台积电：20nm仅会提供一种制程

　　晶圆代工巨擘台积电（TSMC）日前表示，将在 20nm 节点提供单一製程，这与该公司过去针对不同製程节点均提供多种製程服务的策略稍有不同。

　　在台积电年度技术研讨会上，该公司执行副总裁暨共同营运长蒋尚义表示，若微影技术无法让 14nm 製程达到合理的成本效益，那么台积电可能会在20nm製程之后再提供 18nm 或 16nm 製程节点。

　　蒋尚义表示，台积电最初计划提供两种 20nm 製程，分别为高性能製程与低功耗製程。这两种製程都採用high-k金属闸极（HKMG）技术。

　　然而，在歷经一段时间的发展后，蒋尚义表示，台积电认为这两种20nm製程之间并没有明显的性能差距。由于20nm的线宽非常小，已经接近基本的物理极限了，因此也没有太大空间针对不同的闸极长度或其他需求来调整设计规则。

　　台积电目前提供四种28nm製程，分别为：高性能；低功耗；针对行动应用的HKMG低功耗製程，以及HKMG高性能製程。

　　TSMC expects its 20-nm HKMG process to be in production next year. In 2015， TSMC wants to commence production at the 14-nm node， adding FinFET 3-D transistors.

　　台积电预计明年量产20nm HKMG製程。2015年，台积电希望能量产採用FinFET 3D电晶体的14nm製程。

　　然而，整个半导体产业都在等待超紫外光（EUV）微影技术。EUV技术一再延宕，迄今仍未能发展出大量生产所需的足够光源和稳定性。微影设备供应商 ASML Holding NV 公司正与数家光源供应商合作开发，并承诺在2013至2014年将可提供商用化所需的足够的吞吐量。

　　然而，不少业界人士对于EUV技术能否支援台积电和其他领先晶片製造商的技术发展蓝图抱持怀疑态度。蒋尚义指出，193nm浸入式微影领域已经展现出长足进展，它甚至可能在14nm节点作为商用化的替代技术。然而，蒋尚义也表示，为了提供足够锐利的影像，193nm浸入式微影针对某些层会需要叁重图案，而针对大多数的层都会需要双重图案，这会让量产成本急遽升高。

　　蒋尚义表示，台积电“正在慎重考虑”是否提供18nm或16nm製程。“一旦我们选择这个节点，我们就必须为客户提供至少10年的服务。”