2017-02-11 02:21:11277 
以赛灵思 20nm UltraScale 系列的成功为基础，赛灵思现又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列 FPGA、3D IC 和 MPSoC，凭借新型存储器、3D-on-3D 和多处理SoC（MPSoC）技术，再次领先一代提供了遥遥领先的价值优势。
2017-02-11 16:08:11660 三星是全球最大的DRAM芯片供应商，自己一家就占据了47.5%的份额，远高于SK Hynix和美光。不仅如此，三星在DRAM技术上也遥遥领先于其他两家，去年3月份就宣布量产18nm工艺的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572482 据报道，全球第二大手机芯片企业联发科在近日确定减少对台积电6月至8月约三分之一的订单，在当前的环境下是一个合适的选择，转而采用16nm FinFET工艺和10nm工艺可以更好的应对高通等芯片企业的竞争。
2017-05-02 09:59:01721 骁龙835的手机，而在跑分测试中，10nm制程工艺的骁龙835CPU性能跟采用16nm制程工艺的麒麟960性能差别不大，这是为什么呢？
2017-05-16 11:40:481578 我们要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其实这些数值所代表的都是一个东西，那就是处理器的蚀刻尺寸，简单的讲，就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。
2017-07-05 09:24:482962 随着智能手机的发展，半导体工艺也急速提升，从28nm、16nm、10nm到7nm这些半导体代工厂们每天争相发布最新的工艺制程，让很多吃瓜群众一脸懵逼不知道有啥用。
2018-06-10 01:38:0046910 小米很有可能会推出搭载澎湃S2的新机，澎湃S2采用台积电16nm工艺是没有太大的悬念，相对澎湃S1较为落后的28nm在功耗上有显著优势，但和旗舰级的10nm工艺相比还是有一定差距。
2017-10-14 12:01:002716 台积电南京工厂将会在明年5月提前量产30mm晶圆，据悉，台积电会引进16nm FinFET制造工艺，仅次于10nm FinFET，并在南京设立一个设计服务中心来吸引客户订单。
2017-12-10 09:30:46910 三星在DRAM市场的霸主再一次的得到了增强。据报道，三星利用第一代10nm 制程工艺研发出了8Gb DDR4 芯片，这是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534 处理器的洗礼，在麒麟950处理器上已经成熟起来，这款处理器号称三项世界第一——首个商用A72 CPU核心、首个16nm FinFET Plus工艺以及首个商用Mali-T880 GPU核心。不过麒麟950
2018-02-18 07:55:48569 的一个关键词。 而作为芯片制造的一大头，三星此前也已经宣布了其7nm LPP工艺将会在2018年下半年投入生产，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum论坛上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工艺技术。
2018-05-25 11:09:003532 作为DRAM芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道，三星悄悄启动了引入EUV（极紫外光）光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:00809 今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV
2018-06-07 14:49:006059 12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。
2018-07-31 14:55:25723 DRAM芯片组成。三星称，新品取代的是2014年推出的20nm级16GB SoDIMM模组，后者的单芯片容量是8Gb。
2018-08-06 16:38:014789 4月25日，三星电子宣布已开始批量生产汽车用10nm级16Gb LPDDR4X DRAM。这款最新的LPDDR4X产品具备高性能，同时还显著提高需要在极端环境下工作的汽车应用的耐热性水平。这款
2018-08-23 15:48:262143 在本视频中，了解Xilinx采用高带宽存储器（HBM）和CCIX技术的16nm Virtex UltraScale + FPGA的功能和存储器带宽。
2018-11-27 06:20:003624 三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083251 ，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:541444 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:163659 关键词：DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01215 举个例子，台积电一贯以来在研发先进工艺上出了名保守。在研发16nm工艺的时候它就先在2014年量产了14nm工艺然后再在2015年引入FinFET工艺，而三星则直接在2015年量产
2019-09-04 11:45:583972 三星电子有限公司（Samsung Electronics）在其官网上发布消息，该公司正式宣布，首次开发了第三代 10nm 制程工艺（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。
2019-09-27 17:23:291003 由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺，三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年，目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nm EUV工艺量产。在这之后，三星已经加快了新工艺的进度，日前6nm工艺也已经量产出货，今年还会完成3nm GAE工艺的开发。
2020-01-06 16:13:073254 由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺，三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年，目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nm EUV工艺量产。
2020-01-06 16:31:033215 大多数读者应该知道Intel 的处理器、TSMC生产的SoC（System on Chip）等逻辑半导体的相关工艺，也明白到这些规则只不过对产品的命名罢了。那么，DRAM中提到的1X（18nm）、1Y（17nm）、1Z（16nm）等又都意味着什么？
2020-07-22 14:33:123769 
EUV，依靠现有的DUV（深紫外光刻）是玩不转的。 有意思的是，三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合，用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉，三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级（1z）工艺打造，请注意16Gb容量的后缀，是Gb而不是GB，16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:292234 的工艺节点都不使用明确的数字，而是1x、1y、1z、1α等等，越往后越先进，或者说1xnm比较接近20nm，1αnm则更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工艺可适用于各种不同的内存芯片，尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5，相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40％，同时还能让功耗降低15％
2021-01-27 17:28:331589 关于芯片工艺，Intel前几天还回应称友商的7nm工艺是数字游戏，Intel被大家误会了。不过今年Intel推出了新一代的10nm工艺，命名为10nm SuperFin工艺，简称10nm SF，号称是有史以来节点内工艺性能提升最大的一次，没换代就提升15%性能，比其他家的7nm还要强。
2020-09-27 10:35:063538 
2020年，市面上出现了大量5nm工艺的芯片，诸如苹果A14仿生、麒麟9000以及骁龙888等旗舰芯片均采用5nm工艺。而根据最新的报道显示，在批量生产5nm工艺芯片的同时，台积电也在研发更加先进的3nm工艺，目前3nm工艺的研发正在有序进行中。
2020-12-21 15:17:481799 2020年，台积电和三星这两大芯片代工商，均把芯片制程工艺提升至5nm，而且更先进的3nm制程也在计划中，不过，最近它们好像都遇到了一些麻烦。
2021-01-12 16:26:532207 美光今天宣布，已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片，这也是迄今为止最先进的DRAM工艺，可明显提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088 
美光本周二公布其用于DRAM的1α新工艺，该技术有望将DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工艺最初被用于生产DDR4和LPDDR4内存，未来或将但覆盖美光所有类型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442202 美光的1αnm DRAM工艺可适用于各种不同的内存芯片，尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5，相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40％，同时还能让功耗降低15％，能让5G手机性能更好、机身更轻薄、续航更持久。
2021-01-31 10:16:421915 针对新能源汽车中的自动驾驶、智能座舱和电气化应用，易灵思推出40nm Trion系列中T13F169/F256和T20F169/F256共四颗车规级FPGA，同时16nm钛金系列Ti60F225将于今年7月完成车规认证，届时将会成为本土首颗车规级16nm FPGA产品。
2022-03-07 11:05:291320 近日，据韩媒报道称，三星的研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令，要求直接研发1c工艺DRAM芯片，也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。 在此之前，三星也做出过类似的决定。曾经各大
2022-04-18 18:21:581483 的重要性，我国目前最先进的制程7nm还正在研发当中，那么2nm芯片与7nm芯片的差距有多大呢？ 拿台积电的7nm举例子，台积电最初用DUV光刻机来完成7nm工艺，当时台积电7nm工艺要比上一代16nm工艺密度高3.3倍，性能提升达到了35%以上，同样性能下功耗减少了65%，在当时
2022-06-24 10:31:303662 （FinFET）的进阶，4D（GAA）技术被认为是“下一代”的晶体管技术。根据三星的数据，相较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%。 另外，每一个新工艺新制程的成本和良品率，都是影响新工艺新制程是否能够大范围普及的重
2022-06-30 20:21:521441 台积电首度推出采用GAAFET技术的2nm制程工艺，将于2025年量产，其采用FinFlex技术的3nm制程工艺将于2022年内量产。
2022-07-04 18:13:312636 （nm）级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 “ 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示： 三星12nm
2022-12-21 11:08:29521 出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人
2022-12-21 21:19:54756 
UltraScale是基于20nm工艺制程的FPGA，而UltraScale+则是基于16nm工艺制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129 原文标题：本周五｜从6nm到16nm，毫米波IC设计如何一“波”搞定？ 文章出处：【微信公众号：新思科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
2023-03-27 22:50:02470 台积电的16nm有多个版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技术（16FF +）和16nm FinFET Compact技术（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 英特尔独立运作代工部门IFS后，将向三方开放芯片制造加工服务，可能是为了吸引客户，英特尔日前发布了全新的16nm制程工艺。
2023-07-15 11:32:58757 Ansys多物理场平台支持英特尔16nm工艺的全新射频功能和其他先进特性，能够通过与芯片相关的预测准确性来加速完成设计并提高性能
2023-08-15 09:27:50310 
最新消息，中国台湾经济部门（MOEA）推出了一项针对16nm及以下芯片研发的补贴计划，旨在支持当地企业，帮助中国台湾成为集成电路设计的领先者。
2024-03-21 14:19:0087 自苹果的A14和M1、华为的麒麟9000芯片推出以来，台积电成功在2020年率先成为5nm工艺量产出货的代工厂。但同样拥有顶尖工艺的三星也不甘落后，先后推出了Exynos 1080、骁龙888和Exynos 2100三款芯片。尽管力求后发制人，但三星的5nm之路依旧并非一帆风顺。
2021-01-20 03:53:003301
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