不小，三星的3nm工艺密度才跟Intel的7nm差不多。 Digitimes日前发表了研究报告，分析了三星、台积电、Intel及IBM四家的半导体工艺密度问题，对比了10nm、7nm、5nm、3nm及
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当地时间3月16日，存储器大厂美光宣布从即日起将停止对3D XPoint的开发，并出售其在犹他州Lehi的3D Xpoint晶圆厂，预计可在2021年底之前完成。
2021-03-19 09:26:195570 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。
2021-02-20 10:43:59709 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。各大厂商的3D闪存技术并不一样，所以堆栈的
2021-02-20 10:04:451078 据供应链最新消息，Intel已经决定将部分芯片外包给台积电，而后者预计会在2022年使用其3nm工艺生产。 按照消息人士的说法，台积电定于2021年资本支出的250-280亿美元中的大部分，预计超过
2021-01-27 10:35:40806 Intel日前做出最新的产品调整通知，仅使用3D Xpoint闪存的傲腾消费级产品全线退役，且不再做后续更新换代。
2021-01-18 10:13:561025 Intel日前做出最新的产品调整通知，仅使用3D Xpoint闪存的傲腾消费级产品全线退役，且不再做后续更新换代。
2021-01-18 09:26:241824 Intel日前做出最新的产品调整通知，仅使用3D Xpoint闪存的傲腾消费级产品全线退役，且不再做后续更新换代。 本次退役涉及傲腾900P/905P（280GB~1.5TB）、M10（16GB
2021-01-17 10:56:281309 不久前，Intel刚刚发布了基于10nm制程工艺的11代酷睿处理器、凌动P5900片上系统，Intel高级副总裁兼制造与运营总经理Keyvan Esfarjani表示，尽管intel近年来晶圆产能翻倍，但是面对旺盛的需求和半导体产业总体制约因素面前，其工厂还是显得有一些应接不暇。
2021-01-13 16:35:551067 Foveros 3D堆栈，这是一种新的3D封装技术，可以把不通工艺的IP核心封装在一起，Lakefield的5核心就是
2020-12-21 15:46:32799 NAND应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。 依托于先进工艺的3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的3D NAND将如何发展？如何正确判断一款3D NAND的总体效率？ 在2020年的闪存
2020-12-09 10:38:321445 他们未来的3nm工厂，预计2022年下半年台积电3nm工艺就会投产。 当然随着半导体工艺的逐渐发展，工艺的升级也逐渐困难，所需的投入也越来越大，报团合作也越来越多，台积电拉了Google和AMD过来合作。 台积电正在和Google合作，以推动3D芯片制
2020-09-25 22:43:17463 迎来适用于 AMD 平台的 Optane 或 3D XPoint 类产品。 ▲ 英特尔傲腾 905P，图源英特尔 作为 XPoint 内存的共同开发者，美光（Micron）宣布将致力于推出自己的 3D XPoint 技术以及相应的存储解决方案，该解决方案可在多种平台上使用。美光公司首席财务官戴维 辛斯纳（Dav
2020-11-30 10:33:18922 通过转让IM工厂股份给美光、将闪存业务打包出售给SK海力士等，Intel正重新梳理旗下业务，至少就闪存、SSD来看，现在只剩下傲腾了。 不过，傲腾的3D Xpoint芯片仍要靠犹他州的IM工厂生产
2020-11-29 11:55:461000 迎来适用于 AMD 平台的 Optane 或 3D XPoint 类产品。 作为 XPoint 内存的共同开发者，美光（Micron）宣布将致力于推出自己的 3D XPoint 技术以及相应的存储
2020-11-29 11:41:441443 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用
2020-11-12 16:04:011172 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 14:46:25890 根据报道，华为将在国内建设一家45nm制程工艺起步的芯片工厂，计划在2021年底为物联网设备制造28nm的芯片，并在2022年底之前为5G设备供应20nm的芯片。
2020-11-02 17:44:361552 在Intel、台积电各自推出自家的3D芯片封装技术之后，三星也宣布新一代3D芯片技术——X-Cube，基于TSV硅穿孔技术，可以将不同芯片搭积木一样堆叠起来，目前已经可以用于7nm及5nm工艺。
2020-10-10 15:32:15751 前有台积电的 CoWoS，Intel 的 Foveros，现在三星也公布了自家的 3D 封装技术 X-Cube。显而易见的是，未来我们买到的电子产品中，使用 3D 封装技术的芯片比例会越来越高。
2020-08-24 15:03:261131 上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术，QLC类型容量做到了1.33Tb容量，创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进，三星等公司也没闲着，三星正在开发160堆栈的3D闪存。
2020-04-20 09:33:01287 Intel于近日与美光在3D XPoint闪存供应事项上面达成了新的协议，分析师认为，他们向美光支付了以前更多的钱以继续获得3D XPoint产品的供应。
2020-03-23 08:55:421817 在此前高调地宣布“分道扬镳”之后，英特尔近日又与美光签署了新的 3D XPoint 存储器晶圆供应协议。分析人士指出，鉴于英特尔是当前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付较以往更多的费用。
2020-03-17 14:23:301230 凭借领先一代的PCM相变存储技术3D XPoint，Intel的傲腾系列内存/SSD在企业级市场上占了上风，延迟超低，寿命也远超闪存。
2020-03-05 14:41:24617 凭借领先一代的PCM相变存储技术3D XPoint，Intel的傲腾系列内存/SSD在企业级市场上占了上风，延迟超低，寿命也远超闪存。
2020-03-05 11:31:222144 该工艺的最大的特点是，改变了将不同IP模块使用同一工艺、放置在同一2D平面上的做法，改为3D立体式堆栈，而且不同IP模块可以灵活选择最适合自己的工艺制程。
2020-02-20 21:27:591235 未来十年，存储市场仍将继续追求存储的密度、速度和需求的平衡点。尽管各个厂家的技术侧重点不尽相同，但铠侠（原东芝存储器）对 3D XPoint 之类的堆叠类存储方案的前景并不看好。
2020-01-02 16:11:373267 
至于原因，东芝认为3D XPoint成本太高，在容量/价格比上难以匹敌3D NAND 技术，现在市面上96层堆叠的闪存已经大量涌现，可以在容量上轻松碾压3D XPoint。
2020-01-02 09:38:102139 NAND闪存无疑是当下乃至未来最主流的存储技术，但也有不少新的存储技术在探索和推进，Intel 3D XPoint（傲腾）就是典型代表（曾与美光合作研发如今已分手），产品也是多点开花，Intel对它颇为倚重。
2020-01-02 09:20:152154 赛灵思UltraScale架构：行业第一个ASIC级可编程架构，可从20nm平面晶体管结构 （planar）工艺向16nm乃至FinFET晶体管技术扩展，从单芯片（monolithic）到3D IC扩展。
2019-12-18 15:33:59486 IEEE EDM技术会议上，Intel展示了两种新型封装设计，一个是ODI，一个是3D Foveros，之前我们都做过详细介绍。封装如今已经是Intel的技术支柱之一，和制程工艺并列。
2019-12-13 10:27:37472 Intel的傲腾系列闪存上因为使用了最新的3D XPoint闪存所以其速度和耐用性都给人留下了深刻的印象。而当年和Intel一起合作开发3D XPoint的美光在昨天也终于正式宣布推出自己的首款3D XPoint产品——X100。
2019-11-27 17:12:16638 7nm是Intel下一代工艺的重要节点，而且是高性能工艺，其地位堪比现在的14nm工艺，而且它还是Intel首次使用EUV光刻的制程工艺，意义重大。
2019-10-12 14:46:142003 “台积公司是我们在 28nm、20nm 和 16nm 实现‘三连冠（3 Peat）’成功的坚实基础。其出色的工艺技术、3D 堆叠技术和代工厂服务，让赛灵思在出色的产品、优异的品质、强大的执行力以及领先的市场地位上享有了无与伦比的声誉。
2019-06-28 06:12:401237 ADI Guneet Chadha探讨电源系统管理(PSM)如何确定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8个电源的时序或按照预定顺序开启各电源
2019-04-16 17:34:47718 在制程工艺上，Intel从2015年到现在一直在魔改14nm工艺，10nm工艺说是今年6月份量产了，但在时间进度上确实要比台积电等公司落后了，AMD今年都出7nm的CPU和显卡了。
2019-07-18 16:09:082419 制程后，各大厂商都转向了3D NAND 技术（如果大家对闪存有兴趣我们今后也可以科普），再往后大家也不在 NAND 的制程上较劲了。
2019-04-22 10:51:471662 QuantX的首次亮相是在2016年的闪存峰会上，三年之后，美光最终将要在2019年底发布第一款基于3D XPoint技术的产品。
2019-02-13 10:14:502455 在3D NAND Flash大行其道的21世纪，当Intel和美光在2015年首次介绍3D Xpoint的时候，市场掀起了轩然大波。据当时的介绍，3D Xpoint会比NAND Flash快1000倍，且寿命也会比其长1000倍。
2019-01-19 09:51:18628 关键词：UltraScale+ , MPSoC , 3D IC 引言 在赛灵思 20nm UltraScale MT 系列成功基础上，赛灵思现又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列
2020-10-05 12:56:01200 让英特尔头痛的是，3D XPoint市场规模仍然很小，这让他们无法将该产品大批量生产。如果没有高产量，其生产成本将会保持很高，可能高于DRAM。然而，英特尔必须以低于DRAM的价格出售3D XPoint，才会吸引消费者。这意味着英特尔必须赔钱来建立市场。
2018-10-16 15:50:123391 宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点，加上早前Intel加大在大连工厂的3D Xpoint的投入，3D NAND大战一触即发。什么是3D NAND闪存？从新闻到评测
2020-10-02 05:12:0191 今年第三季度，NAND闪存依然处于供给吃紧的状态，主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢，低于预期。
2018-09-16 10:42:43362 Maxio（杭州联芸科技）日前展示了基于Intel 3D QLC闪存的SSD样品，容量高达4TB。
2018-08-19 11:44:57813 美光、三星释放信号仅是个开端，SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能，为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见，3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。
2018-07-17 10:36:074090 
在绝大部分使用电池供电和插座供电的系统中，功耗成为需要考虑的第一设计要素。Xilinx决定使用20nm工艺的UltraScale器件来直面功耗设计的挑战，本文描述了在未来的系统设计中，使用Xilinx 20nm工艺的UltraScale FPGA来降低功耗的19种途径。
2017-02-09 11:21:112943 5月21日，美光公司举行了年度分析师和投资者会议。尽管很多人都希望获得更多关于3D XPoint技术的信息，美光的管理层依然对此秘而不宣。我们将在本文讨论机器学习，它意味着什么，以及哪种硬件类型
2018-06-03 07:38:011909 
层数的增加也就意味着对工艺、材料的要求会提高，要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的
2018-05-28 16:27:2841832 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以来，最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-01-26 12:09:4547504 
在28nm技术突破的基础上，赛灵思又宣布推出基于20nm节点的两款业界首创产品。赛灵思是首家推出20nm商用芯片产品的公司。此外，该新型器件也是赛灵思将向市场推出的首款采用UltraScale技术
2018-01-12 05:49:45540 TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。 英特尔（Intel）和美光（Micron）在2015年8月推出了3D
2017-09-18 19:41:36
3 6月29日消息 据外媒NEOWIN报道，英特尔今天宣布推出SSD 545s固态硬盘，它是主流的SATA驱动器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64层3D TLC闪存。 这是世界上首款可供商用的64层3D NAND SSD产品，且目前仅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:57:22472 苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:54:211118 英特尔（Intel）终于发布了第一款采用3D XPoint内存的固态硬盘（SSD），这款Optane固态硬盘预期能为此试图在闪存与DRAM之间开创新市场的新一代内存技术，建立虽然小巧但意义重大的滩头堡。
2017-03-21 09:53:122966 英特尔（Intel）终于发表了第一款采用3D XPoint内存的固态硬盘（SSD），这款Optane固态硬盘预期能为此试图在闪存与DRAM之间开创新市场的新一代内存技术，建立虽然小巧但意义重大的滩头堡。
2017-03-21 09:20:59845 intel的22nm 3D工艺牛，到底牛到什么程度，到底对业界有神马影响，俺也搞不太清楚。这不，一封email全搞定了。
2017-02-11 10:47:11851 从2016年夏天公布，到预计2016年年底问世，随后又跳票至2017年。如今这款基于3D XPoint技术所打造的Optane固态硬盘终于来了。
2017-02-10 14:36:143303 Intel去年最重大的科技成果不是推出14nm工艺的Skylake处理器，而是3D XPoint存储芯片，性能是当前水平的1000倍，但它可不是NAND非易失性闪存这么简单，实际上能带来一次电脑革命，因为它还可以作为DIMM插槽的内存使用。
2016-11-22 17:14:453204 近日，在美国加州圣克拉拉举行的闪存峰会（Flash Memory Summit）上，美光科技（Micron）揭示了基于3D XPoint（相变存储）技术固态硬盘的性能数据。美光在大会上展示，相较于
2016-08-12 14:33:36895 句点，加上早前Intel加大在大连工厂的3D Xpoint的投入，3D NAND大战一触即发。本文详细介绍了3D NAND闪存优势，主要的生产厂商，以及三星、东芝和Intel在这个领域的实力产品。
2016-08-11 14:21:4536444 
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC
2016-07-13 10:40:164589 在目前市面上常见的SoC中，主要以28nm、20nm、16nm和14nm这4种制程为主，每种制程根据生产工艺不同还衍生出很多版本，比如28nm工艺，先后就有LP、HPM、HPC、HPC+四种版本。
2016-05-18 11:12:323930 Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒，成为业界领先。
2016-04-06 09:12:44545 英特尔与美光科日前发表新型非挥发性内存技术──3D XPoint，该种内存号称是自1988年NAND闪存芯片推出以来的首个新内存类别，能彻底改造任何设备、应用、服务，让它们能快速存取大量的数据，且现已量产。
2015-07-31 09:39:411390 据报道AMD明年代号“北极群岛”的GPU家族将完全跳过有问题的20nm工艺节点，北极群岛系列GPU将直接采用14nm FinFE工艺生产，希望实现更高的效率。
2015-04-24 11:19:04932 017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流，这对我们设计业、制造业是一个很大的启示：我们怎么样适应全球先进工艺。
2013-12-16 09:48:261464 有消息称，这款苹果A8芯片将会采用台积电的20nm制程工艺。出于货源稳定性的考虑，不会采用年底更为超前的16nm。尽管16nm的芯片会在明年正式量产，但是产能和技术上仍不慎稳定。
2013-12-16 09:07:161440 All Programmable FPGA、SoC和3D IC的全球领先企业赛灵思公司 （Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX） ）今天宣布推出其20nm All Programmable UltraScale™产品系列，并提供相关产品技术文档和Vivado®设计套件支持。
2013-12-10 22:54:38738 Mentor CEO认为：进入20nm、14/16nm及10nm工艺时代后，摩尔定律可能会失效，每个晶体管成本每年的下降速度不到30%，这导致企业面临的成本挑战会更加严峻。
2013-09-20 10:16:061360 赛灵思公司今天宣布，延续28nm工艺一系列行业创新，在20nm工艺节点再次推出两大行业第一：投片半导体行业首款20nm器件，也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款20nm All
2013-07-09 20:14:273501 截至2013年会计年度，赛灵思不仅囊括七成28纳米FPGA的Design Win，整体市占率也冲破50.9%。Robert表示，赛灵思表现亮眼的关键因素在于制程往往领先对手一个世代，今年在抢先跨入20纳米、3D IC制程的优势带动下，领导地位将更趋稳固。
2013-05-29 10:22:24725 FPGA正朝3D IC及SoC设计形式演进。得益于28纳米先进制程所带来的低功耗、小尺寸优势，FPGA不仅已能整合处理器核心，朝SoC方案演进，藉此提升整合度及产品性能，更可实现多种异质元件整合的3D IC，将有助开发人员设计出更智能的嵌入式系统。
2013-04-29 11:58:061345 台积电的20nm芯片生产设施或将与本月20日开始安装,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC产品样品,正常情况下将在2014年进入量产。
2013-04-07 09:46:31749 台积电（TSMC）的高管对即将来临的20nm芯片生产与销售信心满满，台积电CEO张忠谋上周就曾做过一个预测，他说最新的20nm工艺芯片2014年的成绩会比先前28nm芯片头两年卖得还要好。
2013-01-23 09:03:35404 20nm能让我们超越什么？对于像赛灵思（Xilinx）这样刚刚在28nm上花了巨资量产的公司，为什么又要去追20nm呢？20nm FPGA会带给我们什么样的科技进步？20nm FPGA背后到底蕴藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:55:191012 台湾半导体制造公司(TSMC)将为苹果提供AP/ GPU集成的解决方案，并且采用20nm Soc片上系统工艺为苹果代工。
2013-01-17 21:17:51966 Xilinx公布其在20nm产品的表现上还将保持领先一代的优势，究竟在20 nm制程上，Xilinx的产品有哪些演进使其保持领先竞争对手一代的优势？详见本文
2013-01-10 09:58:54757 电子发烧友网讯【编译/Triquinne】 ：赛灵思公司（Xilinx）今天发布公告，宣布其20nm产品系列发展战略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm产品系列建立在业经验证
2012-11-14 15:47:33825 电子发烧友网讯：关于摩尔定律的经济活力问题，有很多的讨论。在过去的一年中，20nm节点进入到这个辩论的前沿和中心。无论说辞如何，包括赛灵思在内的行业领导在20nm研发上的积极
2012-11-14 11:23:44792 电子发烧友网核心提示： 本文就可编程逻辑厂商阿尔特拉（Altera）公司首次公开的20nm创新技术展开调查以及深入的分析；深入阐述了FPGA迈向20nm工艺，Altera凭借其异构3D IC、高速收发器
2012-11-01 14:41:041446 近期，Altera发布其下一代20nm产品中规划的几项关键创新技术，延续在硅片融合上的承诺，克服了20nm设计五大挑战，实现了系统集成、串行带宽、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:36:32933 电子发烧友网核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好设计）光刻检查工具已获得TSMC的20nm IC制造工艺认证。 Calibre LFD可对热点进行识别，还可对设计工艺空间是否充足进
2012-10-08 16:08:09546 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好设计）光刻检查工具已获得TSMC的20nm IC制造工艺认证。 Calibre LFD可对热点进行识别，还可对设计工艺空间是否充足进行检查。光学临近校正法
2012-09-29 10:49:191178 台积电积极开发20nm制程，花旗环球证券指出，在技术领先优势下，未来1~2年内有机会独吞苹果（Apple）A7处理器订单。野村证券评估，台积电明年第1季开始试产A7，顺利的话，后年上半
2012-09-28 09:47:20858 ，CPU的功耗也就越小。本专题我们将介绍道几种nm级制程工艺，如：20nm、22nm、28nm、40nm、45nm、60nm等制程工艺。
2012-09-09 17:00:59
每一代硅片新技术既带来了新机遇，也意味着挑战，因此，当我们设计系统时，需要重新审视最初所作出的成本和功耗决定。20 nm以及今后的硅片技术亦是如此。 Altera在 20nm 制造节点的
2012-09-07 10:55:26404 通过裸眼3D技术，你就能看到本来要借助特殊眼镜才能观看到的3D立体影像。很好奇吧，就让《最新裸眼3D技术揭秘》技术专题带你一起揭秘裸眼3D，一起了解裸眼3D技术、裸眼3D产品（含裸眼3D手机、裸眼3D显示器、裸眼3D电视...）、裸眼3D技术特点、裸眼3D技术应用等知识吧！
2012-08-17 14:37:21
本文核心议题： 通过本文介绍，我们将对Intel 22nm 3D三栅极晶体管技术有着详细的了解。业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造，没想到英特尔竟提前将之用
2012-08-15 11:15:336124 
8月14日消息，ARM和芯片工厂Globalfoundries日前宣布，双方将联手研发20nm工艺节点和FinFET技术。 ARM之前和台积电进行了紧密合作，在最近发布了若干使用台积电28nm工艺节点制作的硬宏处理
2012-08-14 08:49:01523 本文通过高清图详解Intel最新22nm 3D 晶体管 。业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造，没想到英特尔竟提前将之用于22nm工艺，并且于上周四向全世界表示将在
2012-08-03 17:22:3563 
据台湾媒体报道，台积电（TSMC）预计会在下月试产20nm芯片制程，即将成为全球首家进入20nm技术的半导体公司。若该芯片试产成功，将超越英特尔（Intel）的22nm制程，拉开与三星电子（
2012-07-18 09:48:17506 据报道，2012年台积电准备为其R&D投入13亿美元，作为本年度资本支出预算中的一部分。去年，台积电的R&D预算首次突破10亿美元。而今年多出的30%将会用于20nm和14nm工艺研发。20nm工艺预计
2012-05-15 10:21:02490 GlobalFoundries 已开始在纽约的 Fab 8 厂房中安装硅穿孔（TSV）设备。如果一切顺利，该公司希望在2013下半年开始採用 20nm 及 28nm 製程技术製造3D堆叠晶片。
2012-05-01 10:14:08835 2012年4月27日讯 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上，公司达到了一个重要的里程碑。在其位于美国纽约萨拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已开始
2012-04-28 09:17:30953 晶圆代工巨擘台积电（TSMC）日前表示，将在 20nm 节点提供单一製程，这与该公司过去针对不同製程节点均提供多种製程服务的策略稍有不同。
2012-04-22 11:14:16923 Intel Ivy Bridge处理器只是一次制程升级，对CPU性能来说没什么特别的，但是就制造工艺而言，Ivy Bridge不啻于一场革命，因为它不仅是首款22nm工艺产品，更重要的是Intel将从22nm工艺节点开
2012-04-18 14:08:56710 
时序即将进入2012年，半导体产业技术持续进行变革，其中3D IC便为未来芯片发展趋势，将促使供应链加速投入3D IC研发，其中英特尔 (Intel)在认为制程技术将迈入3D下，势必激励其本身的
2011-12-28 09:11:35459 此前曾经报道ARM的下一代架构Cortex A15将提供双倍于Cortex A9的性能，产品采用TSMC的28nm工艺，不过就在今天ARM和TSMC联合宣布已经成功流片20nm ARM Cortex-A15 MPCore芯片。
2011-10-19 09:15:551223 台积电又跳过22nm工艺 改而直上20nm
为了在竞争激烈的半导体代工行业中提供最先进的制造技术，台积电已经决定跳过22nm工艺的研
2010-04-15 09:52:16515 Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12435
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