台积电2nm和3nm制程工艺
台积电首度推出采用GAAFET技术的2nm制程工艺，将于2025年量产，其采用FinFlex技术的3nm制程工艺将于2022年内量产。
据了解，与5nm芯片相比，台积电3nm芯片功耗降低34%，性能提升18%，逻辑晶体管密度提高1.6倍，采用FinFlex技术，有望在今年下半年实现量产。与3nm芯片相比，台积电2nm芯片性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，采用GAAFET技术，预计在2025年实现量产。
台积电将在未来几年推出四种3nm衍生制程工艺，计划于2025年将成熟和专业制造节点的产能提升50%，将在多地建设大量新晶圆厂。
综合整理自半导体行业观察、钛媒体APP
审核编辑：汤梓红
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