三星vs台积电 7nm工艺谁能领先一步？

三星与台积电工艺之战从三星跳过20nm工艺而直接开发14nmFinFET打响，从10nm到如今的7nm之争，无论谁领先一步，都是半导体工艺的重大突破。

在半导体代工市场上，台积电一直都以领先的工艺著称，三星为了赶超台积电选择直接跳过20nm工艺而直接开发14nmFinFET工艺，台积电虽然首先开发出16nm工艺不过由于能效不佳甚至不如20nm工艺只好进行改进引入FinFET工艺，就此三星成功实现了领先。

2015年三星成功在年初量产14nmFinFET工艺，而台积电的16nmFinFET工艺则延迟到同年三季度量产。在台积电成功量产16nmFinFET工艺后却优先照顾苹果用于生产A9处理器，而帮助它研发16nmFinFET工艺的华为海思则没获得礼遇导致采用该工艺的麒麟950芯片延迟到11月初发布。

于是双方将目光聚焦于10nm和7nm工艺上，希望争取先量产。在过去一年时间，台媒屡屡发布消息指台积电的10nm工艺进展快速，不过最终在去年10月份三星宣布自家的10nm工艺正式量产并采用该工艺生产出高通的骁龙835芯片，再次领先于台积电。

在MWC2017上联发科大事宣传其采用台积电的10nm工艺生产的helio X30芯片，不过暂未知哪个手机企业会采用该款芯片，而早前传出消息指曾计划采用该款芯片的小米已放弃引入。采用三星10nm工艺生产的骁龙835则被中兴和索尼采用并在MWC2017上展示，预计4月份三星采用该款芯片的高端手机galaxy S8将会大规模上市，从事实上来说这次三星和高通成为10nm工艺的赢家！

当前三星和台积电正积极推动它们的7nm工艺量产，各方的消息指它们有可能本年底或明年初量产7nm工艺。在最关键的EUV（极紫外光微影）设备方面，三星早在2016年就已花费1.78亿美元从ASML采购EUV设备，而台积电则预计从今年1月装设EUV设备，从这个方面来说前者已抢先一步。

台积电今年还面临着其他的问题，当下它的10nm工艺良率过低迫使它集中资源提升良率，同时在开发16nmFinFET的改进工艺12nmFinFET，接下来又需要确保有足够的产能满足苹果将用于iPhone8的A11处理器对10nm工艺产能的强大需求，这导致它难以集中更多资源开发7nm工艺。

三星虽然也面临着10nm工艺良率的问题，不过它除了这方面需要投入资源外并无需更多需要担心的地方因此可以将更多资源集中于7nm工艺，在加上在EUV技术方面先于台积电进行投入，故有可能在7nm工艺上先于台积电量产。

三星和台积电在7nm工艺上有可能真正实现对半导体老大台积电的超越，虽然在命名上这两者的10nm工艺与Intel的10nm一样，不过业界普遍认为它们的7nm工艺才能实现领先于Intel的10nm，当前它们的10nm估计只是稍好与Intel的14nmFinFET，Intel预计今年下半年会量产10nm工艺，也因此它们才如此看重谁抢先量产7nm工艺。