LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于开关模式电源应用中的 75W 有源钳位反激式 (ACF) 转换器<。该LMG2610通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器,简化了设计,减少了元件数量,并减少了电路板空间。
不对称 GaN FET 电阻针对 ACF 工作条件进行了优化。可编程导通转换速率提供 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻器相比,低侧电流检测仿真降低了功率耗散,并允许将低侧导热垫连接到冷却 PCB 电源接地。
*附件:LMG2610 用于有源钳位反激式转换器的集成 650V GaN 半桥数据表.pdf
高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中发现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降,避免了对高侧电源的过度充电,并且反向恢复电荷为零。
该 LMG2610 支持转换器轻载效率要求和突发模式作,具有低静态电流和快速启动时间。保护功能包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过温关断。
特性
- 650V GaN 功率 FET 半桥
- 170mΩ 低侧和 248mΩ 高侧 GaN FET
- 具有低传播延迟和可调导通转换速率控制的集成栅极驱动器
- 具有高带宽和高精度的电流感应仿真
- 低侧/高侧栅极驱动联锁
- 高侧栅极驱动信号电平转换器
- 智能开关自举二极管功能
- 高侧启动 : < 8 us
- 低侧/高侧逐周期过流保护
- 带 FLT 引脚报告的过温保护
- AUX 空闲静态电流:240 μA
- AUX 待机静态电流:50 μA
- BST 空闲静态电流:60 μA
- 最大电源和输入逻辑引脚电压:26 V
- 9x7 mm QFN 封装,带双导热垫
参数

方框图
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
FET
+关注
关注
3文章
908浏览量
66990 -
GaN
+关注
关注
21文章
2396浏览量
85039 -
栅极驱动器
+关注
关注
8文章
1546浏览量
40564 -
开关模式电源
+关注
关注
1文章
88浏览量
10195
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
TI LMG2610详解具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥
的特性介绍:650V GaN 功率 FET 半桥170mΩ 低侧和 248mΩ 高侧
TI LMG2610用于有源钳位反激式转换器的集成 650V GaN 半桥技术文档
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于 开关模式电源应用中 < 7
TI LMG3624 具有集成式驱动器和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FET技术文档
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG
德州仪器LMG2610:650V GaN半桥的卓越性能与应用解析
德州仪器LMG2610:650V GaN半桥的卓越性能与应用解析 在当今的电源设计领域,高效、紧凑且可靠的电源解决方案需求日益增长。德州仪器
技术资料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥,具有集成驱动器、保护和电流感应功能
评论