模拟技术
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基于氮化镓逆变器建模损耗的原因及考虑因素
本文研究了四个经常被忽略的因素对基于GaN的全桥逆变器损耗模型的影响：器件的[寄生电容]()、时变功耗（Ploss）下的结温度（*T*~j~）动力学、壳温度估计以及对无源元件的详细考虑。...
2023-12-06 56
新型电力系统面临的发展要求和挑战
高比例新能源的技术挑战在于抗扰性弱，暂态电压失稳，惯量缺失。新能源渗透率提高，电网强度下降，暂态稳定性问题更加凸显。Grid Forming构网技术是解决新型电力系统稳定性的关键路径。...
2023-12-06 12
回顾IGBT的技术发展：7代技术及工艺改进
新能源汽车的成本构成中，最大头当然是动力电池，第二高的就是IGBT。 在电动汽车特斯拉Model 3上，提供电源的是，7000节18650电池，这些电池提供400伏直流电。...
2023-12-06 26
浅谈相干采样定义及原理
首先介绍应用背景，在测试ADC的动态参数时，一般使用大幅度的正弦波作为输入信号，该信号的频率不能任意取，需要满足相干采样的要求。连续的正弦波输入ADC后量化得到一个离散时间信号，...
2023-12-06 160
具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技术
氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点，用于制造高频、高功率密度和...
2023-12-06 99
安规电容中X电容和Y电容作用
在电源中有个不可缺少的电子元件：安规电容。安规电容是一种具有安规特性的电容器，当外部电源断开后会迅速放电，人触摸不会有触电感，或者安规电容失效后，不会导致电击，不会伤害人...
2023-12-05 47
MOS结电容（下）MOS的结电容应用特性分解
我们需要先将结电容与关断波形联系起来。三个结电容的容值是Vds电压的函数，同时，电压Vds的变化（dv/dt）又与结电容相关。...
2023-12-05 142
MOS结电容（上）MOS里的寄生电容到底是什么？
EE工程师都会面临MOSFET的选型问题，无论是功率级别应用的Power MOS还是信号级别的Signal MOSFET，他们的Datasheet中，一定会给出MOSFET的三个结电容随Vds电压变化的曲线。...
2023-12-05 221
如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？
有效的热管理对于防止SiC MOSFET失效有很大的关系，环境过热会降低设备的电气特性并导致过早失效，充分散热、正确放置导热垫以及确保充足的气流对于 MOSFET 散热至关重要。...
2023-12-05 138
谈谈二极管单向导电性的内涵与外延
在电路中，二极管由于其单向导电特性被广泛使用。从电路理论的角度讲，电阻R，电感L，电容C可以组成最基本的线性网络。而二极管作为一种单向导电器件，其开关动作引入了其他频率分量，...
2023-12-05 202
如何理解IGBT的四种安全工作区（SOA）？
最近和一些EE工程师聊到IGBT的技术问题，聊的过程中发现，他们最感兴趣的问题大多是关于功率器件极限能力的评估方法，因为这些问题直接关系到了系统的可靠性。...
2023-12-05 248
深度解析电容对ESD的影响
常见的电容主要有MOS电容，MIM电容，MOM电容三种。 MOS电容利用的是MOS中寄生的Cgd;Cgb;Cgs，栅与源漏体作为电极，氧化层作为介质层，形成电容。...
2023-12-05 31
振荡器中使用hbsp去仿真输出阻抗分析
在振荡器中使用hbsp去仿真输出阻抗，当然振荡器领域大家一般不关心输出阻抗，因为不需要考虑输出功率大小，自有buffer来增大功率，只要负载对频率、相噪影响最小即可，但目前的电路确实...
2023-12-05 123
差分放大电路和单端电路相比有何优势？
和单端电路的偏置电压类似，差动信号的偏置电压就叫做"共模电平"，对于输入的差分信号，就叫输入的共模电平，对于输出就叫做输出的共模电平，其定义为两个结点电位之差。...
2023-12-05 37
安世半导体推出首款SiC MOSFET，聚焦电动汽车充电桩等市场
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。...
2023-12-05 36
SaberRD设计实例：DC-DC转换器的稳定性分析
随着对直流电源需求的不断增加，通信系统、飞机、电动汽车等工业应用中相互连接的直流电源的使用也越来越多，这样一来系统的不稳定性风险大大加。...
2023-12-05 118
国产碳化硅生产企业排行榜
凭借其卓越性能而被不断应用于光伏发电、电动汽车、轨道交通和风力发电等领域，引领着电力电子领域的一次技术革命。全球碳化硅功率器件市场规模预计将从2021年10.9亿美元增长至2027年62...
2023-12-05 115
汽车半导体供需发生改变，碳化硅是否随着更改？
汽车一直是碳化硅（SiC）的主要应用市场。在整个汽车半导体供需发生改变的情况下，碳化硅是否还会延续此前供不应求的市场行情？...
2023-12-05 49
功率MOSFET安全工作区SOA曲线概念分析
现代功率MOSFETs的发展趋势是向着更高开关频率和更低导通电阻发展，因此现代的功率MOSFETs相较于10年前的功率MOSFETs...
2023-12-04 181
高校电力电子实时仿真创新实验系统解决方案
EasyGo实时仿真实验系统旨在为电气相关专业的本科生和研究生提供技术领先、性能优异的创新实验平台，基于该建设方案构建的创新实验基地，能够辅助本科生和研究生进行 、选修课的教学和...
2023-12-04 137
MOSFET的结构及反向恢复波形分析
基于桥式结构的功率MOSFET，例如半桥、全桥和LLC的电源系统，同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管， 其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。...
2023-12-04 169
MOSFET漏极导通特性与开关过程简析
本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大...
2023-12-04 175
全方位理解功率MOSFET的雪崩失效现象
功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。...
2023-12-04 203
深入探讨模数转换器（ADC）失调和增益误差规格
由于使用有限数量的数字码来表示连续范围的模拟值，因此ADC表现出阶梯响应，这本质上是非线性的。在评估某些非理想效应（如失调误差、增益误差和非线性）时，通过穿过阶跃中点的直线对...
2023-12-04 33
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