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东芯半导体将于4月15日科创板首发上会,未来或与中芯国际合作开发1xnm闪存

东芯半导体将于4月15日科创板首发上会,未来或与中芯国际合作开发1xnm闪存

 4月8日,据上交所披露,东芯半导体股份有限公司(以下简称“东芯半导体”)将于4月15日科创板首发上会。   资料显示,东芯半导体作为Fabless芯片企业,聚焦中小容量NAND、NOR、Dram芯片的设...

2021-04-09 标签:中芯国际东芯科创板 674

【芯闻精选】八寸晶圆厂狂涨价,硅片单价突破 1000 美元创十年新高;中微公司刻蚀机已进入国际客户5nm产线

【芯闻精选】八寸晶圆厂狂涨价,硅片单价突破 1000 美元创十年新高;中微公司

产业新闻   臻鼎科技控股高端集成电路封装载板智能制造工厂项目昨日签约   4月6日,臻鼎科技控股高端集成电路封装载板智能制造工厂项目签约仪式在秦皇岛经济技术开发区泰盛商务大厦举...

2021-04-08 标签:晶圆物联网刻蚀 1999

西门子S7-1500存储卡的选择和使用

西门子S7-1500存储卡的选择和使用

自动化数据位于自动化系统的不同存储区中。 在TIA STEP7 中创建的项目的离线数据位于编程设备的硬盘上。项目的在线数据位于 SIMATIC 存储卡上的装载存储器上。装载存储器位于 SIMATIC 存储卡上...

2021-03-15 标签:存储器西门子SMC 226

【紫光同创国产FPGA教程】【第十二章】SD卡音乐播放例程

【紫光同创国产FPGA教程】【第十二章】SD卡音乐播放例程

WAV文件作为多媒体中使用的声波文件格式之一,它是以RIFF格式为标准的。RIFF是英文Resource Interchange File Format的缩写,每个WAV文件的头四个字节便是“RIFF”,所以本实验就简单的以每个扇区的前...

2021-02-19 标签:fpga音频SD开发板紫光同创 2426

【紫光同创国产FPGA教程】【第十章】DDR3读写测试实验

【紫光同创国产FPGA教程】【第十章】DDR3读写测试实验

本实验为后续使用DDR3内存的实验做铺垫,通过循环读写DDR3内存,了解其工作原理和DDR3控制器的写法,由于DDR3控制复杂,控制器的编写难度高,这里笔者介绍采用第三方的DDR3 IP控制器情况下的...

2021-02-05 标签:fpgaDDR3DDR内存紫光同创 2729

【紫光同创国产FPGA教程】【第八章】SD卡读写实验

【紫光同创国产FPGA教程】【第八章】SD卡读写实验

SD卡是现在嵌入式设备重要的存储模块,内部集成了nand flash控制器,方便了主机的的管理。本实验主要是练习对sd卡的扇区进行读写,通常sd卡都有文件系统,可以按照文件名和目录路径来读写...

2021-02-05 标签:fpga嵌入式SD卡SPI紫光同创 2536

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第二十四章PS端SD卡读写

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第二十四章PS端SD卡读写

FatFs是一个通用的文件系统模块,用于在小型嵌入式系统中实现FAT文件系统。FatFs的编写遵循 ANSI C,因此不依赖于硬件平台。它可以嵌入到便宜的微控制器中,如 8051, PIC, AVR, SH, Z80, H8, ARM等等,...

2021-01-28 标签:fpga嵌入式SD卡ZynqMPSoC 1768

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第八章FPGA片内FIFO读写测试实验

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第八章FPGA片内FIFO读写测试实验

FIFO: First in, First out代表先进的数据先出,后进的数据后出。Xilinx在VIVADO里为我们已经提供了FIFO的IP核, 我们只需通过IP核例化一个FIFO,根据FIFO的读写时序来写入和读取FIFO中存储的数据。...

2021-01-22 标签:fpgaXilinxfifoZynqMPSoC 1694

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第七章FPGA片内ROM测试实验

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第七章FPGA片内ROM测试实验

既然是ROM,那么我们就必须提前给它准备好数据,然后在FPGA实际运行时,我们直接读取这些ROM中预存储好的数据就行。Xilinx FPGA的片内ROM支持初始化数据配置。如下图所示,我们可以创建一个名...

2021-01-22 标签:fpgaROMRAMZynqMPSoC 1400

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第六章FPGA片内RAM读写测试实验

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第六章FPGA片内RAM读写测试实验

RAM是FPGA中常用的基础模块,可广泛用于缓存数据的情况,同样它也是ROM,FIFO的基础。本实验将为大家介绍如何使用FPGA内部的RAM以及程序对该RAM的数据读写操作。...

2021-01-22 标签:fpgaROMRAMZynqMPSoC 1656

铁电存储器在多MCU系统中应用(附fm24c16的作用FM24C16引脚图及工作程序)

铁电存储器在多MCU系统中应用(附fm24c16的作用FM24C16引脚图及工作程序)

1、铁电存储器技术原理、特性及应用 美国Ramtron公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性。铁电晶体的...

2021-01-13 标签:单片机mcu存储器fram铁电存储器 765

PureStorage公司可能成为戴尔或联想等潜在买家的目标

PureStorage公司可能成为戴尔或联想等潜在买家的目标

据外媒Seeking Alpha消息,Betaville上个月曾在PSTG上进行过推测,猜测PureStorage公司可能成为戴尔或联想等潜在买家的目标之后,Pure Storage股价应声上涨,涨幅5.2%。   关于PureStorage PureStorage(NYSE:PST...

2021-01-12 标签:戴尔联想存储 1062

可穿戴设备等物联网应用案例介绍旺宏之低功耗NOR FLASH

可穿戴设备等物联网应用案例介绍旺宏之低功耗NOR FLASH

物联网应用旺宏之低功耗NOR FLASH   得益于汽车电子、物联网、5G、智能手机及其周边(如TWS耳机、可穿戴式设备)等需求的推动,近一两年,NOR Flash市场得到了飞速增长。详细应用如下: 汽车...

2021-01-12 标签:FlaSh5GNOR flash可穿戴设备TWS 438

华为设立2021全球数据存储OlympusMons奖

华为设立2021全球数据存储OlympusMons奖

2020年12月31日,在中国东莞2020年全球存储教授论坛上,来自华为,中国工程院以及国内外顶级大学和研究所的一百多位存储专家见证了这一消息。 华为宣布了2021年OlympusMons奖,并邀请全球科学...

2021-01-06 标签:华为存储算法数字化华为存储 386

半导体轮涨 得一微电子嵌入式存储控制芯片涨价50%

半导体轮涨 得一微电子嵌入式存储控制芯片涨价50%

受上游晶圆代工产能紧缺问题的持续影响,自去年四季度以来,很多半导体芯片都出现了一波价格上涨。特别是在去年12月,不少芯片厂商都宣布旗下的产品价格将于1月1日起正式上调。比如,...

2021-01-06 标签:半导体嵌入式存储内存得一微电子 462

中科曙光基于区块链存储应用的智能高效的专属存储系统—区块链存储系统ChainStor

中科曙光基于区块链存储应用的智能高效的专属存储系统—区块链存储系统Ch

近日,中科曙光在北京发布了基于区块链存储应用打造的一款智能高效的专属存储系统——区块链存储系统ChainStor。ChainStor沿用了曙光多年技术积累的分布式存储架构,底层核心是基于裸设备的...

2020-12-31 标签:存储存储系统中科曙光区块链 2778

国产内存加速 DRAM厂商长鑫存储完成156亿元融资

  DRAM厂商长鑫存储完成156亿元融资,内存芯片的国产替代之路又获资金助力。12月14日,工商信息显示,大基金二期、安徽国资、兆易创新及另一家朱一明实控企业、小米长江产业基金等机构入...

2020-12-25 标签:DRAM内存存储芯片SK海力士长鑫存储 1507

闪存可降低MCU系统功耗?

闪存可降低MCU系统功耗?

备的设计越来越多地采用片上嵌入式内存容量有限的微控制器,或者干脆完全避开闪存。原因之一是,尽管可以嵌入所需的任意大小容量的内存,但是为了实现更高性能而逐渐缩小尺寸这个自然...

2020-12-23 标签:微控制器mcu闪存存储IIoT 1278

兆易创新为嵌入式产品提供丰富的存储解决方案

兆易创新为嵌入式产品提供丰富的存储解决方案

虽然此前在DRAM内存芯片布局上,兆易创新主要是通过其与合肥市产业投资控股集团合作的长鑫存储来进行布局。但是,兆易创新的自研DRAM项目也早已开始。...

2020-11-03 标签:芯片嵌入式存储RRAM兆易创新 1989

ASIC设计方案提供商灿芯半导体为NVDIMM OEM提供控制器芯片方案

ASIC设计方案提供商灿芯半导体为NVDIMM OEM提供控制器芯片方案

此前,国际领先的定制化芯片(ASIC)设计方案提供商及DDR控制器和物理层IP供应商灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称灿芯半导体)对外宣布为一家著名的NVDIMM供应商提供完整的NVDIMM控制器...

2020-10-28 标签:asic存储器DDR灿芯半导体 451

高带宽内存突破4Gbps!Rambus独家内存接口方案发力AI和HPC市场

高带宽内存突破4Gbps!Rambus独家内存接口方案发力AI和HPC市场

“在人工智能领域,对带宽需要上升到1.0Gbps需求,Rambus HBM2E的性能正式提高到4.0 Gbps每秒,4.0 Gbps是全新的行业标杆,我们一个开发过程中的合作伙伴就是SK海力士,我们提供的HBM2E内存达到了...

2020-10-23 标签:台积电RambusHBMGDDR6 3721

兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash

兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash

兆易创新今日正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NANDFlash产品GD5F4GM5系列。该系列产品实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化,并已成功量产,标志着国内SLC...

2020-10-15 标签:Nand兆易创新 4453

紫光集团DRAM事业群执行副总裁高启全退休 坂本幸雄接收紫光DRAM布局

紫光集团DRAM事业群执行副总裁高启全退休 坂本幸雄接收紫光DRAM布局

紫光集团全球执行副总裁高启全在2020年9月30日正式退休,未来紫光集团的DRAM事业布局将由前尔必达社长、现任紫光高级副总的坂本幸雄接手。...

2020-10-02 标签:DRAM尔必达3D NAND紫光 4635

禁令影响 三星电子和SK海力士将在9月15日停止向华为出售芯片

禁令影响 三星电子和SK海力士将在9月15日停止向华为出售芯片

最新消息,据韩媒报道,由于美国禁令,三星电子和SK海力士将从下周二(9月15日)开始停止向华为出售芯片! 虽然三星和SK海力士是韩企,但问题在于,美方禁令要求非美国公司不能向华为出...

2020-09-11 标签:中芯国际三星电子华为存储SK海力士 2640

大数据需要多层存储策略 西部数据先进技术赋能应对冷数据存储

我们的世界正在快速、全面的进入数字化,数据的爆发态势已经持续数年并仍将持续。根据IDC的预测,到2025年,由用户产生的、IoT设备捕获的以及数据中心创建并复制的数据总量,将会达到1...

2020-09-04 标签:数据存储数据中心固态硬盘西部数据 1804

长鑫存储今年年底产能可达12万片

长鑫存储今年年底产能可达12万片

长鑫存储今年年底产能可达12万片,预计将超越南亚科技,届时市占率将仅次于三大巨头。此外,长鑫 17nm工艺即将出世,明年可实现大规模量产。 报道称,长鑫存储 19nm DRAM 工艺已于 2020 年上...

2020-09-03 标签:DRAM存储长鑫存储 2632

曙光云存储产品通过耦合方式组成海量存储资源池助力国网通航开创数字化运营

曙光云存储产品通过耦合方式组成海量存储资源池助力国网通航开创数字化运营

随着国家大力推动数字经济新基建的发展,国内各大行业纷纷开启数字化转型行动。近日,曙光存储中标国网通航,硬核支撑智慧国网通航系统建设。将现代科技融入通航公司全产业链,实现数...

2020-09-01 标签:存储云存储中科曙光 1557

蚕丝硬盘听说过吗?生物技术和半导体融合的新型存储方式

蚕丝硬盘听说过吗?生物技术和半导体融合的新型存储方式

这种存储技术以生物兼容性良好、易于掺杂功能化、降解速率可控的天然蚕丝蛋白作为信息存储介质,近场红外纳米光刻技术作为数字信息写入方式。...

2020-08-13 标签:硬盘存储大数据 3498

存储芯片商普冉股份冲刺科创板 NOR Flash爆发式增长

存储芯片商普冉股份冲刺科创板 NOR Flash爆发式增长

科创板芯版图或再添一位新军。 近日,上交所受理了普冉半导体(上海)股份有限公司(以下称普冉股份)的科创板申请。普冉股份主营业务为非易失性存储器芯片的设计与销售,此次公司拟...

2020-08-13 标签:闪存NANDEEPROM兆易创新科创板 721

上交所受理非易失性存储器芯片企业上海普冉科创板IPO申请

上交所受理非易失性存储器芯片企业上海普冉科创板IPO申请

8月3日,上交所正式受理了普冉半导体(上海)股份有限公司(以下简称普冉股份)的科创板上市申请。 招股书显示,普冉股份的主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售,目前主要产品包...

2020-08-06 标签:半导体存储器指纹识别科创板 2137

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