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电子发烧友网>存储技术>

存储技术

提供全球最前沿存储技术,云存储技术、快速存储技术、虚拟存储技术、存储解决方案、与英特尔快速存储技术等存储技术新闻、产品信息及技术热点。
AI时代的存储墙,哪种存算方案才能打破?

AI时代的存储墙,哪种存算方案才能打破?

回顾计算行业几十年的历史,芯片算力提升在几年前,还在遵循摩尔定律。可随着如今摩尔定律显著放缓,算力发展已经陷入瓶颈。而且祸不单行,陷入同样困境的还有存储。从新标准推进的角...

2024-04-21 标签:存储sramAIHBM存算一体存内计算 1400

基于FPGA的内存128M flash芯片控制器设计方案

基于FPGA的内存128M flash芯片控制器设计方案

这款flash芯片的的存储是一个扇区4KB,一个扇区可以存256个字,一个字是8位,一个块是64KB,一共有256个块组成一个存储flash内存。...

2024-04-19 标签:FPGAFlaSh内存状态寄存器芯片控制器 242

三星/SK海力士DRAM大幅扩产,恢复至削减前水平,存储新周期开启

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入,有效结束减产。   Omdia在报告中...

2024-04-12 标签:DRAM存储SK海力士三星 1931

余震恰逢原厂缺货期,固态硬盘或迎新一轮涨价

余震恰逢原厂缺货期,固态硬盘或迎新一轮涨价

今日凌晨,中国台湾东部的花莲县连续发生地震,最高强度为6.3级,震源深度10公里,据中国地震台网分析,本次地震均为4月3日台湾花莲县海域发生的7.3级地震的余震。中国台湾地区在全球半...

2024-04-23 标签:存储固态硬盘 379

RDMA在高速网络中的应用及其实现策略

RDMA在高速网络中的应用及其实现策略

在大型模型应用领域,要获得最佳性能,关键在于精密配置,特别是当GPU与InfiniBand网卡协同工作时。这里参考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系统,它倡导了一种GPU与InfiniBand网卡一对一配对的设计理...

2024-04-22 标签:cpugpu适配器计算机网络RDMA 47

企业存储设备资源划分之存储基础实验探究

企业存储设备资源划分之存储基础实验探究

1.web访问存储管理页面 2.创建硬盘域 根据业务需求调整硬盘域 3.在硬盘域之上创建存储池,分别创建一个文件及存储StoragePool002和块级存储StoragePool001...

2024-04-19 标签:Web文件系统块存储 45

东芝日本裁员情况:计划裁员约5000人

据日本媒体报道,东芝计划在日本本土裁员约5000人,这一数字占其日本员工总数的近十分之一。...

2024-04-18 标签:东芝半导体器件机械硬盘 345

康盈半导体:嵌入式存储进阶,加速AI落地智能穿戴

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近日,TechInsights可穿戴设备研究服务指出,预计2024年,全球智能手表的销量将达到9100万台,同比增长5%;2025年增长率将进一步上升至近8%,到2026年将保持在7%以...

2024-04-18 标签:可穿戴设备嵌入式存储 640

铠侠公司重启上市计划

作为半导体存储器行业的佼佼者,铠侠始终站在市场和技术的前沿。在人工智能技术的持续渗透下,半导体存储器的需求呈现出稳健的增长态势。...

2024-04-17 标签:半导体存储器人工智能Nand flash铠侠Nand flash东芝存储器人工智能半导体存储器铠侠 288

3D DRAM进入量产倒计时,3D DRAM开发路线图

3D DRAM进入量产倒计时,3D DRAM开发路线图

目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行3D DRAM的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。...

2024-04-17 标签:处理器DRAM三星电子晶体管3D DRAMDRAM三星电子三星电子处理器晶体管 98

存储技术革新之战 闪存与内存巨头竞相突破

三星在DRAM芯片工艺方面也取得了令人瞩目的突破。他们的DRAM芯片工艺已达到1b nm级别,并计划在今年内启动1c nm DRAM的量产工作。...

2024-04-16 标签:闪存DRAMNAND闪存SK海力士三星 354

美光发布新一代LPDDR5X内存,功耗降低4%

美光强调,这款新型内存不仅延续了为AI密集型应用提供稳定高带宽的传统优势,更在能效方面实现了显著突破。...

2024-04-15 标签:内存AI美光科技SK海力士LPDDR5 361

消息称三星Q2供应超微HBM3E 下半年启动大规模量产

HBM,即高带宽内存,以其独特的“楼房设计”概念,打破了传统DDR内存的设计局限,凭借出色的性能在市场中赢得了广泛认可。...

2024-04-15 标签:DDR内存HBM三星HBM3E 566

四种不同类型的存储器介绍

ROM、RAM、DRAM和SRAM都是计算机存储技术的术语,它们代表了不同类型的存储器,各自有不同的特性和用途...

2024-04-15 标签:DRAMROMsramRAM随机存取存储器 102

三星电子即将开启290层V9 NAND芯片量产

市场研究机构Omdia的最新预测显示,尽管NAND闪存市场在2023年经历了下滑,但预计今年将迎来强劲反弹,增长率高达38.1%。...

2024-04-12 标签:NAND三星电子存储芯片闪存技术SK海力士 488

西部数据硬盘全线提价,AI需求激增与供应链紧张成涨价双引擎

西部数据高级副总裁Scott Davis在函件中明确指出,由于市场对HDD机械硬盘和SSD固态硬盘的需求远超预期,导致产品供应出现严重短缺。...

2024-04-11 标签:SSDAI固态硬盘西部数据HDD 383

三星与SK海力士加速移动内存堆叠技术量产

随着人工智能在智能手机、笔记本等移动设备上的广泛应用,端侧AI已经成为行业热议的焦点。为了支持端侧运行模型的高效运行,移动DRAM的性能要求也在不断提升。...

2024-04-10 标签:DRAM人工智能HBMFOWLP三星 355

美光科技拟上调产品报价,涨幅预计突破20%

就在几天前的4月3日,台湾花莲县海域遭受了一场7.3级的强烈地震,并伴随着多次余震,给当地带来了严重的破坏。...

2024-04-10 标签:闪存DRAMNAND半导体行业 406

存储市场再遇供应短缺困境,SSD价格强势上涨引关注

在消费级SSD市场,价格也呈现上涨趋势,批发价较前一季度上涨了约10%至12%。尽管面对涨价要求,大多数买家表示接受,但也有人对此提出了警告。...

2024-04-09 标签:SSD固态硬盘存储设备Nand flash三星 422

关于同步FIFO和异步FIFO的基础知识总结

关于同步FIFO和异步FIFO的基础知识总结

FIFO是一种先进先出数据缓存器,它与普通存储器的区别是没有外部读写地址线,使用起来非常简单,缺点是只能顺序读写,而不能随机读写。...

2024-04-09 标签:数据传输EDA工具二进制计数器FIFO存储 527

存算一体架构的优势及分类

存算一体架构的优势及分类

存内计算同样是将计算和存储合二为一的技术。它有两种主要思路。第一种思路是通过电路革新,让存储器本身就具有计算能力。...

2024-04-09 标签:芯片DRAM逻辑电路存储器存算一体 181

先进工艺下的SRAM功耗和性能挑战

随着AI设计对内部存储器访问的要求越来越高,SRAM在工艺节点迁移中进一步增加功耗已成为一个的问题。...

2024-04-09 标签:CMOSDRAMsram数据中心人工智能 92

如何打造超越英伟达性能的GPU

如何打造超越英伟达性能的GPU

PHY 是一种物理网络传输设备,它将交换芯片、网络接口或计算引擎上或内部的任何数量的其他类型的接口链接到物理介质(铜线、光纤、无线电信号),而物理介质又连接它们相互之间或网络...

2024-04-08 标签:DRAMgpu内存网络传输英伟达 468

如何打破内存限制融合HBM与DDR5创新

正如我们在最初涉足Celestial的产品战略时所讨论的那样,该公司的零件分为三大类:小芯片、中介层和英特尔EMIB或台积电CoWoS的光学旋转,称为OMIB。...

2024-04-08 标签:芯片交换机HBMDDR5 110

韩国研究团队开发新型超低功耗存储设备

韩国研究团队开发新型超低功耗存储设备

DRAM是最常用的存储器之一,速度非常快,但具有易失性特性,当电源关闭时,数据会消失。NAND闪存是一种存储设备,读/写速度相对较慢,但它具有非易失性特性,即使在电源被切断时也能保存...

2024-04-08 标签:闪存DRAMNAND存储器 73

存储芯片大反弹,三星一季度利润暴涨近10倍

存储芯片大反弹,三星一季度利润暴涨近10倍

电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,三星电子公布了其2024年第一季度的财报预估数据,显示利润有大幅增长,涨幅近10倍。巨大涨幅的原因主要在于半导体价格,尤其是存储芯片价格的大反...

2024-04-08 标签:存储芯片三星 3003

英韧科技:无AI不存储,国产PCIe 5.0主控率先发力

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)在最近举行的2024中国闪存市场峰会期间,英韧科技重磅发布消费级PCIe 5.0主控方案YRS820,这是其第九款量产主控。而在去年底,英韧宣布量产企业级PCIe 5.0主控。...

2024-04-07 标签:存储AIPCIe英韧科技PCIe5.0AIPCIePCIe5.0存储英韧科技 696

耐宽温、高可靠、高性价比,佰维存储TGP200系列工规级SSD赋能工业应用

耐宽温、高可靠、高性价比,佰维存储TGP200系列工规级SSD赋能工业应用

工业设备通常在高低温、异常断电、震动、冲击、脏污等环境下运行,存储器作为设备的数据中枢,要求支持宽温工作、高度抗振抗冲击、掉电保护以及强电磁兼容性等,以确保严苛环境下数据...

2024-04-03 标签:佰维存储 242

押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存储芯片大厂旗舰新品汇总

押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存储芯片大厂旗舰新品汇总

电子发烧友原创 章鹰   4月1日,韩国股市开盘后,存储大厂SK海力士一度涨幅超过4%,市值已超过 1,000 亿美元,受益于投资者持续买入AI相关股票,由于市场对于SK海力士高带宽内存(HBM)的需...

2024-04-06 标签:存储芯片HBMpcleHBM3E 3635

三星企业级SSD计划涨价,需求激增推动市场格局

这一价格调整的背后,实际上反映出市场需求“远超预期”的现实情况。...

2024-04-03 标签:SSDNAND闪存固态硬盘三星 698

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