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Texas Instruments LMG2610 GaN半桥IC技术解析
Texas Instruments LMG2610 GaN半桥IC是一款650V GaN电源FET半桥,适用于开关电源应用中 < 75w的有源钳位...
金属有机化学气相沉积(MOCVD)丨助力 LED 缓冲层性能优化
在现代生活中,氮化镓(GaN)基LED应用广泛,其性能受GaN缓冲层厚度显著影响。科研人员通过HVPE与MOCVD结合技术,在蓝宝石衬底上制备了不同缓冲...
LMG3612 650V GaN功率FET技术解析与应用指南
Texas Instruments LMG3612单通道GaN FET提供650V漏源电压和120mΩ漏源电阻,以及专为开关模式电源应用设计的集成驱动...
LMG3616 650V GaN功率FET技术解析与应用指南
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的电阻以及集成式驱动器和保护,适用于开关模式电源应用。 ...
LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和温度报告数据手册
LMG352xR030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 S...
LMG3527R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电流检测数据手册
LMG352xR030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 ...
TPS7H6101-SEP 耐辐射 200V 10A GaN 功率级,集成驱动器数据手册
该TPS7H6101是一款耐辐射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥,集成栅极驱动器;e模式氮化镓FET和栅极驱动器的集成简化了设计,减少...
德州仪器LMG3526R050 650V GaN FET集成驱动技术深度解析
Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现...
德州仪器LMG3522R050 650V GaN FET集成驱动技术解析
Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现...
Texas Instruments UCC27444/UCC27444-Q1 4A低侧栅极驱动器数据手册
Texas Instrument UCC27444/UCC27444-Q1 4A低侧栅极驱动器是一款有效驱动MOSFET和GaN电源开关的高速、双通道、...
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级数据手册
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强模式...
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