LMG3410R150-031 EVM用户指南

LMG3410EVM-031具有两个LMG3410R150600VGaN功率晶体管，带有集成驱动器，这些驱动器配置在-个半桥中，具有所有必需的偏置电路和逻辑/功率电平转换。基本功率级和栅极驱动高频电流环路完全封闭在电路板上，以最大限度地减少寄生电感，减少电压过冲并提高性能。LMG3410EVM-031配置为具有插座式外部连接，可轻松与外部功率级连接，以便在各种应用中运行LMG3410R150。
*附件：LMG3410R150-031 EVM用户指南.pdf

LMG3410EVM-031 在半桥中配置了两个 LMG3410R150 GaN FET，具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外围电路。此 EVM 旨在与大型系统配合使用。

特征

• 输入电压最高可达 600 V
• 用于评估 LMG3410R150 性能的简单开环设计
• 板载单个 PWM 输入，用于 PWM 信号，死区时间为 50ns
• 锁存过流保护功能
• 使用带有短接地弹簧探头的示波器探头进行逻辑和功率级测量的便捷探测点

1. 概述

• ‌产品‌：LMG3410R150-031 EVM（评估模块）
• ‌功能‌：包含两个LMG3410R150 GaN功率晶体管，配置为半桥，集成了所有必需的偏置电路和逻辑/电源电平转换电路。
• ‌目标‌：用于在各种应用中测试LMG3410R150的性能。

2. 安全指南

• ‌工作区域安全‌：保持工作区域整洁有序，使用有效的屏障和警示标志。
• ‌电气安全‌：在处理前确保EVM已断电，使用绝缘工具和适当的个人防护装备。
• ‌个人安全‌：穿戴乳胶手套和安全眼镜，或将EVM放置在带有互锁的透明塑料盒中。

3. 产品描述

• ‌结构‌：LMG3410EVM-031作为子卡，可与LMG34XX-BB-EVM母板配合使用。
• ‌功能‌：
  • ‌逻辑引脚‌：7个逻辑引脚，用于控制和监测GaN FET。
  • ‌电源引脚‌：3个电源引脚，包括VSW（半桥开关节点）、VDC（输入直流电压）和PGND（功率地）。
  • ‌工作模式‌：支持自举模式和隔离电源模式。
    

4. 测试设置

• ‌所需设备‌：直流电压源、直流偏置源、函数发生器、示波器、直流多用表、直流负载和风扇。
• ‌推荐测试配置‌：将LMG3410EVM-031连接到LMG34XX-BB-EVM母板，按照指南连接电源、负载和测试仪器。

5. 测试程序

• ‌启动和操作‌：
  1. 连接所有设备并上电。
  2. 启用PWM信号。
  3. 缓慢增加输入电压，同时监测VSW以确保不超过绝对最大额定值。
• ‌关机程序‌：先关闭输入电源和PWM信号，然后禁用12V偏置电源。

6. 典型特性

• ‌波形图‌：提供了在不同输入电压、频率和占空比下的开关波形图。
• ‌散热‌：推荐使用散热器和风扇来控制LMG3410R150的温度。

7. 组装图和PCB布局

• ‌顶层和底层布局‌：详细展示了EVM的顶层和底层组件布局。
• ‌内层铜布局‌：展示了内层铜的布局，有助于理解信号和电源的走线。