技术资料#LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN-电子发烧友网

LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有优势包括：超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低多达 80%），以及低开关节点振铃（可降低 EMI）。这些优势实现了像图腾柱 PFC 这样的密集和高效的拓扑结构。

*附件：具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN 数据表 .pdf

LMG341xR070 通过集成一组独特的功能来简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能，从而为传统的共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 提供智能替代方案。集成栅极驱动可实现 100V/ns 开关，Vds 振铃接近于零，<100 ns 电流限制可防止意外击穿事件，过热关断可防止热失控，系统接口信号提供自我监控功能。

特性

TI GaN 工艺通过加速可靠性应用内硬开关任务配置文件认证
支持高密度电源转换设计
- 优于共源共栅或独立 GaN FET 的系统性能
- 低电感 8mm x 8mm QFN 封装，易于设计和布局
- 可调节驱动强度，以实现开关性能和 EMI 控制
- 数字故障状态输出信号
- 仅需 +12 V 非稳压电源
集成栅极驱动器
- 零共源电感
- 20 ns 传播延迟（MHz 工作）
- 工艺调谐的栅极偏置电压，确保可靠性
- 25 至 100V/ns 用户可调转换速率
强大的保护
- 无需外部保护元件
- 具有 <100ns 响应的过流保护
- 150V/ns 转换速率抗扰度
- 瞬态过压抗扰度
- 过热保护
- 所有电源轨上的 UVLO 保护
设备选项：
- LMG3410R070 ：锁存过流保护
- LMG3411R070 ：逐周期过流保护

参数

方框图

1. 产品概述

‌产品名称‌：LMG341xR070（包括LMG3410R070和LMG3411R070）
‌类型‌：600V GaN功率晶体管，集成驱动器和保护功能
‌封装‌：QFN 32引脚，8mm x 8mm
‌应用‌：适用于高密度工业和消费者电源供应、多级转换器、太阳能逆变器、工业电机驱动、不间断电源、高压电池充电器等。

2. 主要特性

‌高性能GaN技术‌：提供超低输入和输出电容，零反向恢复，减少开关损耗和EMI。
‌集成驱动器‌：
- 零公共源电感
- 20ns传播延迟，适用于MHz操作
- 可调斜率控制（25V/ns至100V/ns）
‌保护功能‌：
- 过流保护（OCP），响应时间<100ns
- 过温保护（OTP）
- 瞬态过压免疫
- 欠压锁定（UVLO）保护所有电源轨
‌设备选项‌：
- LMG3410R070：锁存过流保护
- LMG3411R070：逐周期过流保护

3. 电气特性

‌ 最大漏源电压（VDS） ‌：600V（瞬态最高可达800V）
‌ 最大连续漏源电流（IDS） ‌：
- Tj = 25°C时：40A
- Tj = 100°C时：30A
‌ 导通电阻（RDS,ON） ‌：
- Tj = 25°C时：70mΩ
- Tj = 125°C时：110mΩ
‌LDO输出电压‌：4.7V至5.3V
‌UVLO阈值‌：
- 开启阈值（VDD,(ON)）：9.1V
- 关闭阈值（VDD,(OFF)）：8.5V
- 迟滞电压（ΔVDD,UVLO）：550mV