LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET，集成驱动器、保护和温度报告数据手册-电子发烧友网

具有集成驱动器和保护功能的 LMG352xR030 GaN FET 面向开关模式电源转换器，使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。

LMG352xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制 20V/ns 至 150V/ns 的压摆率，可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。该LMG3526R030包括零电压检测（ZVD）功能，当实现零电压开关时，该功能从 ZVD 引脚提供脉冲输出。该LMG3527R030包括零电流检测（ZCD）功能，当检测到漏源正电流时，该功能从 ZCD 引脚提供脉冲输出。
*附件：lmg3522r030.pdf

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出报告，从而简化了器件负载的管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引脚。

特性

650V 硅基氮化镓 FET，集成栅极驱动器
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns FET 保持
- 2MHz开关频率
- 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和 EMI 缓解
- 工作电压范围为 7.5V 至 18V
强大的保护
- 逐周期过流和锁存短路保护，响应< 100ns
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 自我保护，防止内部过热和 UVLO 监控
先进的电源管理
- 数字温度PWM输出
- LMG3526R030包括零电压检测（ZVD）功能，有助于软开关转换器
- LMG3527R030包括零电流检测（ZCD）功能，有助于软开关转换器
顶部冷却的 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和热路径分开，以实现最低功率环路电感

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
LMG352xR030是德州仪器（TI）推出的650V/30mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管系列，包含三款型号：

‌LMG3522R030‌：基础型号
‌LMG3526R030‌：集成零电压检测（ZVD）功能
‌LMG3527R030‌：集成零电流检测（ZCD）功能

‌2. 核心特性‌

‌集成驱动与保护‌
- 内置高精度栅极驱动电路，支持7.5V-18V供电
- 可调开关速率（20V/ns至150V/ns），优化EMI与开关性能
- 提供过流、短路、过温、欠压（UVLO）等多重保护，响应时间<100ns
‌先进功能‌
- ‌温度报告‌：通过PWM输出实时反馈芯片温度（9kHz频率，3%-82%占空比对应25°C-150°C）
- ‌ZVD/ZCD‌（特定型号）：
  - LMG3526R030检测零电压开关（ZVS），输出脉冲信号
  - LMG3527R030检测正极电流，支持软开关拓扑
‌封装与散热‌
- 12mm×12mm VQFN封装，顶部散热设计
- 热阻0.28°C/W（结到外壳）

‌3. 关键参数‌

‌电气性能‌
- 导通电阻：26mΩ（25°C）至45mΩ（125°C）
- 输出电容：235pF（VDS=400V）
- 最大开关频率：2MHz（VDD≥9V）
‌保护阈值‌
- 过流保护：60-80A
- 短路保护：75-105A
- 过温关断：175°C（GaN芯片）/185°C（驱动电路）

‌4. 应用场景‌