三星将于2020年推出16nm工艺 DRAM 芯片 15nm或成为 DRAM 终点

来源:网络整理 作者:佚名2017年04月20日 10:47
[导读] 三星不仅是智能手机市场的老大,更重要的是三星还掌握了产业链至关重要的DRAM内存、NAND闪存及OLED屏幕,这三大部件上三星遥遥领先其他对手,手机OLED面板上更是占据95%以上的份额。
关键词:16nm三星DRAM
三星不仅是智能手机市场的老大,更重要的是三星还掌握了产业链至关重要的DRAM内存、NAND闪存及OLED屏幕,这三大部件上三星遥遥领先其他对手,手机OLED面板上更是占据95%以上的份额。在DRAM内存市场上,三星不仅产能、份额最高,技术也是最领先的,去年率先量产18nm工艺,今年将完成17nm DRAM内存研发,2018年量产,2020年则会推出16nm工艺的DRAM内存芯片。

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在18nm工艺之后三星还将开发17nm、16nm DRAM芯片

与CPU等芯片相比,DRAM内存在20nm节点之后也放缓了速度,线宽减少越来越困难,40nm工艺的DRAM内存芯片线宽减少约为5-10nm,20nm工艺的线宽减少就只有2-3nm了,更先进的工艺减少线宽就更困难了。业界预计15nm节点将是(传统)DRAM内存的终点,未来DRAM的技术门槛会越来越高。

三星在DRAM技术上依然比其他厂商更先进,2016年3月底三星就宣布量产18nm工艺DRAM内存芯片,后面还会继续发展新一代工艺。来自韩国ETNews的消息称,三星18nm工艺开发代号为Pascal(帕斯卡),现在则在开发代号为Armstrong(阿姆斯特朗)的17nm工艺,预计今年底正式完成研发,2018年正式量产17nm工艺。

未来两年三星还会研发代号Kevlar(凯夫拉)的16nm工艺,预计在2020年早些时候大规模量产。

三星现在的产能主力还是20nm工艺(代号Boltzmann,玻尔兹曼),18nm产能正在稳步提升,预计明年18nm工艺就会占据主要份额。

“在1x(18nm)、1y(17nm)及1z(16nm)工艺之后,DRAM内存制造工艺还会减小到1a、1b、1c、1d等”,三星电子DS设备解决方案部门的经理Jung Eun-seung称三星需要开发与现有材料不同的、新的半导体材料,还要提高制程工艺的稳定性以便能大规模量产。

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