在最近举办的GSA存储大会上，芯片制造业的四大联盟组织-IMEC, ITRI, Sematech以及SEMI都展示了他们各自在基于TSV的3D芯片技术方面的最新进展
2011-04-14 18:38:31
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据IC Insights发布的最新2020 McClean报告显示，半导体行业研发的投入将在2024年出现明显成效包括转向EUV光刻，低于3纳米制程技术，3D芯片堆叠技术和先进封装在内的技术挑战有望
2020-01-31 09:20:347042 3D堆叠、多芯片封装大家想必都不陌生了，这年头制造工艺已经没有太多噱头，有时甚至性能提升也有限，厂商只好从架构上入手。像苹果的Ultra Fusion拼接、Graphcore的3D WoW，都是在
2022-04-13 01:06:007527 视为堆叠逻辑与内存、3D NAND，甚至可能在高带宽存储(HBM)中的多层DRAM堆叠的关键技术。垂直堆叠使得芯片制造商能够将互连间距从35µm的铜微凸点提升到10µm甚至更小。
2025-05-22 11:24:181405 
20nm硅片技术可支持高密度设计和高功效系统的同时实现。它可以在单片管芯以及多芯片3D硅片器件中集成规模更大、更复杂的硅片功能。 多种系统功能，一种架构 您经过优化的数字系
2012-09-07 10:43:09730 电子发烧友网讯【编译/Triquinne】 ：赛灵思公司（Xilinx）今天发布公告，宣布其20nm产品系列发展战略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm产品系列建立在业经验证
2012-11-14 15:32:291450 20nm能让我们超越什么？对于像赛灵思（Xilinx）这样刚刚在28nm上花了巨资量产的公司，为什么又要去追20nm呢？20nm FPGA会带给我们什么样的科技进步？20nm FPGA背后到底蕴藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:341820 台积电（TSMC）的高管对即将来临的20nm芯片生产与销售信心满满，台积电CEO张忠谋上周就曾做过一个预测，他说最新的20nm工艺芯片2014年的成绩会比先前28nm芯片头两年卖得还要好。
2013-01-23 08:57:451495 台积电的20nm芯片生产设施或将与本月20日开始安装,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC产品样品,正常情况下将在2014年进入量产。
2013-04-07 09:41:261214 Altera公司今天宣布，公司展出了业界首款具有32-Gbps收发器功能的可编程器件，在收发器技术上树立了另一关键里程碑。此次展示使用了基于TSMC 20SoC工艺技术的20 nm器件，该成果证实了20nm硅片的性能。
2013-04-09 10:38:432988 截至2013年会计年度，赛灵思不仅囊括七成28纳米FPGA的Design Win，整体市占率也冲破50.9%。Robert表示，赛灵思表现亮眼的关键因素在于制程往往领先对手一个世代，今年在抢先跨入20纳米、3D IC制程的优势带动下，领导地位将更趋稳固。
2013-05-29 10:11:351324 Mentor CEO认为：进入20nm、14/16nm及10nm工艺时代后，摩尔定律可能会失效，每个晶体管成本每年的下降速度不到30%，这导致企业面临的成本挑战会更加严峻。
2013-09-20 10:06:002125 All Programmable FPGA、SoC和3D IC的全球领先企业赛灵思公司 （Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX） ）今天宣布推出其20nm All Programmable UltraScale™产品系列，并提供相关产品技术文档和Vivado®设计套件支持。
2013-12-10 22:50:331372 有消息称，这款苹果A8芯片将会采用台积电的20nm制程工艺。出于货源稳定性的考虑，不会采用年底更为超前的16nm。尽管16nm的芯片会在明年正式量产，但是产能和技术上仍不慎稳定。
2013-12-16 08:56:432381 苹果A7处理器推出后，高通也迅速推出了64位移动处理器骁龙410，由于该处理器定位中低端，因此，它的风头反被NVIDIA推出的Tegra K1所抢去。对此，外媒传来消息称，高通将在2014年下半年推出高端产品骁龙810，其将采用20nm工艺制造，GPU也升级为Adreno 430。
2014-01-23 09:35:183038 据报道AMD明年代号“北极群岛”的GPU家族将完全跳过有问题的20nm工艺节点，北极群岛系列GPU将直接采用14nm FinFE工艺生产，希望实现更高的效率。
2015-04-24 11:15:501352 在历经16nm/14nm闸极成本持续增加后，可望在10nm时降低。虽然IBS并未预期工艺技术停止微缩，但预计试错成本（cost penalty）将出现在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之际。
2015-06-23 10:39:271563 半导体协会理事长卢超群指出，未来半导体将要做3D垂直堆叠，全球半导体产业未来会朝向类摩尔定律成长。
2016-06-10 00:14:002696 著称，三星为了赶超台积电选择直接跳过20nm工艺而直接开发14nmFinFET工艺，台积电虽然首先开发出16nm工艺不过由于能效不佳甚至不如20nm工艺只好进行改进引入FinFET工艺，就此三星成功实现了领先。
2017-03-02 01:04:492107 先进封装从MCM发展到2.5D/3D堆叠封装，目前发展最快的制造商是TSMC。TSMC从Foundry端延伸入2.5D/3D先进封装，称为3D Fabric。近十年来TSMC的2.5D先进封装技术
2022-10-26 10:21:375940 3D堆叠像素探测器芯片技术详解
2024-11-01 11:08:074435 
3D堆叠将不断发展，以实现更复杂和集成的设备——从平面到立方体
2024-09-19 18:27:412348 
3D闪存有着更大容量、更低成本和更高性能的优势，本文介绍了3D闪存的制造工艺与挑战。
2025-04-08 14:38:392048 
此前曾经报道ARM的下一代架构Cortex A15将提供双倍于Cortex A9的性能，产品采用TSMC的28nm工艺，不过就在今天ARM和TSMC联合宣布已经成功流片20nm ARM Cortex-A15 MPCore芯片。
2011-10-19 09:10:401873 什么是3D图形芯片？3D图像生成算法的原理是什么？
2021-06-04 06:29:06
快速制造优势。采用3D打印技术制造的原型产品大大缩短了研发和实验时间，加快了企业研发生产进度，同时还避免了许多创意想法受限于传统制造工艺无法实现的窘境。在这方面，研发了中国首台自产喷头砂型3D打印机风暴
2018-08-11 11:25:58
浩辰3D作为由浩辰CAD公司研发的高端3D设计软件，能够提供更完备的2D+3D一体化解决方案，基于人们的实际应用需求，帮助设计师更智能高效地进行创新设计，以高精确、强交互的设计数据来衔接工艺制造等
2021-06-04 14:11:29
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工艺从目前的7nm升级到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
正在从二维走向三维世界——芯片设计、芯片封装等环节都在向3D结构靠拢。晶体管架构发生了改变当先进工艺从28nm向22nm发展的过程中，晶体管的结构发生了变化——传统的平面型晶体管技术（包括体硅技术
2020-03-19 14:04:57
功耗。 o 新一代布线技术支持快速时序收敛。 o 增强型逻辑基础架构最大化性能和器件的利用率。 其他系列特有的功能包括： o 多达440万个逻辑单元、采用20nm工艺以及第二代3D IC技术
2013-12-17 11:18:00
。
叉行片：连接并集成两个晶体管NFET和PFET，它们之间同时被放置一层不到10nm的绝缘膜，放置缺陷的发生。
CFET：属于下一代晶体管结构，采用3D堆叠式GAAFET，面积可缩小至原来的50
2025-09-15 14:50:58
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
：“BeSang创立于三年前，是家专门做3D IC技术的公司， BeSang即将实现单芯片3D IC工艺的商业化应用。通过在逻辑器件顶部使用低温工艺和纵向存储设备，每个晶圆可以制造更多的裸片，这就是裸片
2008-08-18 16:37:37
如何使用新款TI DLP Pico芯片组实现高精度台式3D打印和便携式3D扫描？
2021-06-02 06:34:48
达到300亿美元的规模，2014年更可望成长10%-20%。对此，赵甘鸣预测，2014年将是晶圆代工产业20纳米技术与3D NAND起飞量产的一年，3D存储器的发展将导致芯片代工企业的主要支出由光刻向
2014-07-12 17:17:04
像我们看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具体指什么呢
2018-10-08 17:18:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑
高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
2012-08-05 21:48:28
台积电又跳过22nm工艺 改而直上20nm
为了在竞争激烈的半导体代工行业中提供最先进的制造技术，台积电已经决定跳过22nm工艺的研
2010-04-15 09:52:161210 单片型3D技术实现的关键在于如何将各层功能单元转换到单片3D堆叠结构之中去，其采用的方法非常类似于Soitec在制作SOI晶圆时所采用的SMARTCUT技术
2011-05-04 11:27:212198 
据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)透露，芯片代工巨头台积电（TSMC）有望超过intel，在2011年底推出业内首款采用3-D芯片堆叠技术的半导体芯片产品。
2011-07-07 09:19:071168 GlobalFoundries日前试产了20nm测试芯片，该芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的设计工具。此次试制的测试芯片使用了双重图形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111660 Sondrel公司近日将在IIC-China 2012现场展示20nm的模拟和数码设计技术。Sondrel在欧洲不同国家，以及以色列和中国有强大的设计服务团队，包括前端，验证，DFT等全套设计服务。
2012-02-23 09:49:461301 GlobalFoundries 已开始在纽约的 Fab 8 厂房中安装硅穿孔（TSV）设备。如果一切顺利，该公司希望在2013下半年开始採用 20nm 及 28nm 製程技术製造3D堆叠晶片。
2012-05-01 10:13:121435 据报道，2012年台积电准备为其R&D投入13亿美元，作为本年度资本支出预算中的一部分。去年，台积电的R&D预算首次突破10亿美元。而今年多出的30%将会用于20nm和14nm工艺研发。20nm工艺预计
2012-05-15 10:18:21942 3D已经成为半导体微细加工技术到达物理极限之后的必然趋势，目前正处于3D工艺的探索期。在这一过程中，以及今后在实现3D工艺的发展趋势中，半导体产业发展模式到底如何演义，会
2012-05-15 10:43:251295 据台湾媒体报道，台积电（TSMC）预计会在下月试产20nm芯片制程，即将成为全球首家进入20nm技术的半导体公司。若该芯片试产成功，将超越英特尔（Intel）的22nm制程，拉开与三星电子（
2012-07-18 09:44:331159 本文通过高清图详解Intel最新22nm 3D 晶体管 。业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造，没想到英特尔竟提前将之用于22nm工艺，并且于上周四向全世界表示将在
2012-08-03 17:09:18
0 8月14日消息，ARM和芯片工厂Globalfoundries日前宣布，双方将联手研发20nm工艺节点和FinFET技术。 ARM之前和台积电进行了紧密合作，在最近发布了若干使用台积电28nm工艺节点制作的硬宏处理
2012-08-14 08:48:11877 Altera公司昨日公开了在其下一代20nm产品中规划的几项关键创新技术。延续在硅片融合上的承诺，Altera向客户提供终极系统集成平台，以结合FPGA的硬件可编程功能、数字信号处理器和微
2012-09-07 09:25:04881 每一代硅片新技术既带来了新机遇，也意味着挑战，因此，当我们设计系统时，需要重新审视最初所作出的成本和功耗决定。20 nm以及今后的硅片技术亦是如此。 Altera在 20nm 制造节点的
2012-09-07 09:41:08703 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好设计）光刻检查工具已获得TSMC的20nm IC制造工艺认证。 Calibre LFD可对热点进行识别，还可对设计工艺空间是否充足进行检查。光学临近校正法
2012-09-29 10:30:462224 电子发烧友网核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好设计）光刻检查工具已获得TSMC的20nm IC制造工艺认证。 Calibre LFD可对热点进行识别，还可对设计工艺空间是否充足进
2012-10-08 16:00:141264 近期，Altera发布其下一代20nm产品中规划的几项关键创新技术，延续在硅片融合上的承诺，克服了20nm设计五大挑战，实现了系统集成、串行带宽、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101517 电子发烧友网核心提示： 本文就可编程逻辑厂商阿尔特拉（Altera）公司首次公开的20nm创新技术展开调查以及深入的分析；深入阐述了FPGA迈向20nm工艺，Altera凭借其异构3D IC、高速收发器
2012-11-01 13:48:582580 电子发烧友网讯：关于摩尔定律的经济活力问题，有很多的讨论。在过去的一年中，20nm节点进入到这个辩论的前沿和中心。无论说辞如何，包括赛灵思在内的行业领导在20nm研发上的积极
2012-11-14 11:19:521661 Xilinx公布其在20nm产品的表现上还将保持领先一代的优势，究竟在20 nm制程上，Xilinx的产品有哪些演进使其保持领先竞争对手一代的优势？详见本文
2013-01-10 09:33:431314 台湾半导体制造公司(TSMC)将为苹果提供AP/ GPU集成的解决方案，并且采用20nm Soc片上系统工艺为苹果代工。
2013-01-17 20:58:171766 本月25日，2013年3D打印技术产业化论坛将于东莞南城天安数码城举行，届时，全球顶尖3D打印机制造商美国Stratasys公司将展出当今世界最尖端的3D打印机及相关设备。
2013-04-22 11:37:111488 Programmable器件;发布行业第一个ASIC级可编程架构UltraScale™。这些具有里程碑意义的行业第一发布，延续了赛灵思在28nm领域投片首款器件以及在All Programmable SoC、All Programmable 3D IC和SoC增强型设计套件上所实现的一系列行业第一的优势。
2013-07-09 20:01:504286 基于Wide I/O接口的3D堆叠，在逻辑搭载存储器设计上进行了验证 ，可实现多块模的整合。它将台积电的3D堆叠技术和Cadence®3D-IC解决方案相结合，包括了集成的设计工具、灵活的实现平台，以及最终的时序物理签收和电流/热分析。
2013-09-26 09:49:201717 017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流，这对我们设计业、制造业是一个很大的启示：我们怎么样适应全球先进工艺。
2013-12-16 09:40:212411 在绝大部分使用电池供电和插座供电的系统中，功耗成为需要考虑的第一设计要素。Xilinx决定使用20nm工艺的UltraScale器件来直面功耗设计的挑战，本文描述了在未来的系统设计中，使用Xilinx 20nm工艺的UltraScale FPGA来降低功耗的19种途径。
2018-07-14 07:21:006608 intel的22nm 3D工艺牛，到底牛到什么程度，到底对业界有神马影响，俺也搞不太清楚。这不，一封email全搞定了。
2017-02-11 10:47:111694 20nm会延续摩尔定律在集成上发展趋势，但是要付出成本代价。2.5D封装技术的发展，进一步提高了集成度，但是也增大了成本，部分解决了DRAM总线电源和带宽问题，在一个封装中集成了种类更多的IC。随着系统性能的提高，这一节点也增加了体系结构的复杂度。目前为止，它也是功耗管理最复杂的节点。
2017-09-15 09:54:3010 在28nm技术突破的基础上，赛灵思又宣布推出基于20nm节点的两款业界首创产品。赛灵思是首家推出20nm商用芯片产品的公司。此外，该新型器件也是赛灵思将向市场推出的首款采用UltraScale技术
2018-01-12 05:49:451061 层数的增加也就意味着对工艺、材料的要求会提高，要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到
2018-06-03 09:50:556262 三维单片堆叠基本上是多芯片堆叠，先将需要高温工艺的芯片做好，然后将其它已半制造好的芯片以离子切割(ion cut，基本上是氢离子)方式打薄，粘着于原来的芯片之上，继续后面的低温工艺。由于芯片内各模块
2018-08-17 14:54:444930 在近日举行的英特尔“架构日”活动中，英特尔不仅展示了基于10纳米的PC、数据中心和网络系统，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架构，还推出了业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros。这一全新的3D封装技术首次引入了3D堆叠的优势，可实现在逻辑芯片上堆叠逻辑芯片。
2018-12-14 16:03:409951 在近日举行的英特尔“架构日”活动中，英特尔不仅展示了基于10纳米的PC、数据中心和网络系统，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架构，还推出了业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros。这一全新的3D封装技术首次引入了3D堆叠的优势，可实现在逻辑芯片上堆叠逻辑芯片。
2018-12-14 15:35:328854 英特尔近日向业界推出了首款3D逻辑芯片封装技术“Foveros”，据悉这是在原来的3D封装技术第一次利用3D堆叠的优点在逻辑芯片上进行逻辑芯片堆叠。也是继多芯片互连桥接2D封装技术之后的又一个颠覆技术。
2018-12-14 16:16:453316 近日，武汉新芯研发成功的三片晶圆堆叠技术备受关注。有人说，该技术在国际上都处于先进水平，还有人说能够“延续”摩尔定律。既然3D芯片堆叠技术有如此大的作用，那今天芯师爷就跟大家一起揭开它的面纱。
2018-12-31 09:14:0034067 关键词：UltraScale+ , MPSoC , 3D IC 引言 在赛灵思 20nm UltraScale MT 系列成功基础上，赛灵思现又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列
2018-12-28 00:02:021503 对于目前的高端市场，市场上最流行的2.5D和3D集成技术为3D堆叠存储TSV，以及异构堆叠TSV中介层。Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWos）技术已经广泛用于高性能计算
2019-02-15 10:42:198043 
“台积公司是我们在 28nm、20nm 和 16nm 实现‘三连冠（3 Peat）’成功的坚实基础。其出色的工艺技术、3D 堆叠技术和代工厂服务，让赛灵思在出色的产品、优异的品质、强大的执行力以及领先的市场地位上享有了无与伦比的声誉。
2019-08-01 09:24:522912 对于3D封装技术，英特尔去年宣布了其对3D芯片堆叠的研究，AMD也谈到了在其芯片上叠加3D DRAM和SRAM的方案。
2019-08-13 10:27:533414 年初，Intel推出了全新的Foveros 3D立体芯片封装技术，首款产品为Lakefield，基于英特尔最新的10nm工艺制造，集成了一个大核心CPU和四个小核心CPU，其中大核心
2019-09-03 11:23:004487 困于10nm的Intel也在这方面寻找新的机会，其在去年年底的“架构日”活动中，推出其业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros，Foveros首次引入3D堆叠的优势，可实现在逻辑芯片上堆叠
2020-01-28 16:10:004118 赛灵思UltraScale架构：行业第一个ASIC级可编程架构，可从20nm平面晶体管结构 （planar）工艺向16nm乃至FinFET晶体管技术扩展，从单芯片（monolithic）到3D IC扩展。
2019-12-18 15:30:231310 SIP有多种定义和解释,其中一说是多芯片堆叠的3D封装内系统集成,在芯片的正方向堆叠2片以上互连的裸芯片的封装。SIP是强调封装内包含了某种系统的功能封装，3D封装仅强调在芯片方向上的多芯片堆叠
2020-05-28 14:51:447076 他们未来的3nm工厂，预计2022年下半年台积电3nm工艺就会投产。 当然随着半导体工艺的逐渐发展，工艺的升级也逐渐困难，所需的投入也越来越大，报团合作也越来越多，台积电拉了Google和AMD过来合作。 台积电正在和Google合作，以推动3D芯片制
2020-11-30 15:50:101146 在Intel、台积电各自推出自家的3D芯片封装技术之后，三星也宣布新一代3D芯片技术——X-Cube，基于TSV硅穿孔技术，可以将不同芯片搭积木一样堆叠起来，目前已经可以用于7nm及5nm工艺。
2020-10-10 15:22:582004 根据报道，华为将在国内建设一家45nm制程工艺起步的芯片工厂，计划在2021年底为物联网设备制造28nm的芯片，并在2022年底之前为5G设备供应20nm的芯片。
2020-11-02 17:41:303542 Integrity 3D-IC 是 Cadence 新一代多芯片设计解决方案，它将硅和封装的规划和实现，与系统分析和签核结合起来，以实现系统级驱动的 PPA 优化。 原生 3D 分区流程可自动智能
2021-11-19 11:02:244231 三星3nm芯片量产 2nm芯片还远吗 全球第一款正式量产的3nm芯片即将出自三星半导体了，根据三星半导体官方的宣布，4D（GAA）架构制程技术芯片正式开始生产。 4D（GAA）架构制程是3D
2022-06-30 20:21:522069 目前有多种基于 3D 堆叠方法, 主要包括: 芯片与芯片的堆叠( D2D) 、芯片与圆片的堆叠( D2W ) 以及圆片与圆片的堆叠( W2W) 。
2022-11-01 09:52:512488 在20nm 工艺节点之后，传统的平面浮栅 NAND 闪速存储器因受到邻近浮栅 -浮栅的耦合电容干扰而达到了微缩的极限。为了实现更高的存储容量，NAND集成工艺开始向三维堆叠方向发展。在三维NAND
2023-02-03 09:16:5717470 当裸片尺寸无法继续扩大时，开发者开始考虑投入对 3D 堆叠裸片方法的研究。考虑用于 3D 封装的高端器件已经将当前的可测试性设计 (DFT) 解决方案推向了极限。
2023-02-28 11:39:262362 UltraScale是基于20nm工艺制程的FPGA，而UltraScale+则是基于16nm工艺制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:548669 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394222 3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间内，容纳更高的存储容量，从而有效节约成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
有许多外行人认为3D打印就是从热喷嘴中挤出材料并堆叠成形状，但其实3D打印远不止于此！今天南极熊将介绍七大类3D打印工艺，即使是3D打印小白也能清晰地区分不同的3D打印工艺。 事实上，3D 打印也
2023-06-29 15:36:274381 随着摩尔定律接近物理界限，在3纳米以下的先进工艺中，能够负担较高费用的顾客受到限制，晶片sip和逻辑芯片的3D堆叠概念正在成为重要的新一代趋势。
2023-09-11 11:09:582010 Cadence员工MohamedNaeim博士曾在CadenceLIVE欧洲用户大会上做过一场题为《2D/3D热分析和三裸片堆叠设计实现》的演讲，本文将详细讲述该演讲内容。实验：两个裸片是否优于一个
2023-09-16 08:28:052057 
长期以来，个人计算机都可以选择增加内存，以便提高处理超大应用和大数据量工作的速度。由于3D芯片堆叠的出现，CPU芯粒也有了这个选择，但如果你想打造一台更具魅力的计算机，那么订购一款有超大缓存的处理器可能是正确的选择。
2023-10-15 10:24:232733 
当芯片变身 3D 系统，3D 异构集成面临哪些挑战
2023-11-24 17:51:071969 
在3D实现方面，存储器比逻辑更早进入实用阶段。NAND闪存率先迈向3D 。随着目前量产的20-15nm工艺，所有公司都放弃了小型化，转而转向存储单元的三维堆叠，以提高每芯片面积的位密度。它被称为“ 3D（三维）NAND ” 。
2023-12-02 16:38:402967 
在半导体行业的快速发展历程中，芯片封装技术始终扮演着至关重要的角色。随着集成电路设计复杂度的不断提升和终端应用对性能、功耗、尺寸等多方面要求的日益严苛，传统的2D封装技术已经难以满足市场的需求。在此背景下，芯片3D堆叠封装技术应运而生，成为半导体技术发展的新里程碑。
2025-02-11 10:53:452819 
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